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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.7, 2011년, pp.532 - 536
강성칠 (고려대학교 제어계측공학과) , 이동혁 (고려대학교 디스플레이반도체물리학과) , 소현욱 (고려대학교 디스플레이반도체물리학과) , 장진녕 (고려대학교 디스플레이반도체물리학과) , 홍문표 (고려대학교 디스플레이반도체물리학과) , 권광호 (고려대학교 제어계측공학과)
The silicon nitride films were prepared by chemical vapor deposition using inductively coupled plasma. During the deposition, the substrate was heated at 주제어
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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a-SiNx:H를 증착할 때 암모니아를 챔버 내에 유입하는 이유는? | 플라즈마 내의 주된 활성종인 SiH*와 NH* 가 반응하여 박막내의 수소함량에 따라 박막의 특성이 크게 좌지우지 된다. 암모니아를 첨가하는 것은 박막의 dangling-bond의 passivation이 주된 목적이다. 암모니아에서 분리된 수소가 일정함량을 기준으로 너무 많이 들어간다면 defect creation의 원인이 되어 박막내의 weak-bond들을 수소들이 파괴함으로써, localized-band를 형성시킴으로써, 전기적 특성을 저하시키며, 또한 너무 적은 수소가 첨가되면, trap이 형성되어 leakage current를 발생시킴으로써 소자 열화의 주된 원인이 된다 [4-6]. | |
박막 트랜지스터의 활성층 (a-Si)과 gate 절연층 (SiNx)의 증착에는 어떤 방법이 있는가? | 게이트 절연막으로 쓰이는 실리콘 질화막 (silicon nitride)은 MEMS 공정에 있어 중요한 물질이다. 박막 트랜지스터의 활성층 (a-Si)과 gate 절연층 (SiNx)의 증착에는 약 750℃로 가열되어 증착되는 LPCVD (low-pressure chemical vapor deposition) 기법과 상대적으로 저온에서 (200 - 350℃) 증착되는 PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) 증착법이 있다. 최근 대두되고 있는 flexible display 적용을 위한 플라스틱 기판위에 공정을 진행되기 위해서는 저온 공정이 필수적으로 대두 되고 있다. | |
PECVD의 단점은? | 하지만 이에 대한 공정 기술 개발은 크게 이루어지고 r있지 않는 실정이다. 낮은 온도에서 (≤ 200℃) 증착 됨으로써, 플라즈마를 이용한 기상 증착법을 사용 시, 박막의 결정을 성장시키는데 열에너지가 부족하게 되고 이에 따른 박막의 균일도나 그 특성이 약해질 수가 있다. 특히 게이트 절연막으로 쓰이는 a-SiNx:H 의 증착을 위해서는 공정기술 개발이 필요하다. |
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