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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.25 no.2, 2012년, pp.100 - 104
양승동 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 오재섭 (나노종합팹센터 나노패턴팀) , 윤호진 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 정광석 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 김유미 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 이상율 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 이희덕 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 이가원 (충남대학교 전자전파정보통신공학과)
Fin-type SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) flash memory has emerged as novel devices having superior controls over short channel effects(SCE) than the conventional SONOS flash memory devices. However despite these advantages, these also exhibit undesirable characteristics such as corner ef...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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3차원 구조 도입을 통해 확인된 장단점은? | 하지만 3D 구조의 소자는 2D 구조에서 예상하지 못한 비이상적인 현상들이 발생하였고, 문제를 해결하기 위한 연구도 활발히 진행 중이다. Fin형 SONOS 플래쉬 메모리의 비례 축소 가능성을 고찰하기 위해 수행한 선행 연구에서, 3차원 구조 도입을 통해 단 채널 효과가 개선되나 fin 구조에서 측벽의 전계와의 상호 간섭에 의해 상단의 전계가 영향을 받음으로써 3D 구조의 소자가 2D 소자에 비해 향상된 메모리 특성을 나타내지 못한 결과를 보고한 바 있는데 [5], 이런 경우도 비이상적인 현상의 예라고 할 수 있다. 이렇게 3D 구조의 소자에서 비이상적인 현상이 많이 발생하고 있는데, 그 중 가장 대표적인 것이 모서리 효과이다. | |
부유 게이트 구조의 문제는 무엇인가? | 플래시 메모리로 현재 가장 많이 사용되고 있는 부유 게이트 구조는 소자가 축소화되면서 터널 산화막의 두께가 얇아져 전하 누설에 의한 소자 신뢰성에 문제를 일으키게 된다 [1]. 이를 해결하기 위해 SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) 구조의 플래시 메모리 소자가 가장 주목을 받고 있다 [2]. | |
플래시 메모리로 많이 사용되고 있는 부유 게이트 구조의 여러 단점을 해결하기 위해 주목 받고 있는 소자는 무엇인가? | 플래시 메모리로 현재 가장 많이 사용되고 있는 부유 게이트 구조는 소자가 축소화되면서 터널 산화막의 두께가 얇아져 전하 누설에 의한 소자 신뢰성에 문제를 일으키게 된다 [1]. 이를 해결하기 위해 SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) 구조의 플래시 메모리 소자가 가장 주목을 받고 있다 [2]. 하지만 SONOS 구조의 경우도 게이트의 길이가 작아지면서 단 채널 효과의 발생을 억제해야 한다는 문제점을 안고 있다. |
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