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PRAM을 위한 Aux(Ge2Sb2Te5)1-x (x=0, 0.0110, 0.0323, 0.0625) 박막의 상변환 특성
Phase Change Characteristics of Aux(Ge2Sb2Te5)1-x (x=0, 0.0110, 0.0323, 0.0625) Thin Film for PRAM 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.5, 2011년, pp.404 - 409  

신재호 (전남대학교 신화학소재공학과) ,  백승철 (전남대학교 신화학소재공학과) ,  김병철 (경남과학기술대학교 전자공학과) ,  이현용 (전남대학교 응용화학공학부)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

An amorphous $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film is one of the most commonly used materials for phase-change data storage. In this study, $Au_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ thin film amorphous-to-crystalline phase-change rate were evaluated in using 658 nm laser beam. The focused laser beam with ...

주제어

#GeSbTe   #Phase change memory   #Crystallization   #Au   #PRAM  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 Ge2Sb2Te5 박막에 Au를 첨가하여 비정질, 결정질 상에서의 구조적, 광학적, 전기적 기본 특성 및 상변화 속도를 평가하였다. 박막은 Si와 glass 기판위에 thermal evaporation 방법으로 증착시켰으며 bulk 시료는 전형적인 melting quenching 방법을 이용하여 만들었다.
  • 본 연구에서는 Ge2Sb2Te5 박막에 전이금속인 Au를 첨가한 (Au)x(Ge2Sb2Te5)1-x (x= 0, 0.0110, 0.0323, 0. 0625)박막에서의 구조적, 광학적, 전기적 기본 특성 및 비정질-결정질 간 상변화 속도를 연구하였다. XRD와 4-point-probe (CNT-series)를 통하여 Au의 첨가에 따라 결정화 온도가 증가하는 것을 알 수 있었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
반도체 기술은 어떤 조건을 만족해야하는가? 오늘날 급격한 멀티미디어 정보화 사회의 발달로 각종 휴대용 전자기기에 필요한 반도체 기술은 높은 저장 밀도, 빠른 속도, 비휘발성, 낮은 생산가격, 낮은 전력소모 등 다양한 조건을 만족해야 한다. 기존에 사용된 반도체는 크기를 작게 하는 고전적인 방법으로 칩 내의 집적도를 높여왔지만 거의 한계에 다다르게 되었고, 새로운 형태의 메모리 기술이 요구되고 있다 [1].
PRAM의 장점은 무엇인가? 기존에 사용된 반도체는 크기를 작게 하는 고전적인 방법으로 칩 내의 집적도를 높여왔지만 거의 한계에 다다르게 되었고, 새로운 형태의 메모리 기술이 요구되고 있다 [1]. 차세대 비휘발성 메모리로 주목받는 PRAM(phase change random access memory)은 비정질과 결정질 사이의 저항차이를 이용하여 정보를 저장하며 다른 차세대 메모리 반도체와 비교하여 낮은 공정단가, 우수한 기록/소거 사이클, 고속의 기록 및 읽기 속도 비휘발성 등의 장점을 가진다. PRAM의 상업적 이용을 위해 많은 연구가 이루어지고 있지만 여전히 상대적으로 긴 결정화 시간을 줄이고 고 집적화를 위해 결정에서 비정질로 상변화 하는데 필요한 전류를 낮추어야 하는 해결 과제를 안고 있다 [2].
차세대 비휘발성 메모리 PRAM의 해결해야 할 과제는 무엇인가? 차세대 비휘발성 메모리로 주목받는 PRAM(phase change random access memory)은 비정질과 결정질 사이의 저항차이를 이용하여 정보를 저장하며 다른 차세대 메모리 반도체와 비교하여 낮은 공정단가, 우수한 기록/소거 사이클, 고속의 기록 및 읽기 속도 비휘발성 등의 장점을 가진다. PRAM의 상업적 이용을 위해 많은 연구가 이루어지고 있지만 여전히 상대적으로 긴 결정화 시간을 줄이고 고 집적화를 위해 결정에서 비정질로 상변화 하는데 필요한 전류를 낮추어야 하는 해결 과제를 안고 있다 [2]. 이러한 문제를 해결하기 위해 PRAM 상변화 재료로 가장 널리 이용되고 있는 Ge2Sb2Te5 박막에 여러 가지 물질을 첨가하여 특성 향상을 위한 연구가 이루어지고 있다.
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참고문헌 (6)

  1. U. C. Sin, S. M. Jo, S. U. Lyu, and B. G. Yu, J . KIEEME, 16, 10 (2003). 

  2. D. Salamon and B. F. Cockburn, International Workshop on Memory Technology (Design and Testing MT DT, 2003) p.86, 

  3. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A Benvenuti, F. Pellizzer, and R. Bez, IEEE Trans. on Electronic Devices, 51, 452 (2004). 

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  4. C. Sun, J. Lee, M. Youm, and Y. Kim, Jpn. J . Appl. Phys., 45, 9157 (2006). 

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  5. K. H. Song, J. H. Seo, J. H. Kim, and H. Y. Lee, J . Appl. Phys., 106 (2009). 

  6. S. W. Kim, K. H. Song, and H. Y. Lee, J . KIEEME, 21, 629 (2008). 

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