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HDP CVD 챔버 형상 변화에 따른 가스 유동 균일성에 대한 연구
Study for Gas Flow Uniformity Through Changing of Shape At the High Density Plasma CVD (HDP CVD) Chamber 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.9 no.4, 2010년, pp.39 - 43  

장경민 (한국기술교육대학교) ,  김진태 ,  홍순일 ,  김광선 (한국기술교육대학교)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

According to recent changes in industry for the semiconductor device, a gap between patterns in wafer is getting narrow. And this narrow gap makes a failure of uniform deposition between center and edge on the wafer. In this paper, for solving this problem, we analyze and manipulate the gas flow ins...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 환형 Side Nozzle의 가스 흐름 균일성은 기존 연구에서 이미 발표 된 바 있다. 따라서 본 연구에서는 Side Nozzle에 대하여 기 발표된 자료를 활용하고, 기존 챔버의 Center nozzle과 챔버 높이 변경에 대한 연구만을 수행한다. Fig.
  • 본 연구에서는 HDP CVD 증착공정에서 증착 균일도 향상을 위하여 중요한 요소인 가스 흐름 균일도와 챔버 형상에 관한 내용을 다루었다. 기존 장비에서 챔버의 높이와 Center Nozzle의 형상 변경에 따라 가스 흐름 균일도를 계산한 결과 균일도가 2% 대까지 향상되었다.
  • 여러 연구에서 밝히고 있듯이 플라즈마 증착 공정에서 증착 균일성에 영향을 미치는 변수는 매우 많다. 본 연구에서는, 여러 변수 중 증착 균일성에 가장 큰 영향을 미친다고 할 수 있는 가스 유동 속도를 최적화 하고자 수치 해석적 기법을 적용하여 기존 HDP CVD 챔버의 높이와 중심부 Center nozzle의 형상변경을 통하여 가스 흐름의 균일성을 개선 하였다.

가설 설정

  • 01 이하인 경우를 연속체로 볼 수 있는데, 통상적인 CVD 챔버의 경우 평균 자유경로는 10-3 cm수준에 불과하여 특성길이 1 cm의 초소형 반응로일지라도 연속체로 가정할 수 있다. 또 본 해석에서 다루는 유체의 레이놀즈 수는 100 이하이므로 층류로 가정할 수 있고, 유속은 음속보다 작으므로 비압축성으로 가정하여 풀 수 있다. 따라서 본 연구의 지배방정식은 비압축성 정상상태 유동의 Navier-Stokes 방정식을 지배 방정식으로 한다.
  • 본 연구는 반응로 내의 유동장을 연속체로 가정하여 해석한다. 유체의 연속성 여부는 입자의 평균 자유경로 λ와 해석 대상의 특성길이 L의 비인 Knudsen 수 (Kn=λ/L)로 평가할 수 있다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
화학기상 증착이란? 화학기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)이란 기체상태의 원소나 화합물로부터 화학반응과 열분해를 통하여, 모재 표면에 모재와 동종 또는 이종의 고체 상태 박막이나 입자 등을 생성하는 과정으로 정의할 수 있다. CVD 란 용어는 1962년 Blocher와 Oxley1) 에 의해서 최초로 사용되기 시작하였으며, 실제 사용은 이보다 오래 전인 19세기 말엽의 백열전구 산업에서 찾을 수 있다.
Plasma Enhanced CVD는 어떤 방식인가? CVD는 화학 반응 환경에 따라 여러 가지 방식이 존재 하는데, 그 중 Plasma Enhanced CVD(PECVD)방식은 RF 에너지를 기판 표면 근처의 반응영역에 인가하여 반응가스를 플라즈마화 한 상태에서 증착이 이루어지는 방식이다. 반응가스의 플라즈마화를 통하여 공정가스 사이에 필요한 에너지를 낮추어 공정온도를 낮출 수 있는 이점이 있다.
PECVD의 장점은? CVD는 화학 반응 환경에 따라 여러 가지 방식이 존재 하는데, 그 중 Plasma Enhanced CVD(PECVD)방식은 RF 에너지를 기판 표면 근처의 반응영역에 인가하여 반응가스를 플라즈마화 한 상태에서 증착이 이루어지는 방식이다. 반응가스의 플라즈마화를 통하여 공정가스 사이에 필요한 에너지를 낮추어 공정온도를 낮출 수 있는 이점이 있다. 그러나 PECVD에서 층간 절연막을 형성하는 경우, 실리콘 산화막이 증착된 웨이퍼를 800o C 이상 고온으로 열처리하여 좁고 깊은 갭을 기공 없이 충전하게 된다.
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참고문헌 (8)

  1. Bolocher, J.M., and Oxley, J.H., "Chemical vapor deposition opens new horizons in ceramic technology", Am. Ceram. Soc. Bull., Vol.41 pp,81-84. 1962. 

  2. Powell, C.F., Vapor deposition, New York Wiley. 1966 

  3. Hiroshi, K., CVD핸드북,(공역) 이시우, 이전, 반도출판사. 1922 

  4. F.C. Eversteyn, P.J.W. severin, C.H.J.v.d. Brekel, and H.L. Peek, "A Stagnat Layer Model for the Epitaxial Growth of Silicon from Silane in a Horizontal Reactor", Journal of the Electrochemical Society, Vol.117, pp.925-931, 1970 

  5. Chiu, W.K.S., and Jaluria, Y., "Heat and Mass Transfer in Continuous CVD Reactor," Pro. 11th Int. Heat Transfer Conf., Vol. 5, pp.187-192, 1998 

  6. 오성진, 박경우, 김기문, 박희용., "수평 CVD 반응기에서의 3차원 혼합대류 열전달 특성," 대한 기계학회 논문집 B권, 제22권 제5호, pp.672-684,1998 

  7. 조원국, 최도형, 김문언., "원통형 화학증착로에서 균일한 박막 형성을 위한 입구 농도분포 최적화", 대한기계학회 논문집 B권, 제22권 제2호, pp.173-183,1998 

  8. 김진태, "반도체 공정에서의 HDP CVD 챔버 최적형상에 관한 연구", 한국기술교육대학교 석사학위 논문, 2009 

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