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[국내논문] SSD 성능 향상을 위한 DRAM 버퍼 데이터 처리 기법
DRAM Buffer Data Management Techniques to Enhance SSD Performance 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.48 no.7 = no.409, 2011년, pp.57 - 64  

임광석 (성균관대학교 정보통신공학부) ,  한태희 (성균관대학교 정보통신공학부)

초록
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SSD(Solid State Disk)는 호스트 인터페이스와 낸드 플래시 메모리대역폭 차이를 완충하기 위한 버퍼로 DRAM을 적용하고 있다. 본 논문에서는 대역폭이 높은 고가의 DRAM을 사용하는 대신 저비용으로 SSD의 성능을 향상시킬 수 있는 효과적인 방법을 제안하였다. SSD 데이터는 사용자 데이터, 사용자 데이터 관리를 위한 메타데이터, 데이터의 오류 제어를 위한 FEC(Forward Error Correction) 패리티/CRC(Cyclic Redundancy Check) 등 크게 세 가지로 구분할 수 있다. 본 논문에서는 데이터 유형 별 특성을 고려하여 성능을 향상시키기 위해 모니터링 시스템을 통한 가변적인 버스트 데이터 처리 방법과 페이지 단위를 이용한 FEC 패리티/CRC 방식을 적용하였다. 실험을 통하여 0.07%의 무시할만한 칩 면적의 증가만으로 평균 25.9%의 SSD 성능 개선을 확인할 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

To adjust the difference of bandwidth between host interface and NAND flash memory, DRAM is adopted as the buffer management in SSD (Solid-state Disk). In this paper, we propose cost-effective techniques to enhance SSD performance instead of using expensive high bandwidth DRAM. The SSD data can be c...

Keyword

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문은 SSD의 DRAM 인터페이스 구조를 통해서 전송 데이터의 효율적인 접근 방법을 제시하고 최종적으로 전체 시스템의 성능향상을 위한 데이터 처리 기법을 제안한다. 논문은 다음과 같이 구성된다.
  • 본 논문에서는 SSD의 성능향상을 위하여 DRAM에서 병목 현상이 발생할 때의 지연시간을 최대한 줄이기 위한 방법으로 모니터링 기법을 통한 가변적인 DRAM 데이터 버스트 처리방법과, FEC 패리티/CRC 데이터를 매 섹터가 아닌 낸드 플래시의 페이지 단위로 한꺼번에 DRAM과 접근할 수 있는 방법을 제안한다.
  • 본 논문은 SSD의 DRAM 인터페이스 구조를 통해서 전송 데이터의 효율적인 접근 방법을 제시하고 최종적으로 전체 시스템의 성능향상을 위한 데이터 처리 기법을 제안하였다. 사용자와 메타 데이터의 전송시간이 지연되어 대기 시간이 증가하는 경우에 가변적인 버스트 크기를 이용하여 DRAM에 접근하는 대기 시간을 줄임으로써 성능을 향상시킬 수 있었고, FEC 패리티/CRC 데이터를 위해서는 낸드 메모리의 특성을 이용하여 기존의 매 섹터마다 전송이 아닌 페이지 단위로 전송하여 DRAM 인터페이스에서 발생하는 지연시간을 줄일 수 있었다.

가설 설정

  • 호스트는 SATAⅢ(대역폭은 600MByte/s)가 적용되었고 DRAM 인터페이스를 위해 순차데이터를 32비트의 병렬데이터로 가정하였다. 호스트 주파수를 150MHz로 하여 150MHz × 4Byte = 600MByte/s 로 대역폭을 맞추었고, 호스트 버퍼 컨트롤러에서 지연이 발생하는 경우에는 데이터가 전송되지 않도록 제어하였다.
  • 사용자 데이터의 성능을 측정하기 위하여 실험에서는 128바이트 버스트의 이중 버퍼인 256바이트 FIFO 크기에서 낸드 플래시 16채널을 사용하였을 때를 가정하였다. 위 실험에서는 16채널 모두 한 페이지(8섹터)를 낸드에 쓰기와 읽기 전송 후의 평균시간을 비교하였다.
  • 그림 10은 버스트 크기 최적화와 페이지 단위의 FEC 패리티/CRC 동작을 동시에 적용시킨 경우이다. 메타데이터는 평균적으로 DRAM을 한번 읽고 한번 쓰는 것으로 가정하였고, 16채널 모두 한 페이지를 낸드에 쓰기와 읽기 수행 후 평균시간을 측정하였다. 적용 전에는 16번 채널, 적용 후에는 2번 채널에서 수행시간이 오래 소요되었고, 이 두 채널을 비교해 본 결과 50.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
SSD에 DRAM을 적용하는 이유는 무엇인가? SSD는 호스트와 낸드 플래시 메모리 인터페이스의 대역폭 차이를 완충하기 위한 버퍼로 DRAM을 적용하고 있다. 고속 호스트 인터페이스 규격은 SATAⅠ1.
SSD의 데이터 중 메타데이터는 어디에 사용되는가? 첫째 사용자 데이터는 저장 용량의 대부분을 차지하는 파일의 내용물 자체로 호스트 명령에 실린 시작주소와 섹터 크기 정보를 통해 전달된다. 둘째 메타데이터는 낸드 메모리의 Bad Block 처리와 호스트의 논리적 주소를 물리적 주소로 연결해주는 매핑(mapping) 테이블 관리에 사용된다.[4] 다중 채널의 메타데이터 처리 향상을 위해서는 멀티 CPU를 필요로 하는데[5], 그 예로 최근 출시된 삼성전자의 SSD인 S470 시리즈에는 세 개의 CPU가 탑재되어 있다.
HDD와 비교할 때, SSD가 갖는 장점은 무엇인가? 낸드 플래시 메모리를 기반으로 하는 SSD는 기존의 HDD에 비해 훨씬 더 높은 대역폭을 갖고 있고, 랜덤 입출력 데이터에 대해서도 우수한 성능을 보이고 있다. 또한 고속 회전하는 디스크를 헤드로 읽고 쓰는 기계적 방식의 HDD에 비해 내구성, 신뢰성이 뛰어나고, 전력 소모 측면에서도 많은 장점이 있으며 작은 폼 팩터(Form Factor)와 유연성 있는 설계를 통해서 더욱 혁신적인 제품 개발이 가능 하다.[1] 최근 SSD는 이런 이유로 모바일 향 제품에서 점차적으로 기업 형 서버제품으로 확대 적용되고 있는 추세이며 이러한 SSD의 확산에 따라 비용 효율적 성능 향상이 매우 중요한 이슈로 부각되고 있다.
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참고문헌 (10)

  1. N Agrawal, V Prabhakaran, "Design tradeoffs for SSD performance", USENIX 2008. 

  2. SW Lee, "A case for flash memory ssd in enterprise database applications", ACM SIGMOD 2008. 

  3. Chung-Li Yu, Ho-Ming Leung, "ECC/CRC error detection and correction system" US Patent, no. 5,027,357 1991. 

  4. C Park, "A reconfigurable FTL(flash translation layer) architecture for NAND flash-based applications" ACM TECS 2008. 

  5. SW Lee, "A case for flash memory ssd in enterprise database applications" ACM SIGMOD 2008. 

  6. http://www.samsung.com/sec/consumer/it/harddiskdrives/ssd/MZ-5PA256/KR/index.idx?pagetypeprd_detail&returnurl 

  7. James J, Allen W, "Hard Disk Controller: the Disk Drive's Brain and Body", Computer Design 2001 262-267 

  8. http://h20000.www2.hp.com/bc/docs/support/SupportManual/c01580706/c01580706.pdf 

  9. Flash memory K9GBGD8U0A http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/products/flash/Products_Toggle_DDR_NANDFlash.html 

  10. DDR2 SDRAM K4T1G044QF data sheet http://www.samsung.com/global/system/business/semiconductor/product/2010/10/5/537329ds_k4t1gxx4qf_rev111.pdf 

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