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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.47 no.4=no.394, 2010년, pp.13 - 19
MOSFET with deuterium-incorporated gate oxide shows enhanced reliability compared to conventional MOSFET. We present an alternative process whereby deuterium is delivered to the location where the gate oxide reside by an implantation process. Deuterium ions were implanted using two different energie...
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