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NTIS 바로가기한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.48 no.1, 2011년, pp.106 - 109
한상훈 (조선대학교 신소재공학과) , 노효섭 (가우스텍 주식회사) , 나동명 (가우스텍 주식회사) , 김광호 (가우스텍 주식회사) , 이운영 (조선대학교 공학기술연구원) , 박진성 (조선대학교 신소재공학과)
In order to fabricate 8YSZ thick film by silk screen printing, YSZ(yttria-stabilized zirconia) commercial powder was used as starting materials. Paste for screen printing was made by mixing 8YSZ powder and organic vehicles. 8YSZ thick film was formed on
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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순수한 ZrO2은 온도에 따라 결정구조가 변하기 때문에 발생하는 문제는? | 순수한 ZrO2는 상온에서 단사정계(monoclinic) 결정구조를 가지고, 1170oC 이상에서는 정방정계(tetragonal) 결정 구조, 그리고 2370oC 이상에서는 입방정계(cubic)로 결정 구조가 바뀐다.1) 이러한 결정 구조 변화로 부피도 변하여 기계적 특성을 저하시키는 문제가 있어서, 기타 금속이나, 희토류 산화물을 ZrO2에 첨가하여 안정한 입방정계 구조를 상온에서까지도 유지 시키고 있고, 이렇게 제조한 ZrO2를 안정화 지르코니아라고 한다. | |
Al2O3와 같은 기판 위에 ZrO2 막을 성장 증착 시키는 경우 필수적인 요인은? | 기판재료로서 ZrO2는 내마모성과 같은 인성특성은 우수하나, 고온열처리 후 가공성 등에서 애로점이 있어서 사용에 제약이 있다. Al2O3와 같은 기판 위에 ZrO2 막을 성장 증착 시키는 경우는 ZrO2 막 자체의 치밀화, 크랙발생 억제, 기판과의 강한 접착성 등이 필수적이다. 이러한 요구와 다양한 전자재료로서 활용성을 높이기 위해 알루미나 기판위에 YSZ 막을 올리는 연구가 다양하게 진행되고 있고, 열팽창 계수 차이를 개선하기 위한 중간층 연구도 병행되고 있다. | |
순수한 ZrO2가 온도에 따라 어떤 결정구조를 가지는가? | 순수한 ZrO2는 상온에서 단사정계(monoclinic) 결정구조를 가지고, 1170oC 이상에서는 정방정계(tetragonal) 결정 구조, 그리고 2370oC 이상에서는 입방정계(cubic)로 결정 구조가 바뀐다.1) 이러한 결정 구조 변화로 부피도 변하여 기계적 특성을 저하시키는 문제가 있어서, 기타 금속이나, 희토류 산화물을 ZrO2에 첨가하여 안정한 입방정계 구조를 상온에서까지도 유지 시키고 있고, 이렇게 제조한 ZrO2를 안정화 지르코니아라고 한다. |
F.F. Lange, "Transformation Toughening Part 1. Size Effects Associated with the Thermodynamics of Constrained Transformations," J. Mater. Sci., [17] 225-34 (1982).
S.D Souza, S.J Visco, and L.C.D Jonghe, "Thin-film Solid Oxide Fuel Cell with High Performance at Low-temperature," Solid State Ionics, 98 57-61 (1997).
T. Duangmanee and S. Wannakitti, "Electrical Property of Thick Film Electrolyte for Solid Oxide Fuel Cell," J. Metals, Materials and Minerals, 18 [2] 7-11 (2008).
E. Irers-Tiffee Tiffee, A. Weber, and D. Herbstritt, "Materials and Technologies for SOFC-Components," J. ECS 21, 1802-11 (2001).
F. Kundracik, M. Hartmanova, J. Mullerova, M. Jergel, I. Kostic, and R. Tucoulou, "Ohmic Resistance of Thin Yttria Stabilized Zirconia Film and Electrode-electrolyte Contact Area," Materials Science and Engineering, 84 167-75 (2001).
S. Yu, Q. Wu, M. Tabib-Azar, and C.C Liu, "Development of a Silicon-based Yttria-stabilized-zirconia(YSZ), Amperometric Oxygen Sensor," Sensors and Actuators B, 85 212-18 (2002).
A. Rothschild, S.J. Litzelman, H.L. Tuller, W. Menesklou, T. Schneider, and E. Irers-Tiffee, "Temperature-independent Resistive Oxygen Sensors Based on $SrTi_{1-x}Fe_xO_3-{\delta}$ Solid Solutions," Sensors and Actuators B, 108 223-30 (2005).
V.V. Plashnitsa, T. Ueda, P. Elumalai, and N. Miura, " $NO_2$ Sensing Performances of Planar Sensor Using Stabilized Zirconia and Thin-NiO Sensing Electrode," Sensors and Actuator B, 130 231-39 (2008).
F. Mauvy, P. Lenormand, C. Lalanne, F. Ansart, J.M. Bassat, and J.C. Grenier, "Electrochemical Characterization of YSZ Thick Films Deposited by Dip-coating Process," J. Power Sources, 171 783-88 (2007).
O.H. Kwon and G.M. Choi, "Electrical Conductivity of Thick Film YSZ," Solid State Ionic, 177 3057-62 (2006).
S. Heiroth, Th. Lippert, A. Wokaun, and M. Dobeli, "Microstructure and Electrical Conductivity of YSZ Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition," Applied Physics A, 93 639-43 (2008).
H.B. Wang, C.R. Xia, G.Y. Meng, and D.K. Peng, "Deposition and Characterization of YSZ Thin Film by Aerosolassisted CVD," Materials Letters, 44 23-8 (2000).
M. Ghatee, M.H. Sharit, and J.T.S. Irvine, "Investigation of Electrical and Mechanical Properties of 3YSZ/8YSZ Composite Electrolytes," Solid State Ionics, 180 57-62 (2009).
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