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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.7, 2011년, pp.525 - 531
이진민 ((주)엘엔티연구소)
In this paper, experimental analyses have been performed to compare the electrical characteristics of n channel LT(low temperature) and HT(high temperature) poly-Si TFTs(polycrystalline silicon thin film transistors) on quartz substrate according to activated step annealing. The size of the particle...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 어떤 장점이 있는가? | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 절연기판에 제조할 수 있는 장점으로 인해 디스플레이, 3D 소자, USN (ubiquitous sensor network) 등 많은 분야에서 관심의 대상이 되어왔다 [1]. 특히 센서 네트워크에 사용하기 위한 환경은 다양하기 때문에 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 센서에 접목시키기 위해 소자의 전기적 특성에 영향을 미치는 활성층 형성온도를 저온과 고온으로 나누어 제조한 후 상호특성을 비교 하는 것은 매우 중요하다고 할 수 있다. | |
다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 어느 분야에서 관심의 대상이 되어왔는가? | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 절연기판에 제조할 수 있는 장점으로 인해 디스플레이, 3D 소자, USN (ubiquitous sensor network) 등 많은 분야에서 관심의 대상이 되어왔다 [1]. 특히 센서 네트워크에 사용하기 위한 환경은 다양하기 때문에 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 센서에 접목시키기 위해 소자의 전기적 특성에 영향을 미치는 활성층 형성온도를 저온과 고온으로 나누어 제조한 후 상호특성을 비교 하는 것은 매우 중요하다고 할 수 있다. | |
저온에서 고상화 된 다결정 실리콘의 특성개선을 위한 대안으로 어떤 방안 등이 제시되었는가? | 저온에서 고상화 된 다결정 실리콘의 입자는 고온에서 결정화 된 다결정 실리콘의 입자보다 크지만 결정입자와 결정입계의 결함이 많아 그 전기적 특성이 저하된 것으로 알려져 있다 [3,4]. 그러나 저온소자는 저가의 구현비용에서 불구하고 고온소자에 비해 불안한 전기적 특성으로 인해 센서의 구동회로로 사용하기에 적합하지 않아 특성개선을 위한 대안으로 실리콘 이온주입, 레이저 어닐링 등의 공정 변화와 금속 게이트전극의 이용 등 물질변화 방안 등이 제시되었다 [5,6]. |
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