$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

플래시 메모리 컨트롤러 (Flash Memory Controller) 기술 원문보기

電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.39 no.9 = no.340, 2012년, pp.39 - 46  

공준진 (삼성전자) ,  손홍락 (삼성전자) ,  설창규 (삼성전자)

초록이 없습니다.

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • NAND Flash로부터 데이터를 읽어내는 방식에 따라 메모리 자체의 오류 수준이 달라질 수 있는 데, 이는 ECC의 동작영역을 확보하는 데에도 매우 중요한 역할을 한다. NAND Flash 메모리로부터 데이터를 읽어낼 때 error가 적게 발생하도록 읽어내는 방법에 대해서는 많은 연구가 진행되고 있는데, 여기서는 LPF (low pass filter)를 적용하여 local minima 를 제거하여 효율적인 read level을 찾는 방법을 소개하고자 한다. <그림 10>에서 파란색 선은 LPF적용전의 산포를 나타내며 빨간색 선은 LPF를 적용한 후의 산포를 나타내는 데, LPF 적용 후에는 high frequency 성분인 local minima가 제거되는 것을 볼 수 있다.
  • 본고에서는 NAND Flash의 집적도를 높이기 위해 일반적으로 사용되고 있는 scaling 및 multi-leveling 기법을 소개하고 이에 따르는 신뢰성 저하문제 및 이를 해결하기 위한 일부 기술들에 대하여 살펴보았다. 통신 시스템 및 magnetic/optical 저장장치에서 일반적으로 사용되고 있는 ECC 및 channel 신호처리 기법들을 적용하는 것이 가능하나 메모리 채널 특성에 맞도록 변경하는 것이 필수적이다.
  • Flash 메모리 컨트롤러의 세부적인 기능 및 사양은 Flash storage에 요구되는 저장 공간 크기 및 성능에 따라 좌우되며, Flash 메모리 컨트롤러가 지원하는 host에 따라 SD Card/eMMC (secure digital card/embedded multimedia controller)를 지원하는 embedded용 컨트롤러와 SATA/SAS를 지원하는 SSD 용 컨트롤러로 분류할 수 있다. 본고에서는 SSD 컨트롤러를 예로들어 컨트롤러의 전반적인 동작 및 architecture를 설명하고자 한다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
NAND Flash 메모리는 어떤 용도로 많이 사용되고 있는가? NAND Flash 메모리는, 데이터를 저장하는 기본 단위인 셀 (cell) 및 어레이 (array) 구조 <그림 1>가 비교적 단순하고 집적도를 높이 기에 유리하여 MP3 player, cellular phone 및 SSD (solid state drive) 등의 데이터 저장장치용으로 많이 사용되고 있다 <그림 2>.NAND Flash에서 일반적으로 채택하고 있는 셀 구조는 부동 게이트 (FG: floating gate)인 데 여기에 저장된 전하량에 따라 트랜지스터를 On-Off 시킬 수 있는 문턱전압 (Vth: threshold voltage) 이 달라지게 되어 정보 저장여부를 판별할 수 있게 된다.
메모리의 직접도를 높이기 위해 스케일링과 멀티 레벨링 정도가 증가할수록 어떤 문제점이 있는가? NAND Flash 메모리의 신뢰성은 endurance와 retention으로 나타낼 수가 있는데, endurance는 메모리에 데이터를 저장하기 위한 쓰기 횟수 (P/E cycle: program-erase cycle: Flash 메모리에 데이터를 쓰기 위해서는 이전에 저장되어 있던 데이터를 지우는 작업인 erase가 먼저 수행되어야 함) 한계를 나타내며 retention은 저장되어 있는 데이터를 얼마나 오랜 시간 동안 유지할 수 있는지를 나타내는 척도이다. 스케일링 및 멀티 레벨링 정도가 증가할수록 메모리의 물리적인 특성 열화 및 문턱전압 분포 (산포: Vth distribution) 겹침이 증가하게 되어 저장된 데이터를 메모리로부터 정확하게 읽어내는 것과 저장된 데이터를 오랫동안 유지하는 것이 점점 더 어려워지게 된다.
Flash 메모리 컨트롤러는 무엇으로 구성되는가? Flash 메모리를 사용하는 저장장치의 신뢰성과 성능이 시스템에서 요구되는 수준을 만족할 수 있도록 하기 위해서는 다양한 기법들이 적용되어야 하는 데, 이러한 기법들은 hardware 또는 software 형태로 controller에 구현될 수 있다. Flash 메모리 컨트롤러 는, host에서 요구하는 여러가지 명령들을 판독/수행 하기 위한 CPU와 bus system등의 backbone, flash 메모리와 컨트롤러 간 데이터 통신을 수행하기 위한 NAND I/F, NAND에서 발생하는 오류를 정정하기 위한 ECC (error control code) 및 신호처리 엔진 등으로 구성된다 <그림 4>.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

저자의 다른 논문 :

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로