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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.16 no.3, 2012년, pp.558 - 564
We fabricated Ga doped ZnO (GZO) thin films on the glass substrate (Eagle 2000) with various of Ga doping concentration and annealing temperatures using sol-gel method, electrical and optical properties were investigated. When the GZO thin films doped with 1 mol% of Ga and annealed at
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ITO (Indium tin oxide)의 문제점은? | 투명 전도막은 태양전지, 평판디스플레이, 발광다이오드와 같은 광전소자의 수요가 증가함에 따라 그 중요성이 날로 커지고 있다[1][2]. ITO (Indium tin oxide) 는 오랫동안 투명 전도막의 대표 재료로 사용되어왔지만, In의 단가가 높고 플라즈마에 대한 안정성이 낮다는 문제점을 가지고 있다[3]. 따라서, ITO 박막을 대체할 새로운 투명 전도막에 대한 연구, 개발이 매우 필요한 시점에 도달하였다. | |
ZnO란? | 따라서, ITO 박막을 대체할 새로운 투명 전도막에 대한 연구, 개발이 매우 필요한 시점에 도달하였다. ZnO 는 3.3 eV 의 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 Ⅱ-Ⅵ 족 화합물 반도체로서 Al, Ga 과 같은 3 족 원소를 도핑하면 투과도 및 전기적 특성을 개선시킬 수 있어 ITO 를 대체할 유망한 재료로 많은 주목을 받고 있다.[4][5] 특히, 3 족 원소 중에서 Ga 은 Al 과 비교하여 산화에 덜 민감하고 습도에 좀 더 안정한 특성을 나타낸다고 보고되고 있다[6][7]. | |
Ga 이 도핑된 ZnO (GZO) 박막을 제작하는 방법 중 sol-gel 법의 장점은? | 현재 Ga 이 도핑된 ZnO (GZO) 박막을 제작하는 방법으로는 sputtering 법[8], pulsed laser deposition 법[9], chemical vapor deposition 법[10], sol-gel 법[11] 등이 사용되고 있다. 이 중에서, sol-gel 법은 대면적 코팅이 가능하며 도핑 물질 및 조성을 조절하기가 용이하고 저비용으로 박막을 제작할 수 있어 GZO 박막에 대한 구조적 및 광학적 특성을 연구하기에는 아주 유용한 방법이다[12]. GZO 박막을 투명 전도막으로 사용하기 위해서는 최적의 도핑 농도와 열처리 온도를 찾는 것이 무엇보다 선행되어야하고, 이를 바탕으로 GZO 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하는 것이 필요하다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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