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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.25 no.1, 2012년, pp.6 - 14
정원채 (경기대학교 전자공학과) , 김형민 (경기대학교 기계시스템공학과)
For integrated complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits, the lateral spread for two-dimensional (2-D) impurity distributions are very important for the analyzing the devices. The measured two-dimensional SEM data obtained using the chemical etching-method matched very well with the re...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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화학적인 에칭방법의 장점은? | 가우스모델은 대체적으로 SEM 데이터와 잘 일치하지만 1-D의 경우에서는 제시한 모델이 단지 가우스모델을 사용한 경우보다 더 좋은 결과를 나타냄을 데이터들을 서로 비교하여 확인하였다. 화학적인 에칭방법은 실리콘에서 단지 전기적으로 활성화된 도핑 농도만을 나타낼 수가 있다. 또한 이 방법은 PMOS의 경우에 최소한으로 측정될 수 있는 측정한계는 1×1016 cm-3의 농도를 나타내었다. | |
붕소의 이온이 주입된 실리콘웨이퍼는 전기적인 활성화를 위해 무엇이 수행되는가? | CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 소자제작을 위해서, 소스와 드레인 영역들은 P+ 도핑을 위해서 붕소의 이온주입기술이 사용된다. 붕소이온이 주입된 실리콘웨이퍼는 전기적인 활성화를 위해서 N2 가스 분위기에서 열처리가 수행된다. 현재에 붕소이온들의 확산과 활성화 메커니즘은 광범위하게 연구되어 왔다 [1-3]. | |
CMOS 소자제작을 위해서 소스와 드레인 영역들에 무엇이 주입되는가? | CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 소자제작을 위해서, 소스와 드레인 영역들은 P+ 도핑을 위해서 붕소의 이온주입기술이 사용된다. 붕소이온이 주입된 실리콘웨이퍼는 전기적인 활성화를 위해서 N2 가스 분위기에서 열처리가 수행된다. |
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