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NTIS 바로가기電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.39 no.9 = no.340, 2012년, pp.39 - 46
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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NAND Flash 메모리는 어떤 용도로 많이 사용되고 있는가? | NAND Flash 메모리는, 데이터를 저장하는 기본 단위인 셀 (cell) 및 어레이 (array) 구조 <그림 1>가 비교적 단순하고 집적도를 높이 기에 유리하여 MP3 player, cellular phone 및 SSD (solid state drive) 등의 데이터 저장장치용으로 많이 사용되고 있다 <그림 2>.NAND Flash에서 일반적으로 채택하고 있는 셀 구조는 부동 게이트 (FG: floating gate)인 데 여기에 저장된 전하량에 따라 트랜지스터를 On-Off 시킬 수 있는 문턱전압 (Vth: threshold voltage) 이 달라지게 되어 정보 저장여부를 판별할 수 있게 된다. | |
메모리의 직접도를 높이기 위해 스케일링과 멀티 레벨링 정도가 증가할수록 어떤 문제점이 있는가? | NAND Flash 메모리의 신뢰성은 endurance와 retention으로 나타낼 수가 있는데, endurance는 메모리에 데이터를 저장하기 위한 쓰기 횟수 (P/E cycle: program-erase cycle: Flash 메모리에 데이터를 쓰기 위해서는 이전에 저장되어 있던 데이터를 지우는 작업인 erase가 먼저 수행되어야 함) 한계를 나타내며 retention은 저장되어 있는 데이터를 얼마나 오랜 시간 동안 유지할 수 있는지를 나타내는 척도이다. 스케일링 및 멀티 레벨링 정도가 증가할수록 메모리의 물리적인 특성 열화 및 문턱전압 분포 (산포: Vth distribution) 겹침이 증가하게 되어 저장된 데이터를 메모리로부터 정확하게 읽어내는 것과 저장된 데이터를 오랫동안 유지하는 것이 점점 더 어려워지게 된다. | |
Flash 메모리 컨트롤러는 무엇으로 구성되는가? | Flash 메모리를 사용하는 저장장치의 신뢰성과 성능이 시스템에서 요구되는 수준을 만족할 수 있도록 하기 위해서는 다양한 기법들이 적용되어야 하는 데, 이러한 기법들은 hardware 또는 software 형태로 controller에 구현될 수 있다. Flash 메모리 컨트롤러 는, host에서 요구하는 여러가지 명령들을 판독/수행 하기 위한 CPU와 bus system등의 backbone, flash 메모리와 컨트롤러 간 데이터 통신을 수행하기 위한 NAND I/F, NAND에서 발생하는 오류를 정정하기 위한 ECC (error control code) 및 신호처리 엔진 등으로 구성된다 <그림 4>. |
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