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NTIS 바로가기韓國磁氣學會誌 = Journal of the Korean Magnetics Society, v.20 no.5, 2010년, pp.191 - 195
김대환 (국민대학교, 물리학과) , 류상희 (국민대학교, 물리학과) , 이효진 (국민대학교, 물리학과) , 박영옥 (국민대학교, 물리학과) , 이은중 (국민대학교, 물리학과) , 고태준 (국민대학교, 물리학과)
We have investigated the effect of the removal of an initial oxide layer and the anodization time on the growth of the porous alumina layer. The porous alumina layer was fabricated by two-step anodization process with phosphoric acid. We have observed the changes in the uniformity of the pore struct...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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알루미나 막을 주물 형태로 사용한 제작방식은 어떤 방식으로 이루어지나? | 지금까지 고려되어 오고 있는 다공성 알루미나 막을 이용한 대부분의 제작 방식들은 알루미나 막을 주물 형태로 사용한 제작방식들이다. 이러한 방식의 경우 다공성 알루미나 표면의 기공 구조가 가지는 high aspect ratio를 이용하여 튜브 형태의 미세 구조를 제작하거나[6, 7] 얇은 다공성 알루미나 막을 마스크로 활용하여 식각과정을 통해 미세 기공 구조를 구조층에 전달하는 방식[8]으로 이루어진다. 이 때 알루미나막 상의 기공 구조는 최종적으로 얻어지는 소자의 균일성을 결정짓는 가장 큰 요인으로 작용하게 된다. | |
어떤 기법이 나노구조체 제작기법으로 기대되는가? | 최근 나노영역에서의 과학 기술에 대한 관심과 함께 기존의 전자빔 기법 등의 순차적 공정방식에서 벗어나 대면적에서의 균일한 패턴 형성을 가능하게 하는 다양한 나노구조 제작 기법에 대한 연구가 활발히 이루어져 오고 있다. 그 중전기화학적 기법으로 제작된 알루미나 막의 경우 막 표면상에 나노미터 크기의 다공 구조의 형성을 보여주므로 새로운 나노구조체 제작기법으로 기대되고 있다. 양극산화 시 형성되는 기공들의 구조적 특성은 양극산화 조건에 따라 조절이 가능하며 특히 두 차례에 걸친 양극산화 공정을 거쳐 형성된다공 구조의 경우 기공의 크기가 매우 균일하며 대면적에 걸쳐 그 배열이 매우 규칙적이다[1]. | |
양극산화 시 형성되는 기공들의 구조적 특성은? | 그 중전기화학적 기법으로 제작된 알루미나 막의 경우 막 표면상에 나노미터 크기의 다공 구조의 형성을 보여주므로 새로운 나노구조체 제작기법으로 기대되고 있다. 양극산화 시 형성되는 기공들의 구조적 특성은 양극산화 조건에 따라 조절이 가능하며 특히 두 차례에 걸친 양극산화 공정을 거쳐 형성된다공 구조의 경우 기공의 크기가 매우 균일하며 대면적에 걸쳐 그 배열이 매우 규칙적이다[1]. 이러한 양극산화 알루미나 막의 특성은 단일 공정을 통해 다수의 나노구조의 제작을 진행 할 수 있는 템플레이트로써의 응용 가능성을 보여 주며 이를 바탕으로 다양한 나노구조체의 제작이 시도되어 오고 있다[2-5]. |
Hideki Masuda and Kenji Fukuda, Sience 268, 1466 (1995).
M. T. Rahman, N. N. Shams, C. H. Lai, J. Fidler, and D. Suess,
Parag Banerjee, Israel Perez, Laurent Henn-Lecordier, S. B.
Woo Lee, Hee Han, Andriy Lotnyk, Markus Andreas Schubert,
M. D. Stewart, Jr., Aijun Yin, J. M. Xu, and James M. Valles,
J. Li, C. Papadopoulos, J. M. Xu, and M. Moskovits, Appl. Phys. Lett. 75, 367 (1999).
J. S. Suh and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 2047 (1999).
Jianyu Liang, Hope Chik, Aijun Yin, and Jimmy Xu, J. Appl. Phys. 91, 2544 (2002).
A. P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch, and U. Gsele, J. Appl. Phys. 84, 6023 (1998).
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