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높은 격리도 특성의 4:1 도파관 전력합성기를 이용한 Ka-대역 8 W 전력 증폭 모듈
A Ka-Band 8 W Power Amplifier Module Using 4-Way Waveguide Power Combiners with High Isolation 원문보기

韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.23 no.2, 2012년, pp.262 - 265  

신임휴 (충남대학교 전파공학과) ,  김철영 (충남대학교 전자공학과) ,  이만희 (LIG넥스원 ISR 연구센터) ,  주지한 (LIG넥스원 ISR 연구센터) ,  이상주 (LIG넥스원 ISR 연구센터) ,  김동욱 (충남대학교 전파공학과)

초록
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본 논문에서는 Ka-대역에서 도파관 기반으로 동작하는 2 W급 소형 전력 모듈과 35 GHz에서 25 dB 이상의 높은 격리도 특성을 가지는 4:1 도파관 전력합성기를 이용하여 8 W 전력 모듈을 제작하고 평가하였다. 도파관-마이크로스트립 변환 구조를 사용하여 4개의 소형 전력 모듈을 제작하였으며, 32.5~33.3 dBm의 출력 전력과 26.9~28.7 dB의 전력 이득 특성을 얻었다. 제작된 4개의 소형 전력 모듈은 저항성 격막을 삽입하여 제작한 4:1 도파관 전력합성기로 결합되었고, 중심 주파수 35 GHz, 6 V 드레인 전압 조건에서 39.0 dBm(8 W)의 출력 전력과 26.4 dB의 전력 이득 특성을 보였으며, 6.5 V 드레인 전압에서는 39.6 dBm(9.1 W)의 출력 전력과 26.7 dB의 전력 이득 특성을 보였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, a Ka-band 8 W power amplifier module with WR-28 waveguide input and output ports is implemented and measured using four 2 W power amplifier modules and 4:1 waveguide power combiners with high isolation of 25 dB at 35 GHz. The 2 W power amplifier modules are fabricated using waveguide-...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 2 W급의 소형 전력 모듈들을 구현하고, 이를 저항성 격막을 사용하여 구현한 높은 격리도 특성의 4:1 도파관 전력합성기를 사용하여 높은 전력 결합 효율로 결합함으로써 8 W급의 전력모듈을 성공적으로 구현하고, 이를 평가하고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
도파관을 활용한 전력 합성의 장점은? 고출력 전력증폭기 모듈을 구현하기 위해 개별 MMIC 칩들을 알루미나(Alumina) 기판에서 전력 합성하는 방법은 큰 마이크로스트립 전송 선로의 손실로 인해 수십 W 이상의 Ka-대역 전력증폭기 구현에는 적절하지 않다. 도파관을 활용한 전력 합성의 경우 다룰 수 있는 전력이 크며, 도파관의 손실이 작아 많은 수의 전력 모듈들을 결합하는 경우에도 결합 손실을 줄일 수 있어 밀리미터파 영역에서 큰 전력을 요구하는 전력 모듈의 구현에 적당한 방법이라 할 수 있다.
칩에 와이어 본딩을 사용할 경우 어떤 단점이 있는가? MMIC 칩들은 와이어 본딩을 사용하여 직접적으로 연결하지 않고 알루미나 박막 기판을 이용하여 연결하였다. 캐리어에 탑재된 개개의 칩들을 본딩 와이어로 직접 연결할 경우, 주파수가 높아질수록 부정합에 의한 삽입 손실이 커지게 되므로, 전자파 에너지의 표면 밀집율이 95 % 이상이 되는 CPW(Coplanar Waveguide)를 사용하여 구현된 CBFGCPW(Conductor Backed Finite Ground CPW)-Microstrip 변환 구조를 사용하였다[6].
35 GHz 근처에서 동작하는 전력증폭기 모듈 개발 현황은? 현재 Ka-대역, 특히 35 GHz 근처에서 동작하는 전력증폭기 모듈의 경우, Quinstar와 같은 일부 해외업체만이 제한적으로 12 V에서 동작하는 38 dBm 출력의 증폭기 모듈을 제공하고 있으며[1], 국내의 경우 최근에서야 40 dBm 출력의 전력증폭기 모듈이 개발되었다[2]. 고출력 전력증폭기 모듈을 구현하기 위해 개별 MMIC 칩들을 알루미나(Alumina) 기판에서 전력 합성하는 방법은 큰 마이크로스트립 전송 선로의 손실로 인해 수십 W 이상의 Ka-대역 전력증폭기 구현에는 적절하지 않다.
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참고문헌 (6)

  1. http://www.quinstar.com/products/amplifier 

  2. 김경학, 박미라, 김동욱, "Ka-대역 10 W 전력증폭기 모듈의 설계 및 제작", 한국전자파학회논문지, 20(3), pp. 264-272, 2009년 3월. 

  3. Yoke Choy Leong, Sander Weinreb, "Full band waveguide- to-microstrip probe transitions", IEEE MTT- S Int. Microwave Symposium Digest, pp. 1435-1438, 1999. 

  4. 신임휴, 김철영, 이상주, 주지한, 이만희, 김동욱, "E-평면 프로브를 이용한 Ka-대역 마이크로스트립-도파관 변환기의 설계 및 제작", 한국전자파학회논문지, 23(1), pp. 76-84, 2012년 1월. 

  5. http://www.triquint.com/products/types/amplifiers 

  6. 임주현, 양승식, 염경환, "저손실을 갖는 CBFGCPW-Microstrip 천이 구조의 해석 및 MIC 모듈집적화에 응용", 한국전자파학회논문지, 18(7), pp. 809-818, 2007년 7월. 

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