최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. B. B, v.35 no.3 = no.306, 2011년, pp.221 - 228
김동현 (홍익대학교 대학원 기계공학과) , 박승호 (홍익대학교 기계시스템디자인공학과) , 홍원의 (홍익대학교 신소재공학과) , 노재상 (홍익대학교 신소재공학과)
The large-area crystallization of amorphous silicon thin films on glass backplanes is one of the key technologies in the manufacture of flat-panel displays. Joule-heating induced crystallization (JIC) is a recently introduced crystallization technology. It is considered a highly promising technique ...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
직접 기판 위에 증착하여 제작한 다결정 실리콘의 단점은 무엇인가? | 이러한 다결정 실리콘은 제작하는 방식은 기본 적으로는 직접 기판 위에 증착하거나 비정질 실리 콘을 증착한 후 다양한 후처리 공정을 거쳐 다결 정으로 변화시키는 방법으로 구분할 수 있다. 이중 직접 증착 방법은 600 °C LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정을 통하여 다결정 실리콘을 유리기판 위에 증착시키는 방법으로, 결정립 크기 (Grain Size)가 약 50 nm 로 작고, 미세 쌍정 (Microtwin) 등의 결함이 많고, 표면이 거칠고 공정시간이 비교적 긴 단점이 있다.(1) 반면, 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 변화시키는 방법은 엑시머 레이저 결정화 (ELC), Metal Induced Crystallization (MIC), Solid Phase Crystallization (SPC), Joule-heating Induced Crystallization (JIC) 등 다양한 방법이 개발되었거나 개발중인 상태에 있다. | |
줄 가열 유도 결정화의 장점은 무엇인가? | 대면적 비정질 실리콘 박막의 결정화는 평판 디스플레이 생산에 있어서 핵심 요소로 꼽힌다. 현재 다양한 결정화 기술들이 연구 되고 있으며 그 중 최근에 소개된 줄 가열 유도 결정화는 수십 마이크로초의 짧은 공정 시간, 대면적 결정화 그리고 국부적인 가열로 기판의 열변형 억제 등의 잇점으로 인해 AMOLED 제작에 있어서 기대되는 기술이다. 본 연구에서는 JIC 공정 중 상변화과정에서의 온도를 이론적으로 해석하고 이를 실험과 비교하였다. | |
다결정 실리콘의 장점은 무엇인가? | 그러나 단결정 실리콘의 대면적화는 매우 어려워 현실 적으로 불가능 하기에, 이에 대한 대안으로 다결정 실리콘이 사용되고 있다. 다결정 실리콘 역시 비정질 실리콘에 비하여 우수한 열적, 전기적 특성을 가지며 대면적 생산이 가능한 장점이 있다. |
Peng, D. Z., Zan, H. W., Shin, P. S., Chang, T. C., Lin,
Im, J. S., Kim, H. J. and Thompson, M. O., 1993, Phase Transformation Mechanisms Involved in Excimer Laser Crystallization of Amorphous Silicon Films, Appl. Phys. Lett. Vol. 63, pp. 2969-2971.
Voutsas, A. T. and Hatalis, M. K., 1992, Structure of As-Deposited LPCVD Silicon Films at Low Deposition Temperature and Pressures, J. Electrochem. Soc. Vol. 139, No. 9, pp. 2659-2665.
Yoon, S. Y., Park, S. J., Kim, K. H. and Jang, J., 2001, Metal-Induced Crystallization of Amorphous Silicon, Thin Solid Films, Vol. 383, pp. 34-38.
Lee, S. W. and Joo, S. K., 1996, Low Temperature Poly-Si Thin-Film Transistor Fabrication by Metal- Induced Lateral Crystallization, IEEE Electron Dev. Lett., Vol. 17, No. 4, pp. 160-162.
Hong, W. E. and Ro, J. S., 2007, Millisecond Crystallization of Amorphous Silicon Films by Joule-Heating Induced Crystallization Using a Conductive Layer, Thin Solid Films, Vol. 515, pp. 5357-5361.
Hong, W. E., Chung, J. K., Kim, D. H., Park, S. H. and Ro, J. S., 2010, Supergrains Produced by Lateral Growth Using Joule-Heating Induced Crystallization without Artificial Control, Appl. Phys. Lett, Vol. 96, 052105-052107.
Spinella, C., Lombardo, S. and Priolo, F., 1998, Crystal Grain Nucleation in Amorphous Silicon, J. App. Phys., Vol. 84, No. 10, pp.5383-5414.
Smith, M., McMahon, R., Voelskow, M., Panknin, D. and Skorupa, W., 2005, Modeling of Flash Lamp Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films on Glass, J. Crys. Growth. Vol. 285, pp. 249-260.
Hatano, M., Moon, S., Lee, M., Suzuki, K. and
Cagran, C., Wilthan, B. and Pottlacher, G., 2003, Symposium on Thermophysical Propoperties in Boulder, CO, USA.
The REMBAR Company. Inc, http://www.rembar.com/default.htm Dobbs Ferry.
Rizzoni, G., 2005, Principles and Applications of Electrical Engineering 5th, McGraw-Hill. Inc.
Samsung Corning Precision Glass Inc, www.samsungscp. co.kr.
Miyasaka, M. and Stoemenos, J., 1999, Excimer Laser Annealing of Amorphous and Solid-Phase- Crystallized Silicon Films, J. Appl. Phys., Vol. 86, No. 10, pp. 5556-5565.
Ishihara, R., Wilt, P. C., Dijk, B. D., Burtsev, A.,
Kuo, C. C., Yeh, W. C., Lee, J. F. and Jeng, J. Y.,
Bonse, J., Brzezinka, K. -W. and Meixner, A. J.,
Yan, J., Asami, T. and Kuriyagawa, T., 2008,
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.