최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국산학기술학회논문지 = Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society, v.12 no.4, 2011년, pp.1993 - 1998
유제정 (한국생산기술연구원 그린공정연구그룹) , 황석호 (단국대학교 고분자시스템공학과) , 김상범 (한국생산기술연구원 그린공정연구그룹)
Semiconductor industry needs to have fine patterns in order to fabricate the high density integrated circuit. For nano-scale patterns, hard-mask is used to multi-layer structure which is formed by CVD (chemical vaporized deposition) process. In this work, we prepared single-layer hard-mask by using ...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
유-무기 하이브리드 소재는 중합체 내부에서 어떤 역할을 하는가? | 이에 본 연구에서는 유-무기 하이브리드 중합체 (organic-inorganic hybrid polymer)를 이용하여, 하드마스크에 관한 소재로서의 적합성에 대하여 연구하였다. 유-무기 하이브리드 소재는 중합체 내부에 식각선택비 (etch selectivity)가 우수한 무기계 성분과 외부에 유기계 성분을 도입하여 PR층에 대한 barrier로써의 역할을 수행함과 동시에 substrate층에 대한 barrier로써의 역할도 수행이 가능해 진다. 이와 같은 하이브리드 중합체를 이용하여 상층부과 하층부 식각에 모두 적합한 식각선택비를 지니는 새로운 하드마스크 소재로 기술적 문제점을 해결할 수 있다 [5]. | |
반도체의 미세화는 무엇을 통해 이루어지는가? | 이렇게 반도체 산업이 발전을 이루어 갈수록 고집적 회로를 제작하기 위하여 패턴의 미세화를 요구하게 된다. 반도체의 미세화는 포토마스크에 그려진 미세 패턴을 웨이퍼 위에 전사하기 위한 노광 (lithography) 장치와 박막을 만들기 위한 CVD (chemical vaporized deposition)장치, 스퍼터 공정 등이 사용되고 있으며, 박막형성 후 불필요한 부분을 제거하기 위한 식각장치, 평탄화를 위한 CMP (chemical mechanical polisher) 장치 등으로 이루어진다. | |
반도체의 미세화된 패턴이 기존 방식의 공정으로 만들기 힘든 이유는 무엇인가? | 이러한 미세화된 패턴은 기존 방식의 공정으로는 만들기가 어렵다. 그 이유는 두꺼운 두께의 감광제 (photo resist, PR)를 사용할 경우 높이와 바닥의 비율 (aspect ratio)이 높아지게 되어 패턴의 무너짐 현상을 일으키게 되며, 반대로 충분한 두께가 형성되지 않는 PR층은 원하는 깊이만큼의 패턴을 형성하기가 어렵기 때문이다[3]. 이러한 식각문제 해결을 위해 하드마스크를 도입하게 되는데, 이는 상층부과 하층부 사이의 현저한 식각선택비 차이를 이용하여 완전한 식각공정을 수행하도록 도움을 제공한다[4]. |
주대영, "반도체산업의 2020비전과 전략", KIET, 2월, 2007.
한국반도체연구조합, "반도체 산업동향", 한국반도체연구조합, 7월, 2009.
Y. Wei, R. L. Brainard, "Advanced processes for 193-nm immersion lithography", SPIE Press, 2009.
조현모, 전환승, 김상균, 장두원, 김종섭, "반도체 나노 패터닝 구현 재료", polymer science and technology, vol. 20, No. 5, pp. 472-480, 2009.
V. Sipani, Y. Hishiro, M. Abatchev, "Fundamental characterization of silicon-containing spin-on hardmask for 193nm photolithography", Proc. SPIE, vol. 6153, 61532U, 2006.
H.-S. Cheon, K.-H. Yoon, M.-S. Kim, S. B. Oh, J.-Y. Song, N. Tokareva, J.-S. Kim, and T. Chang, "Organic underlayer materials with exceptionally high thermal stability", Proc. SPIE, vol. 7273, 727310, 2009.
S. Zulfiqar, S. Ahmad, "Thermal degradation of blends of PVAC with polysiloxane - II Original Research Article", Polymer Degradation and Stability, vol. 71(2), pp. 299-304, 2001
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Free Access. 출판사/학술단체 등이 허락한 무료 공개 사이트를 통해 자유로운 이용이 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.