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NTIS 바로가기한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.15 no.6, 2011년, pp.1338 - 1342
정학기 (군산대학교) , 한지형 (군산대학교) , 이재형 (군산대학교) , 정동수 (군산대학교) , 이종인 (군산대학교) , 권오신 (군산대학교)
In this paper, threshold voltage characteristics have been analyzed as one of short channel effects occurred in double gate(DG)MOSFET to be next-generation devices. The Gaussian function to be nearly experimental distribution has been used as carrier distribution to solve Poisson's equation, and thr...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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고집적회로용 초소형 트랜지스터 개발에 어려움을 겪고 있는 이유는? | 최근 고집적회로용 초소형 트랜지스터의 개발에 각 메이저급 메모리업체의 관심이 집중되고 있다. 그러나 트랜지스터를 초소형으로 제작할 때 발생하는 단채널 효과 때문에 개발에 어려움을 겪고 있다. 단채널효과는 문턱전압의 변화, 문턱전압이하 스윙값의 저하, 드레인 전압 유기장벽감소 등 여러 가지 효과로 나타나면서 결국 소자의 특성을 저하시켜 집적회로에서 초소형 트랜지스터의 사용을 제한하고 있다. | |
다중게이트트랜지스터의 개발 방향은 어떠한가? | 이러한 문제점을 해결 하기 위하여 개발되는 소자중 가장 유망한 트랜지스터로서는이중게이트MOSFET와같은다중게이트트랜지스터가 있다. 다중게이트 트랜지스터는 수직형 이중게 이트 트랜지스터를 비롯하여 FinFET형과 서라운딩형 FET에 이르기까지 다양한 형태로 개발되고 있다.[1,2] 특히 최근 소자가 20nm이하의 나노화가 진행되면서 이러한 다중게이트 MOSFET의 구현에 많은 노력을 기울이고 있다. | |
단채널효과가 야기하는 문제점은? | 그러나 트랜지스터를 초소형으로 제작할 때 발생하는 단채널 효과 때문에 개발에 어려움을 겪고 있다. 단채널효과는 문턱전압의 변화, 문턱전압이하 스윙값의 저하, 드레인 전압 유기장벽감소 등 여러 가지 효과로 나타나면서 결국 소자의 특성을 저하시켜 집적회로에서 초소형 트랜지스터의 사용을 제한하고 있다. 이러한 문제점을 해결 하기 위하여 개발되는 소자중 가장 유망한 트랜지스터로서는이중게이트MOSFET와같은다중게이트트랜지스터가 있다. |
S.Namana, S.Baishya and K.Koley," A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor," 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering, vol. 1, pp.87-91 , 2010.
P. Mishra, A.N.Bhoj and N.K.Jha, "Die-level leakage Power Analysis of FinFET Circuits Considering Process Variations," 11th international symposium on quality electronic design, pp.347-355, 2010.
P.K. Tiwari, S. Kumar, S. Mittal, V. Srivastava, U. Pandey and S. Jit, "A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile," IMPACT-2009, pp.52-55, 2009.
G. Zhang, Z. Shao and K. Zhou, "Threshold voltage model for short channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile," IEEE Tran. Electron Devices, vol. 55, pp.803-809, 2008.
H.K.Jung, "Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function,"한국해양정보통신학회 영문지, vol. 9, no.3, 2011.
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