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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.20 no.2, 2011년, pp.141 - 145
김덕규 (충북대학교 전자공학부) , 김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)
ZnO:Al thin films were deposited by RF magnetron sputtering with various base pressure, and their structural, optical, and electrical properties were studied. The influence of the base pressure on the ZnO:Al thin film was confirmed and a high-quality thin film was obtained by controlling the base pr...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnO 박막은 어떤 특성을 가지는가? | 최근, 광전 소자와 태양 전지의 기술 발전과 더불어 투명 전도 산화막(transparent conductive oxide, TCO)에 대한 많은 연구가 진행되고 있다 [1,2]. ZnO 박막은 Al-, Ga-, B- 등의 3족 원소를 도핑함으로써 낮은 저항성과 가시광선 영역에서의 높은 투과율을 갖는다 [3-6]. 특히, Al 이 도핑된 ZnO (AZO) 박막은 현재 TCO 물질로서 가장 많이 사용되고 있는 ITO (indium tin oxide)의 유력한 대체 물질로서 많은 연구가 진행되고 있다. | |
Al 이 도핑된 ZnO (AZO) 박막이 ITO의 유력한 대체 물질로서 많은 연구가 진행되고 있는 이유는? | 특히, Al 이 도핑된 ZnO (AZO) 박막은 현재 TCO 물질로서 가장 많이 사용되고 있는 ITO (indium tin oxide)의 유력한 대체 물질로서 많은 연구가 진행되고 있다. 이러한 이유는 AZO 가 우수한 전기적, 광학적 특성 뿐만아니라 풍부한 매장량으로 인한 낮은 원가, 낮은 제조 비용과 제조의 용이성과 같은 많은 장점을 갖고 있기 때문이다 [7,8]. 또한, AZO 박막은 광전소자의 응용을 위하여 RF magnetron sputtering법을 이용하여 높은 증착율의 대면적화가 가능하다[9]. 이러한 이유로 AZO 박막은 RF magnetron sputtering 장비의 공정인자인 공정압력 [10], 증착 온도 [11], RF 파워 [12], Ar 유량 [13] 등 다양한 공정인자 변화에 따라 증착되고 그 특성들이 연구되어 왔다. | |
AZO 박막은 어떤 인자의 변화에 따라 증착되는가? | 또한, AZO 박막은 광전소자의 응용을 위하여 RF magnetron sputtering법을 이용하여 높은 증착율의 대면적화가 가능하다[9]. 이러한 이유로 AZO 박막은 RF magnetron sputtering 장비의 공정인자인 공정압력 [10], 증착 온도 [11], RF 파워 [12], Ar 유량 [13] 등 다양한 공정인자 변화에 따라 증착되고 그 특성들이 연구되어 왔다. 많은 연구에도 불구하고, RF magnetron sputtering 장비의 초기 압력 변화에 따른 AZO 박막의 특성에 대한 연구는 미미한 실정이다. |
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