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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.10 no.4, 2011년, pp.131 - 138
전경남 (KEC(주)) , 김근주 (전북대학교 기계공학과)
We fabricated distributed feedback InGaAsP/InP laser diodes for optical fiber communication module and characterized the lasing properties in continuous wave operation. The active layer of 7-period InGaAsP(1.127 eV)/InGaAsP(0.954 eV) multi-quantum well structure was grown by the metal-organic chemic...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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광통신 시스템의 광원으로 사용되는 반도체 레이저 다이오드로는 어떤 것이 있는가? | 또한 분광선 폭(spectral linewidth) 특성으로 발진 모드(lasing mode)와 결합하는 자발 발광(spontaneous emission)의 무작위 위상(random phase)으로 인한 유한 크기의 분광선 폭을 갖기 때문에, 이로 인한 위상 잡음(phase noise)을 제한함으로써 단일모드(single mode) 반도체 레이저를 구현하여야 한다. 광통신 시스템의 광원으로 사용되는 반도체 레이저 다이오드(LD:laser diode)로는 분포귀환형(DFB: distributed feedback) 을 포함하여[2,3], 잡음이 심하고 구조가 간단하지만 응답속도가 느려서 초기 광통신 소자로만 사용되던 Fabry-Perot 형[4,5], 파장가변의 분포 브래그 반사형(DBR:distributed Bragg reflection)[6], 주입 잠금형(injection locking)[7], 그리고 결합 공동형(coupled cavity) LD [8] 등이 연구되었으며, 특히 이중에서 DFB LD는 분광 순수성이 우수하여 광통신용 광원으로 많이 사용되고 있다. | |
최근에 광통신이 초고속화됨에 따라 저 손실 광 케이블의 파장영역의 반도체 레이저 (semiconductor laser)의 조건은? | 1~1.55µm)의 반도체 레이저 (semiconductor laser)의 조건으로는 먼저 분산성(dispersion)이 적은 분광 순수 특성(spectral purity)으로서 횡 평면상(transverse plane)으로 단일모드와 단일 종 모드(SLM: single longitudinal mode)를 가져야 한다[1]. 또한 분광선 폭(spectral linewidth) 특성으로 발진 모드(lasing mode)와 결합하는 자발 발광(spontaneous emission)의 무작위 위상(random phase)으로 인한 유한 크기의 분광선 폭을 갖기 때문에, 이로 인한 위상 잡음(phase noise)을 제한함으로써 단일모드(single mode) 반도체 레이저를 구현하여야 한다. 광통신 시스템의 광원으로 사용되는 반도체 레이저 다이오드(LD:laser diode)로는 분포귀환형(DFB: distributed feedback) 을 포함하여[2,3], 잡음이 심하고 구조가 간단하지만 응답속도가 느려서 초기 광통신 소자로만 사용되던 Fabry-Perot 형[4,5], 파장가변의 분포 브래그 반사형(DBR:distributed Bragg reflection)[6], 주입 잠금형(injection locking)[7], 그리고 결합 공동형(coupled cavity) LD [8] 등이 연구되었으며, 특히 이중에서 DFB LD는 분광 순수성이 우수하여 광통신용 광원으로 많이 사용되고 있다. | |
DFB LD의 회절격자 구조의 장점은? | DFB LD는 Bragg 회절격자가 형성된 부위에 전류를 주입하여 이득을 갖는 레이저로서 활성층 바로 위층 부위에 회절격자를 형성한다 [9-13]. 이러한 회절격자 구조는 활성층 영역에서 광을 분산시키고, 레이저 공진기내에서 광 귀환(optical feed-back)을 시킴으로써 파장의 안정성과 고출력, 그리고, 짧은 선 폭 및 빠른 응답특성을 확보할 수 있다. 이러한 DFB LD는 단일 주파수의 광을 출력시키는 거의 완벽한 결 맞음(coherent) 광원이지만, 모드의 잡음이 생기기 쉽고, 광학적 안정성을 확보하기 위해서는 열역학적 안정성이 필요하다[14-16]. |
H. Ghafouri-Shiraz and B. S. K. Lo, "Distributed Feedback Laser Diodes-Principles and Physical Modelling," (John Wiley & Sons, New York, 1996), pp. 8-32.
H. Kogelnik and C. V. Shank, "Stimulated Emission in a Periodic Structure," Appl. Phys. Lett. Vol. 18, No. 4 pp. 152-154, 1971.
H. Kogelnik and C. V. Shank, "Coupled-Wave Theory of Distributed Feedback Lasers," J. Appl. Phys. Vol. 43, No. 5, pp. 2327-2336, (1972).
M. Schell, D. Huhse, W. Utz, J. Kaessner, D. Bimberg, and I. S. Tarasov, "Jitter and Dynamics of Selfseeded Fabry-Perot laser diodes," IEEE J. Selet. Topics in Quantum Electron. Vol. 1, No. 2, pp. 528-534, 1995.
H. Kim, "Pulsed-incoherent-light-injected Fabry-Perot Laser Diode for WDM Passive Optical Networks," Opt. Express, Vol. 18, No. 2, pp. 1714-1721, 2010.
A. J. Steckl, P. Chen, X. Cao, H. E. Jackson, M. Kumar, and J. T. Boyd, "GaAs Quantum Well Distributed Bragg Reflection Laser with AlGaAs/GaAs Superlattice Gratings Fabricated by Focused Ion Beam Mixing," Appl. Phys. Lett. Vol. 67 No. 2, pp. 179-181, 1995.
L. Goldberg, H. F. Taylor, J. F. Weller, and D. M. Bloom, "Microwave Signal Generation with Injection- Locked Laser Diodes," Electron. Lett. Vol. 19, No. 13, pp. 491-493, 1983.
R. J. Lang and A. Yariv, "Coupling Coefficients for Coupled-Cavity Lasers," IEEE J. Quantum Electron. Vol. QE-23, No. 3, p. 287, 1987.
M. Razeghi, M. Defour, R. Blondeau, F. Omnes, P. Maurel, O. Acher, F. Briliouet, J. C. C-Fan, and J. Salerno, "First CW Operation of a $Ga_{0.25}In_{0.75}As_{0.5}P_{0.5}$ -InP Laser on a Silicon Substrate," Appl. Phys. Lett. Vol. 53, No. 24, pp. 2389-2390, 1988.
H. Wada and T. Kamijoh, "Room-temperature CW Operation of InGaAsP Lasers on Si Fabricated by Wafer Bonding," IEEE J. Quantum Electron. Vol. 8, No. 2, pp. 173-175, 1996.
T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, and S. Arai, "Continuous Wave Operation of Optically Pumped Membrane DFB laser," Electron. Lett. Vol. 37, pp. 1455-1457, 2001.
T. Okamoto N. Nunoya, Y. Onodera, T. Yamazaki, S. Tamura, and S. Arai, "Optically Pumped Membrane BH-DFB Lasers for Low-threshold and Single-mode Operation," IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron. Vol. 9, No. 5, pp. 1361-1366, 2003.
T. Okamoto T. Yamazaki, S. Sakamoto, S. Tamura, and S. Arai, "Low-threshold Membrane BH-DFB Laser Arrays with Precisely Controlled Wavelength over a wide range," IEEE Photon. Technol. Lett. Vol. 16, No. 5, pp. 1242-1244, 2004.
S. Sakamoto, T. Okamoto, T. Yamazaki, S. Tamura, and S. Arai, "Multiple-wavelength Membrane BHDFB Laser Arrays," IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron. Vol. 11, pp. 1174-1179, 2005.
T. Maruyama, T. Okumura, S. Sakamoto, K. Miura, Y. Nishimoto, and S. Arai, "Direct Bonding of GaIn-AsP/InP Membrane Structure on SOI wafer," Presented at the 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference, Princeton, USA, 7-11, May 2006.
H. Park, A. W. Fang, S. Kodama, and J. E. Bowers, "Hybrid Silicon Evanescent Laser Fabricated with a Silicon Waveguide and III-V Offset Quantum Wells," Opt. Express Vol. 13, No. 23, pp. 9460-9464, 2005.
Q. Zhao, J. Q. Pan, F. Zhou, B. J. Wang, L. F. Wang, and W. Wang, "Monolithic Integration of an InGaAsPInP Strained DFB Laser and an Electroabsorption Modulator by Ultra-low-pressure Selective-areagrowth MOCVD", Semicon. Sci. Technol. Vol. 20, No. 6, pp. 544-547, 2005.
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