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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.15 no.1, 2016년, pp.41 - 46
장연호 (전북대학교 대학원 기계설계공학과) , 고동국 (전북대학교 기계설계공학부) , 임익태 (전북대학교 기계설계공학부)
In this study, gas flow and temperature distribution in the multi-wafer planetary CVD reactor for the Si epitaxial growth were analyzed. Although the structure of the reactor was simplified as the first step of the study, the three-dimensional analysis was performed taking all these considerations o...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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단채널 효과의 해결방법은? | 이 현상을 단채널 효과(Short size effect)라고 한다. 이 문제의 해결방법으로서 소스와 드레인 부분에 선택적 성장(Selective Epitaxial Growth)을 이용하는 방법이 사용되고 있다. 이에 따라 Si, SiGe의 Epitaxy는 10 nm 이하 사이즈의 트랜지스터에서 중요한 기술로 연구되고 있다[1-2]. | |
반도체 소자의 크기는 점차 작아지고 있는데, 그 이유는? | Si MOSFET 공정은 1960년 벨 연구소의 강대원, Martin Atalla에 의해 발명된 이후 지금은 매우 폭넓게 쓰이고 있다. 반도체 소자의 크기는 점차 작아지고 있는데 그 이유는 날이 갈수록 증가하는 메모리 용량의 필요성 때문이다. 크기를 키울 수 없는 반도체의 특성상 집적도를 높여 용량을 증가시키는 방법을 주로 사용하는데 이로 인해 반도체의 크기는 작아져 나노 사이즈 크기의 반도체를 개발하기에 이르렀다. | |
단채널 효과란 무엇인가? | 현재 나노 사이즈 크기 트랜지스터의 경향을 보면 20 nm의 트랜지스터는 이미 개발되어 생산되고 있다. 한편 게이트 길이가 계속 줄어들면서 소자의 성능이 저하되는 현상이 발견되었다. 이 현상을 단채널 효과(Short size effect)라고 한다. |
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