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수소 분위기에서 유연 기판 위에 증착된 IZO 박막의 구조적 및 전기적 특성
Structural and electrical characteristics of IZO thin films deposited under hydrogen atmosphere on flexible substrate 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.11 no.1, 2012년, pp.29 - 33  

조담비 (한국기술교육대학교 신소재공학과) ,  이규만 (한국기술교육대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, we have investigated the structural and electrical characteristics of IZO thin films deposited under hydrogen atmosphere on flexible substrate for the OLED (organic light emitting diodes) devices. For this purpose, PES was used for flexible substrate and IZO thin films were deposited ...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 PES 기판위에 증착된 TCO 박막의 전기 비저항과 구조적 특성에 따른 OLED소자의 특성 변화를 평가하였다. 이에 따라R.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ITO 박막은 높은 전기 전도특성과 광투과율을 얻기 위해서 어떤 과정을 수행해야 하는가? 이러한 투명 전도성 산화물 박막 중 가장 널리 사용되고 있는 물질인 ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 ntype의 전도특성을 갖는 산화물 반도체로서 넓은 밴드 갭과 함께 가시광 영역에서의 높은 투과율과 전기전도 성을 나타낸다[4,5]. 그러나 ITO 박막이 높은 전기 전도특성과 광투과율을 얻기 위해서는 250 이상의 고온 증착이 요구되며 300 이상에서 증착 후 열처리를 해야만 한다. 이러한 고온 공정들은 ITO 박막의 결정화를 강화시켜 결정립에 의한 표면 거칠기를 증가시키고 그에 따라 소자의 안정성을 현저하게 저하시키는 요인이 된다.
IZO박막이 고효율의 유기 발광 소자를 구현하는데 유리한 재료라 판단되는 이유는? 이러한 IZO박막은 성막 후 고온의 열처리 과정이 필요 없기 때문에 폴리카보네이트와 같은 유기물 기판을 사용하여 제작 가능한 유연한 평판형 표시 소자의 제작에도 적용될 수 있다. IZO박막은 상온 공정에서도 우수한 전기적, 광학적, 표면 특성을 나타낼 뿐만 아니라 양극재로로써 높은 일함수를 가지고 있어 고효율의 유기 발광 소자를 구현하는데 유리한 재료라 판단된다[6-10].
ITO 박막이 유기발광소자의 투명전극으로 쓰일 경우 문제점은? 이러한 고온 공정들은 ITO 박막의 결정화를 강화시켜 결정립에 의한 표면 거칠기를 증가시키고 그에 따라 소자의 안정성을 현저하게 저하시키는 요인이 된다. 또, 원료 물질인 인듐의 독성, 스퍼터링 시 음이온 충격에 의한 막 손상에 의한 전기저항 증가의 문제점이 있으며 유기발광소자의 투명전극으로 쓰일 경우에 유기물과의 계면 부적합성, 수소플라즈마에 대한 불안정성 등이 문제점으로 지적되고 있다[4,5].
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참고문헌 (11)

  1. K. Ishibashi, K. Hirata, and N. Hosokawa, "Mass spectrometric ion analysis in the sputtering of oxide targets," J.Vac. Sci. Technol. A, 10, pp.1718-1722, 1992. 

  2. K. Tominaga, T. Ueda, T. Ao, M. Kataoka, and I. Mori, "ITO films prepared by facing target sputtering system," Thin Solid Films, 281-282, pp. 194-197, 1996. 

  3. Y. Hoshi, H. Kato, and K. Funatsu, "ITO films deposited by facing target sputtering," J. mat. sci., 18, pp. 359-362, 2003. 

  4. N. Taga, M. Maekawa, Y. Shigesato, I. Yasui, M. Kamei and T. E. Haynes, "Deposition of Heteroepitaxial $In_2O_3$ Thin Films by Molecular Beam Epitaxy", Jpn. J. Appl.Phys., 37, pp.6524-6529, 1998. 

  5. D. C. Paine, B. Yaglioglu, "Amorphous IZO-based transparent thin film transistors," Thin solid films, 516, pp.5894-5898, 2007. 

  6. H.-K. Kim, D.-G. Kim, K.-S. Lee, M. S. Huh, S. H. Jeong, and K. I. Kim, "The Application of Anode Material (ITAZO) and Hole Transportation Material (NiO) in Organic Solar Cell," Photonics and Optoelectronics 2009, pp.1-4, 2005. 

  7. 노경현, 최문구, 박승환, 주홍렬, 정창오, 정규하, 박장우, "비정질 투명전도막 $In_2O_3:Zn$ 의 전기적 광학적 특성," 한국광학회지, 13, pp.455-459, 2002. 

  8. C. Nunes de Carvalho, A. M. Botelho do Rego, A. Amaral, P. Brogueira and G. Lavareda, "Effect of substrate temperature on the surface structure, composition and morphology of indium-tin oxide films," Surface and Coatings Technology, 124, pp. 70-75, 2000. 

  9. 박영란, 김용성, "In 도핑된 ZnO 박막의 투명 전극과 유기 발광 다이오드 특성," 한국세라믹학회지, 44, pp. 303-307, 2007. 

  10. 조한나, 리유에롱, 민수련, 정지원, "Indium Zinc Oxide 박막 특성에 대한 $O_2$ 농도와 열처리 온도의 영향," 한국공업화학학회지, 17, pp. 644-647, 2006. 

  11. K. Zhang, F. Zhu, C. H. A. Huan, A. T. S. Wee, "Effect of hydrogen partial pressure on optoelectronic properties of indium tin oxide thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering method," J. Appl. Phys., 86, pp. 974-980, 1999. 

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