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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.5, 2011년, pp.404 - 409
신재호 (전남대학교 신화학소재공학과) , 백승철 (전남대학교 신화학소재공학과) , 김병철 (경남과학기술대학교 전자공학과) , 이현용 (전남대학교 응용화학공학부)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반도체 기술은 어떤 조건을 만족해야하는가? | 오늘날 급격한 멀티미디어 정보화 사회의 발달로 각종 휴대용 전자기기에 필요한 반도체 기술은 높은 저장 밀도, 빠른 속도, 비휘발성, 낮은 생산가격, 낮은 전력소모 등 다양한 조건을 만족해야 한다. 기존에 사용된 반도체는 크기를 작게 하는 고전적인 방법으로 칩 내의 집적도를 높여왔지만 거의 한계에 다다르게 되었고, 새로운 형태의 메모리 기술이 요구되고 있다 [1]. | |
PRAM의 장점은 무엇인가? | 기존에 사용된 반도체는 크기를 작게 하는 고전적인 방법으로 칩 내의 집적도를 높여왔지만 거의 한계에 다다르게 되었고, 새로운 형태의 메모리 기술이 요구되고 있다 [1]. 차세대 비휘발성 메모리로 주목받는 PRAM(phase change random access memory)은 비정질과 결정질 사이의 저항차이를 이용하여 정보를 저장하며 다른 차세대 메모리 반도체와 비교하여 낮은 공정단가, 우수한 기록/소거 사이클, 고속의 기록 및 읽기 속도 비휘발성 등의 장점을 가진다. PRAM의 상업적 이용을 위해 많은 연구가 이루어지고 있지만 여전히 상대적으로 긴 결정화 시간을 줄이고 고 집적화를 위해 결정에서 비정질로 상변화 하는데 필요한 전류를 낮추어야 하는 해결 과제를 안고 있다 [2]. | |
차세대 비휘발성 메모리 PRAM의 해결해야 할 과제는 무엇인가? | 차세대 비휘발성 메모리로 주목받는 PRAM(phase change random access memory)은 비정질과 결정질 사이의 저항차이를 이용하여 정보를 저장하며 다른 차세대 메모리 반도체와 비교하여 낮은 공정단가, 우수한 기록/소거 사이클, 고속의 기록 및 읽기 속도 비휘발성 등의 장점을 가진다. PRAM의 상업적 이용을 위해 많은 연구가 이루어지고 있지만 여전히 상대적으로 긴 결정화 시간을 줄이고 고 집적화를 위해 결정에서 비정질로 상변화 하는데 필요한 전류를 낮추어야 하는 해결 과제를 안고 있다 [2]. 이러한 문제를 해결하기 위해 PRAM 상변화 재료로 가장 널리 이용되고 있는 Ge2Sb2Te5 박막에 여러 가지 물질을 첨가하여 특성 향상을 위한 연구가 이루어지고 있다. |
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