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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.9 no.4, 2010년, pp.39 - 43
According to recent changes in industry for the semiconductor device, a gap between patterns in wafer is getting narrow. And this narrow gap makes a failure of uniform deposition between center and edge on the wafer. In this paper, for solving this problem, we analyze and manipulate the gas flow ins...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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화학기상 증착이란? | 화학기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)이란 기체상태의 원소나 화합물로부터 화학반응과 열분해를 통하여, 모재 표면에 모재와 동종 또는 이종의 고체 상태 박막이나 입자 등을 생성하는 과정으로 정의할 수 있다. CVD 란 용어는 1962년 Blocher와 Oxley1) 에 의해서 최초로 사용되기 시작하였으며, 실제 사용은 이보다 오래 전인 19세기 말엽의 백열전구 산업에서 찾을 수 있다. | |
Plasma Enhanced CVD는 어떤 방식인가? | CVD는 화학 반응 환경에 따라 여러 가지 방식이 존재 하는데, 그 중 Plasma Enhanced CVD(PECVD)방식은 RF 에너지를 기판 표면 근처의 반응영역에 인가하여 반응가스를 플라즈마화 한 상태에서 증착이 이루어지는 방식이다. 반응가스의 플라즈마화를 통하여 공정가스 사이에 필요한 에너지를 낮추어 공정온도를 낮출 수 있는 이점이 있다. | |
PECVD의 장점은? | CVD는 화학 반응 환경에 따라 여러 가지 방식이 존재 하는데, 그 중 Plasma Enhanced CVD(PECVD)방식은 RF 에너지를 기판 표면 근처의 반응영역에 인가하여 반응가스를 플라즈마화 한 상태에서 증착이 이루어지는 방식이다. 반응가스의 플라즈마화를 통하여 공정가스 사이에 필요한 에너지를 낮추어 공정온도를 낮출 수 있는 이점이 있다. 그러나 PECVD에서 층간 절연막을 형성하는 경우, 실리콘 산화막이 증착된 웨이퍼를 800o C 이상 고온으로 열처리하여 좁고 깊은 갭을 기공 없이 충전하게 된다. |
Bolocher, J.M., and Oxley, J.H., "Chemical vapor deposition opens new horizons in ceramic technology", Am. Ceram. Soc. Bull., Vol.41 pp,81-84. 1962.
Powell, C.F., Vapor deposition, New York Wiley. 1966
Hiroshi, K., CVD핸드북,(공역) 이시우, 이전, 반도출판사. 1922
F.C. Eversteyn, P.J.W. severin, C.H.J.v.d. Brekel, and H.L. Peek, "A Stagnat Layer Model for the Epitaxial Growth of Silicon from Silane in a Horizontal Reactor", Journal of the Electrochemical Society, Vol.117, pp.925-931, 1970
Chiu, W.K.S., and Jaluria, Y., "Heat and Mass Transfer in Continuous CVD Reactor," Pro. 11th Int. Heat Transfer Conf., Vol. 5, pp.187-192, 1998
김진태, "반도체 공정에서의 HDP CVD 챔버 최적형상에 관한 연구", 한국기술교육대학교 석사학위 논문, 2009
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