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초임계 이산화탄소를 이용한 고농도이온주입 포토레지스트의 효율적인 제거
Efficient Stripping of High-dose Ion-implanted Photoresist in Supercritical Carbon Dioxide 원문보기

청정기술 = Clean technology, v.17 no.4 = no.55, 2011년, pp.300 - 305  

김도훈 (부경대학교 이미지시스템 공학과) ,  임의상 (부경대학교 이미지시스템 공학과) ,  임권택 (부경대학교 이미지시스템 공학과)

초록
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고농도 이온 주입되어 경화된 포토레지스트(HDI PR)를 효과적으로 제거하기 위해 초임계 이산화탄소와 여러 가지 공용매를 사용하였다. 공용매에 의한 용해 방식으로는 경화된 PR층이 완벽하게 제거되지 않기 때문에 고압셀에 초음파 발생 팁을 부착하여 웨이퍼 표면에 물리적인 힘을 제공함으로서 제거 성능을 높이고 제거시간을 단축할 수 있었다. 또한, HDI PR 제거 반응 후에 초임계 이산화탄소와 서로 섞이지 않는 헬륨 가스를 셀 내부에 주입하여 내용물을 배출함으로서, PR 제거 반응 잔여물을 빠른 시간에 제거할 수 있었다. 공용매의 종류 및 농도, 반응 온도, 압력 변화에 따른 HDI PR 제거 특성을 조사하였으며, 웨이퍼 표면의 반응 전 후의 상태 및 성분을 scanning electron microscopy과 energy dispersive X-ray spectrometer를 이용하여 분석하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

A mixture of supercritical carbon dioxide and a co-solvent was employed to strip a high-dose ion-implanted photoresist (HDIPR) from the surface of semiconductor wafers. The stripping efficiency was highly improved by the physical force generated from a ultrasonication tip inside the reactor. In addi...

주제어

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문제 정의

  • 먼저 HDI PR에 효과적인 용매를 알아보기 위하여 여러 가지 공용매에 따른 제거효과를 진행해 보았다. 공용매로 상술한 바와 같이 22종의 특성이 상이한 극성 및 비극성용매를 선택하여 사용하였다.
  • 본 연구에서는 여러 가지 공용매의 포토레지스트 제거 특성을 조사하고, 효과적인 공용매 시스템을 적용하여 HDI PR의 제거효율을 비교분석하였고, 헬륨 차단막을 사용함으로써 제거 공정 후의 미세 포토레지스트 잔류물의 문제점을 방지할 수 있는 공정조건을 확립하여 보았다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
감광성 포토레지스트 층이 다량의 이온주입을 거치게 될 경우, 일반적인 습식 용해 방식으로는 제거가 어렵게 되는 이유는? 특히 초임계 이산화탄소는 높은 확산성과 침투력을 가지기 때문에 다량의 이온 주입공정(1015 ions/ cm2 이상의 고농도이온 주입공정) 후 경화된 포토레지스트의 제거에 있어 장점을 가진다. 일반적으로 감광성 포토레지스트 층이 다량의 이온주입을 거치게 될 경우 탄화수소와 산소로 구성된 성분이 탄화되어 높은 가교 결합된 크러스트 막질이 형성되고, 이로 인하여 일반적인 습식 용해 방식으로는 제거가 어렵게 된다. 그것은 형성된 크러스트층이 비다 공성 구조를 취하고 있기 때문에 포토레지스트 박리를 위한 stripper의 침투가 어렵게 되며 이로 인하여 포토레지스트 제거효율이 극히 감소되며 다량의 포토레지스트 잔사를 남기게 된다[13].
초임계 이산화탄소와 공용매를 이용한 HDI PR 제거 후에 헬륨가스를 차단막으로 사용하게 되면 짧은 시간에 잔류물이 없는 깨끗한 웨이퍼를 얻을 수 있음을 알게하는 실험결과는? Figure 7은 제거 이전 HDI PR웨이퍼와 초임계 이산화탄소에서 제거한 다음 헬륨 치환하여 얻은 웨이퍼의 표면 성분을 분석하여 EDS 결과를 나타낸 것이다. 제거하기 전에는 C 성분이 80.85%, O 성분 7.63%, Si 성분이 약 11.52%로 나타났다. 즉, 포토레지스트의 유기물 성분이 있음을 알 수 있다. 그러나 제거한 후에는 C와 O 성분이 없고, Si 성분만 나타남으로써 HDI PR이 완전히 제거된 것을 확인할 수 있다. 따라서, 초임계 이산화탄소와 공용매를 이용한 HDI PR 제거 후에 헬륨가스를 차단막으로 사용하게 되면 짧은 시간에 잔류물이 없는 깨끗한 웨이퍼를 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
초임계 이산화탄소가 다량의 이온 주입공정(1015 ions/ cm2 이상의 고농도이온 주입공정) 후 경화된 포토레지스트의 제거에 장점을 가지는 이유는? 그동안 CO2에 사용할 수 있는 계면활성제와 CO2에 녹는 고분자의 발견에 의하여 CO2를 미세전자 소자의 건조와 현상, 스핀코팅, 침적, 제거 등의 리소그래피공정의 세정 용매로서 연구할 수 있게 되었다[12]. 특히 초임계 이산화탄소는 높은 확산성과 침투력을 가지기 때문에 다량의 이온 주입공정(1015 ions/ cm2 이상의 고농도이온 주입공정) 후 경화된 포토레지스트의 제거에 있어 장점을 가진다. 일반적으로 감광성 포토레지스트 층이 다량의 이온주입을 거치게 될 경우 탄화수소와 산소로 구성된 성분이 탄화되어 높은 가교 결합된 크러스트 막질이 형성되고, 이로 인하여 일반적인 습식 용해 방식으로는 제거가 어렵게 된다.
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참고문헌 (20)

  1. O'Shea, K., Kirmse, K., Fox, M. A., and Johnston, K. P., "Polar and Hydrogen-bonding Interactions in Supercritical Fluids. Effects on the Tautomeric Equilibrium of 4-(phenylazo)-1-naphthol," J. Phys. Chem., 95, 7863-7867 (1991). 

  2. Campbell, M. L., Apodaca, D. L., Yates, M. Z., Mccleskey, T. M., and Birnbaum, E. R., "Metal Extractionfrom Heterogeneous Surfaces Using Carbon Dioxide Microemulsions," Langmuir, 17, 5458-5463 (2001). 

  3. Carbonell, R. G., DeSimone, J. M., and Novick, B. J., "Method for Meniscus Coating with Liquid Carbon Dioxide," U. S. Patent 6,083,565 (2000). 

  4. Cooper, A. I., Wood, J. D., and Holmes, A. B., "Synthesis of Well-defined Macroporous Polymer Monoliths by Sol-gel Polymerization in Supercritical ${CO_{2}}$ ," Ind. Eng. Chem. Res. 39, 4741-4744 (2000). 

  5. Hwang, H. S., Yuvaraj, H., Kim, W. S., Lee, W. K., GAL, Y. S., and Lim, K. T., "Dispersion Polymerization of MMA in Supercritical ${CO_{2}}$ Stabilized by Random Copolymers of 1H,1H-.Perfluorooctyl Methacrylate and 2-(Dimethylaminoethyl Methacrylate)," J. Polym. Sci. : Part A: Polym. Chem., 46, 1365-1375 (2007). 

  6. Ganapathy, H. S., Park, S. Y., Lee, W. K., Park, J. M., and Lim, K. T., "Polymeric Nanoparticles from Macroscopic Crystalline Monomers by Facile Solid-state Polymerization in Supercritical ${CO_{2}}$ ," J. of Supercritical Fluids, 51, 264-269 (2009). 

  7. Shah, P. S., Holmes, J. D., Doty, R. C., Johnston, K. P., and Korgel, B. A., Am, J., "Steric Stabilization of Nanocrystals in Supercritical ${CO_{2}}$ Using Fluorinated Ligands," Chem. Soc, 122, 4245-4246 (2000). 

  8. Shah, P. S., Husain, S., Johnston, K. P., and Korgel, B. A., "Nanocrystal Arrested Precipitation in Supercritical Carbon Dioxide," J. Phys. Chem, B, 105, 9433-9440 (2001). 

  9. Motiei, M., Hacohen, Y. R., Calderon-Moreno, J., and Gedanken, A., "Preparing Carbon Nanotubes and Nested Fullerenes from Supercritical ${CO_{2}}$ by a Chemical Reaction," J. Am. Chem. Soc., 123, 8624-8625 (2001). 

  10. Sun, Y. P., Atorngitjawat, P., and Meziani, M. J., "Preparation of Silver Nanoparticles via Rapid Expansion of Water in Carbon Dioxide Microemulsion into Reductant Solution," Langmuir, 17, 5707-5710 (2001). 

  11. DeSimone, J. M., Romack, T. J., Betts, D. E., and MaClain, J. B., "Cleaning Process Using Carbon Dioxide as a Solvent and Employing Molecularly Engineered Surfactants," U. S. Patent 5,866,005 (1999). 

  12. Jones, C. A., Zweber, A., DeYoung, J. P., McClain, J. B., Carbonell, R., and DeSimone, J. M. "Applications of "Dry" Processing in the Microelectronics Industry Using Carbon Dioxide," Crit. Rev. Solid. State, 29, 97-109 (2004). 

  13. Hong, H. P. Kim, T. H., and Hong, H. P., "Photoresist Stripper Composition and Exfoliation Method of a Photoresist Using It," K. R. Patent No. 2006-0121992 (2006). 

  14. Souvik, B., Ramesh, B., Raghavan, S., and Cross, P., "Nonplasma Method of Removing Photoresist from a Substrate," U. S. Patent No. 2005-255695 (2005). 

  15. Souvik, B., Ramesh, B., Masanobu, S., and Sadao, H., "Removal of High Dose Implanted Photoresist Using Non-damaging ${CO_{2}}$ Cryoaerosol Method," Semicon Japan 2005, Dec. 7, Chiba, Japan, 2005. 

  16. Nagal, N., Imai, T., Tereda, K., Seki, H., Okumura, H., Fujino, H., Yamamoto, T., Nishuyama, I., and Hatta, A., "Stripping of Ion-implanted Photoresist Using Cosolvent Modified Supercretical Carbon Dioxide," Surf. Interface Anal., 34, 545-551 (2002). 

  17. Saga, K., Kuniyasu, H., Hattori, T., Korzenski, M. B., Visintin, P. M., and Baum, T. H., "Ion Implanted Photoresist Stripping using Supercritical Carbon Dioxide," Abs. 787, 208th Meeting of the Electrochemical Society, Oct. 16, Los Angeles, CA, (2005). 

  18. Kim, S. H., Kim, J. H., and Lim, K. T., "Stripping of High Dose Ion Implanted Photoresist Using Cosolvent and Addtives in Supercretical Carbon Dioxide," Korean J. Imag. Sci. Tech., 13, 285-291 (2007). 

  19. Kim, S. H., Yuvaraj, H., Jeong, Y. T., Park, C., Kim, S. W., and Lim, K. T., "The Effect of Ultrasonic Agitation on The Stripping of Photoresist Using Supercritical ${CO_{2}}$ and Co-solvent Formulation," Microelectron. Eng., 86, 171-175 (2009). 

  20. Kim, S. H., and Lim, K. T., "Stripping of High-Dose Ion-Implanted Photoresist Using Co-solvent and Ultra-sonication in Supercritical Carbon Dioxide," Clean Techno., 15(2), 69-74 (2009). 

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