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산화물 환원공정에 의해 제조된 Bi2Te2.7Se0.3 분말의 열전특성
Thermoelectric Properties of Bi2Te2.7Se0.3 Powder Synthesized by an Oxide-Reduction Process 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.18 no.5, 2011년, pp.437 - 442  

박배건 (부경대학교 신소재공학부) ,  이길근 (부경대학교 신소재공학부) ,  김우열 (부경대학교 신소재공학부) ,  하국현 (재료연구소)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The present study focused on the synthesis of Bi-Te-Se-based powder by an oxide-reduction process, and analysis of the thermoelectric properties of the synthesized powder. The phase structure, chemical composition, and morphology of the synthesized powder were analyzed by XRD, EPMA and SEM. The synt...

주제어

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문제 정의

  • 그러나 산화물 환원공정에 의한 열전재료의 합성에 관련된 종래의 보고들은 주로 목적으로 하는 열전 상(phase)의 합성에 주안점을 두고 있다. 본 연구에서는 산화물 환원공정에 의해 n형의 Bi-Te-Se계열전분말을 합성하고, 합성시 환원온도가 합성된 분말의 열전특성에 미치는 영향을 검토하고자 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
열전재료는 무엇인가? 열전재료는 Seebeck 효과와 Peltier 효과를 이용하여 열에너지와 전기에너지를 서로 가역적으로 변환시키는 반도체로서, 최근 에너지의 효율적 활용을 위한 배·폐열 발전에 주목을 받고 있다[1-3].
Bi-Te계는 어떻게 제조되어 왔는가? Bi-Te계는 종래에는 주로 응고공정기술에 기반을 둔 단결정성장법으로 제조되어 왔다. 최근 순수 금속분말을 원료로 한 기계적합금화공정[6], 응고법으로 제조된 합금분말을 원료로 한 기계적 밀링공정[7] 및 급속응고공정[8] 등을 적용함으로서 우수한 에너지변환특성을 나타내는 Bi-Te계 소결체 열전재료의 제조가능성이 보고되고 있다.
기상 응축법은 어떻게 제조하는것인가? 또한 나노재료기술을 적극적으로 활용하기 위해 초기 원료 단계에서부터 나노 크기의 Bi-Te계 열전분말을 제조하고자 하는 용액 석출법[9-14], 기상 응축법[15] 등이 보고되고 있으나 아직 만족할 만한 결과는 얻지 못하고 있는 실정이다. 용액 석출법을 제외한 대부분의 이들 공정기술들은 용해, 응고 과정을 거친 고순도의 순수 금속(Bi, Te, Sb, Se) 혹은 Bi-Te계 합금을 출발원료로 하여, 분말형태의 합금화 과정을 거쳐 최종적으로 벌크형태의 열전재료 소결체로 제조된다. 따라서 이들 공정기술을 적용하기 위해서는 용해, 응고 공정기술과 분말재료 공정기술의 기술적 접목이 필수불가결하다.
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참고문헌 (26)

  1. A. Majumdar: Sci., 303 (2004) 777. 

  2. C. B. Vining: Nature, 413 (2001) 577. 

  3. B. C. Sales: Sci., 295 (2002) 1248. 

  4. K. Uemura and I. Nishida: Thermoelectric Semiconductor and its Application, Nikkankougyo Shinbunsya, Tokyo (1985) 13. 

  5. H. Scherrer and S. Scherrer: CRC Handbook of Thermoelectrics, D. M. Rowe (Ed.), CRC Press, New York (1995) 211. 

  6. Y. Ma, Q. Hao, B. Poudel, Y. Lan, B. Yu, D. Wang, G. Chen and Z. Ren: Nano Lett., 8 (2008) 2580. 

  7. B. Poudel, Q. Hao, J. Liu and M. S. Dresselhaus: Sci., 320 (2008) 634. 

  8. W. Xie, X. Tang, Y. Yan, Q. Zhang and T. M. Tritt: App. Phys. Lett., 94 (2009) 102111. 

  9. Y. Xu, Z. Ren, W. Ren, K. Deng and Y. Zhong: Mater. Lett., 62 (2008) 763. 

  10. J. J. Ritter and P. Maruthamuthu: Inorg. Chem., 34 (1995) 4278. 

  11. J. J. Ritter and P. Maruthamuthu: Inorg. Chem., 36 (1997) 260. 

  12. T. Sun, X. B. Zhao, T. J. Zhu and J. P. Tu: Mater. Lett., 60 (2006) 2534. 

  13. Y. Q. Cao, T. J. Zhu and X. B. Zhao: J. Alloy and Comp., 449 (2008) 109. 

  14. D. H. Kim and T. Mitani: J. Alloy and Comp., 399 (2005) 14. 

  15. G. G. Lee, D. Y. Lee and G. H. Ha: J. Korean Powder Metall. Inst., 15 (2008) 352 (Korean). 

  16. G. G. Lee, D. Y. Lee, G. H. Ha and G. T. Kim: J. Korean Powder Metall. Inst., 17 (2010) 336 (Korean). 

  17. G. G. Lee, B. G. Park, W. Y. Kim, K. T. Kim and G. H. Ha: Elec. Mater. Lett., 6 (2010) 123. 

  18. X. D. Liu and Y. H. Park: Mater. Trans., 43 (2003) 681. 

  19. L. D. Zhao, B. P. Zhang, J. F. Li, H. L. Zhang and W. S. Liu: Solid State Sci., 10 (2008) 651. 

  20. P. Y. Yu and M. Cardona: Fundamentals of Semiconductors (Physics and Materials Properties), Springer, New York (1995) 150. 

  21. Y. M. Chiang, D. P. Birnie and W. D. Kingery: Physical Ceramics, John Wiley & Sons, New York (1996) 101. 

  22. P. Pecheur and G. Toussaint: J. Phys. Chem. Solids, 53 (1992) 1067. 

  23. Z. Stary, J. Navratil and T. Plechaoek: Proc. of the 15th ICT, (1994) 286. 

  24. K. W. Cho and I. H. Kim: Mater. Lett., 59 (2005) 966. 

  25. H. Scherrer and S. Scherrer: CRC Handbook of Thermoelectrics, D. M. Rowe (Ed.), CRC Press, New York, (1995) 19. 

  26. K. J. Lee, J. W. Xu, C. H. Lim and W. S. Cho: Met. Mater. Int., 14 (2008) 433. 

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