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RF Magnetron Sputtering법으로 제작한 ZnO:Al 박막의 초기 압력에 따른 특성
Properties of ZnO:Al Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering with Various Base Pressure 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.20 no.2, 2011년, pp.141 - 145  

김덕규 (충북대학교 전자공학부) ,  김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)

초록
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ZnO:Al 박막을 RF magnetron sputtering 법을 이용하여 초기 압력에 따라 증착하고 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 연구하였다. 초기 압력 변화에 의해 ZnO:Al 박막의 특성의 변화를 확인하였고 고품질의 박막을 얻을 수 있었다. 모든 ZnO:Al 박막에서 (002)면의 우선 배향성을 보였으며 가시광선 영역(400~800 nm)에서 85% 이상의 좋은 투과도를 보였다. 초기 압력이 낮아질수록 결정성, 비저항 그리고 성능지수 특성이 향상됨을 확인하였다. 초기 압력에 따른 비저항의 향상은 결정립 크기 변화에 의한 것으로 판단된다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

ZnO:Al thin films were deposited by RF magnetron sputtering with various base pressure, and their structural, optical, and electrical properties were studied. The influence of the base pressure on the ZnO:Al thin film was confirmed and a high-quality thin film was obtained by controlling the base pr...

주제어

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문제 정의

  • 따라서, 본 연구에서는 RF magnetron sputtering 장비를 이용하여 초기 압력 변화에 따라 AZO 박막을 증착하였으며 AZO 박막의 구조적, 광학적 그리고 전기적 특성을 분석하고 상호연관성을 살펴보았다.
  • 본 연구에서는 AZO 박막의 초기 압력의 변화에 따른 다양한 특성에 대하여 분석하였다. AZO 박막의 결정성과 비 저항은 초기 압력이 낮을수록 향상되었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ZnO 박막은 어떤 특성을 가지는가? 최근, 광전 소자와 태양 전지의 기술 발전과 더불어 투명 전도 산화막(transparent conductive oxide, TCO)에 대한 많은 연구가 진행되고 있다 [1,2]. ZnO 박막은 Al-, Ga-, B- 등의 3족 원소를 도핑함으로써 낮은 저항성과 가시광선 영역에서의 높은 투과율을 갖는다 [3-6]. 특히, Al 이 도핑된 ZnO (AZO) 박막은 현재 TCO 물질로서 가장 많이 사용되고 있는 ITO (indium tin oxide)의 유력한 대체 물질로서 많은 연구가 진행되고 있다.
Al 이 도핑된 ZnO (AZO) 박막이 ITO의 유력한 대체 물질로서 많은 연구가 진행되고 있는 이유는? 특히, Al 이 도핑된 ZnO (AZO) 박막은 현재 TCO 물질로서 가장 많이 사용되고 있는 ITO (indium tin oxide)의 유력한 대체 물질로서 많은 연구가 진행되고 있다. 이러한 이유는 AZO 가 우수한 전기적, 광학적 특성 뿐만아니라 풍부한 매장량으로 인한 낮은 원가, 낮은 제조 비용과 제조의 용이성과 같은 많은 장점을 갖고 있기 때문이다 [7,8]. 또한, AZO 박막은 광전소자의 응용을 위하여 RF magnetron sputtering법을 이용하여 높은 증착율의 대면적화가 가능하다[9]. 이러한 이유로 AZO 박막은 RF magnetron sputtering 장비의 공정인자인 공정압력 [10], 증착 온도 [11], RF 파워 [12], Ar 유량 [13] 등 다양한 공정인자 변화에 따라 증착되고 그 특성들이 연구되어 왔다.
AZO 박막은 어떤 인자의 변화에 따라 증착되는가? 또한, AZO 박막은 광전소자의 응용을 위하여 RF magnetron sputtering법을 이용하여 높은 증착율의 대면적화가 가능하다[9]. 이러한 이유로 AZO 박막은 RF magnetron sputtering 장비의 공정인자인 공정압력 [10], 증착 온도 [11], RF 파워 [12], Ar 유량 [13] 등 다양한 공정인자 변화에 따라 증착되고 그 특성들이 연구되어 왔다. 많은 연구에도 불구하고, RF magnetron sputtering 장비의 초기 압력 변화에 따른 AZO 박막의 특성에 대한 연구는 미미한 실정이다.
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참고문헌 (17)

  1. K. Tonooka, H. Bando, and Y. Aiura, Thin Solid Films 445, 327 (2003). 

  2. G. K. R. Senadeera, K. Nakamura, and T. Kitamura, Appl. Phys. Lett. 83, 5470 (2003). 

  3. S. H. Cho, J. Korean Vacuum Soc. 18, 377 (2009). 

  4. J. S. Lee, G. C. Kim, H. H. Jeon, S. J. Hwangboe, D. H. Kim, C. M. Seong, and M. H. Jeon, J. Korean Vacuum Soc. 17, 23 (2008). 

  5. M. Lorenz, E. M. Kaidashev, H. von Wenckstern, V. Riede, C. Bundesmann, D. Spemann, G. Benndorf, H. Hochmuth, A. Rahm, H. C. Semmelhack, and M. Grundmann, Solid-State Electron. 47, 2205 (2003). 

  6. A. Maldonado, S. T. Guerra, M. M. Lira, and M. L. Olvera, Sol. Energ. Mat. Sol. C. 90, 742 (2006). 

  7. K. Ellmer, J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3097 (2001). 

  8. S. Major, S. Kumar, M. Bhatnagar, and K. L. Chopra, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, R17 (2000). 

  9. S. H. Jeong and J. H. Boo, Thin Solid Films 447, 105 (2004). 

  10. R. J. Honga, X. Jianga, G. Heideb, B. Szyszkaa, V. Sittingera, and W. Werner, 249, 461 (2003). 

  11. J. Mass, P. Bhattacharya, and R. S. Katiyar, Mater. Sci. Eng. B 103, 9 (2003). 

  12. H. P. Chang, F. H. Wang, J. Y. Wu, C. Y. Kung, and H. W. Liu, Thin Solid Films 518, 7445 (2010). 

  13. W. Yang, Z. Liu a, D. L. Peng, F. Zhang, H. Huang, Y. Xie, and Z. Wua, Appl. Surf. Sci. 255, 5669 (2009). 

  14. Y. M. Lu, W. S. Hwang, W. Y. Liu, and J. S. Yang, Mater. Chem. Phys. 72, 269 (2001). 

  15. B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction, (Addison-Wesley, 1978), 102. 

  16. Y. Igasaki and H. Kanma, Appl. Surf. Sci. 169-170, 508 (2001). 

  17. H. A. Mohamed, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 4234 (2007). 

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