$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

대칭/비대칭 double 게이트를 갖는 SOI MOSFET에서 subthreshold 누설 전류 특성 분석
Characteristics of Subthreshold Leakage Current in Symmetric/Asymmetric Double Gate SOI MOSFET 원문보기

대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C, 2002 July 10, 2002년, pp.1549 - 1551  

이기암 (고려대학교 전기공학과) ,  박정호 (고려대학교 전기공학과)

초록
AI-Helper 아이콘AI-Helper

현재 게이트 길이가 100nm 이하의 MOSFET 소자를 구현할 때 가장 대두되는 문제인 short channel effect를 억제하는 방법으로 제안된 소자 중 하나가 double gate (DG) silicon-on-insulator (SOI) MOSFET이다. 그러나 DG SOI MOSFET는 두 게이트간의 align과 threshold voltage control 문제가 있다. 본 논문에서는 DG SOI MOSFET에서 이상적으로 게이트가 align된 구조와 back 게이트가 front 게이트보다 긴 non-align된 구조가 subthreshold 동작 영역에서 impact ionization에 미치는 영향에 대해 시뮬레이션을 통하여 비교 분석하였다. 그 결과 게이트가 이상적으로 align된 구조보다 back 게이트가 front 게이트보다 긴 non-align된 구조가 게이트와 드레인이 overlap된 영역에서 impact ionization이 증가하였으며 게이트가 각각 n+ 폴리실리콘과 p+ 폴리실리콘을 가진 소자에서 두 게이트가 같은 work function을 가진 소자보다 높은 impact generation rate을 가짐을 알 수 있었다.

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 본 논문에서는 DG SOI MOSFET에서 front 게이트와 back 게이트의 길이의 차이가 게이트 work function 차이에 따라 subthreshold 영역에서 소자의 누설전류에 미치는 영향에 대해 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 먼저 front 게이트와 back 게이트의 길이 가동 일한 경우 각각의 게이트가 n+ 폴리실리콘과 p+ 폴리실리콘인 비대칭 소자가 두 게이트의 work function 이 동일한 소자에 비해 P+ 폴리실리콘 게이트 영역에서 늪은 수직 및 수평 전계를 가진다.
  • 본 논문에서는 back 게이트를 front 게이트보다 길게 한 non-align 구조가 두 게이트가 이상적으로 align 된 구조에 비해 subthrehsold 영역에서 누설 전류에 미치는 영향을 보기 위하여 front 게이트가 n+ 폴리실리콘이고, back 게이트가 p+ 폴리실리콘인 구조와 두 게이트를 실리콘의 mid-gap work function으로 정의한 구조에 대해서 subthreshold 영역에서 전계 분포의 영향에 따른 impact ionization에 의한 누설 전류의 변화에 대해 시뮬레이션을 통하여 비교 분석하였다.
  • 본 논문은 BK 21 사업 및 고려대학교 특별연구비에 의하여 부분적으로 지원되어 수행된 연구로서. 관계부처에 감사드립니다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로