모드중첩법 및 최소자승법을 통한 고충격 압저항 미소가속도계의 출력전압 해석 Fast Simulation of Output Voltage for High-Shock Piezoresistive Microaccelerometer Using Mode Superposition Method and Least Square Method원문보기
본 논문에서는 여러 가지 충격하에서 압저항 고충격 미소가속도계의 과도 출력전압의 계산시 발생하는 방대한 계산 시간 문제를 모드중첩법 및 최소자승법을 이용하여 압저항 미소가속도계의 실시간 출력전압 계산이 가능하도록 효율적인 출력전압 과도해석 방법을 제안한다. 우선 정적 압저항-구조 해석을 통하여 미소가속도계의 변위와 출력전압을 계산하고 출력전압을 특정 위치의 변위에 관한 2차 다항식으로 근사화하여 그 회귀계수를 최소자승법을 통하여 결정한다. 이후에 모드중첩법을 통하여 여러 방향의 고충격하에서 미소가속도계의 과도 변위응답을 계산하고, 이 변위응답을 변위로 표현되는 출력전압 근사식에 대입하여 과도 출력전압을 예측한다. 100,000 G 고충격파, 사인파, 계단파 및 사각파 등의 여러 가지 고충격 입력에 대한 압저항 미소가속도계의 수치예제를 통하여 제안한 방법의 정확성 및 효율성을 검증하였다.
본 논문에서는 여러 가지 충격하에서 압저항 고충격 미소가속도계의 과도 출력전압의 계산시 발생하는 방대한 계산 시간 문제를 모드중첩법 및 최소자승법을 이용하여 압저항 미소가속도계의 실시간 출력전압 계산이 가능하도록 효율적인 출력전압 과도해석 방법을 제안한다. 우선 정적 압저항-구조 해석을 통하여 미소가속도계의 변위와 출력전압을 계산하고 출력전압을 특정 위치의 변위에 관한 2차 다항식으로 근사화하여 그 회귀계수를 최소자승법을 통하여 결정한다. 이후에 모드중첩법을 통하여 여러 방향의 고충격하에서 미소가속도계의 과도 변위응답을 계산하고, 이 변위응답을 변위로 표현되는 출력전압 근사식에 대입하여 과도 출력전압을 예측한다. 100,000 G 고충격파, 사인파, 계단파 및 사각파 등의 여러 가지 고충격 입력에 대한 압저항 미소가속도계의 수치예제를 통하여 제안한 방법의 정확성 및 효율성을 검증하였다.
The transient analysis for the output voltage of a piezoresistive microaccelerometer takes a relatively high computation time because at least two iterations are required to calculate the piezoresistive-structural coupled response at each time step. In this study, the high computational cost for cal...
The transient analysis for the output voltage of a piezoresistive microaccelerometer takes a relatively high computation time because at least two iterations are required to calculate the piezoresistive-structural coupled response at each time step. In this study, the high computational cost for calculating the transient output voltage is considerably reduced by an approach integrating the mode superposition method and the least square method. In the approach, data on static displacement and output voltage calculated by piezoresistive-structural coupled simulation for three acceleration inputs are used to develop a quadratic regression model, relating the output voltage to the displacement at a certain observation point. The transient output voltage is then approximated by a regression model using the displacement response cheaply calculated by the mode superposition method. A high-impact microaccelerometer subject to several types of acceleration inputs such as 100,000 G shock, sine, step, and square pulses are adopted as a numerical example to represent the efficiency and accuracy of the suggested approach.
The transient analysis for the output voltage of a piezoresistive microaccelerometer takes a relatively high computation time because at least two iterations are required to calculate the piezoresistive-structural coupled response at each time step. In this study, the high computational cost for calculating the transient output voltage is considerably reduced by an approach integrating the mode superposition method and the least square method. In the approach, data on static displacement and output voltage calculated by piezoresistive-structural coupled simulation for three acceleration inputs are used to develop a quadratic regression model, relating the output voltage to the displacement at a certain observation point. The transient output voltage is then approximated by a regression model using the displacement response cheaply calculated by the mode superposition method. A high-impact microaccelerometer subject to several types of acceleration inputs such as 100,000 G shock, sine, step, and square pulses are adopted as a numerical example to represent the efficiency and accuracy of the suggested approach.
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문제 정의
본 논문에서는 여러 가지 충격하에서 압저항 고충격 미소가속도계의 과도 출력전압의 계산시 발생하는 방대한 계산 시간 문제를 모드중첩법 및 최소자승법을 이용하여 압저항 미소가속도계의 실시간 출력전압 계산이 가능하도록 효율적인 출력전압 과도해석 방법을 제안한다. 우선 정적 압저항-구조 해석을 통하여 미소가속도계의 변위와 출력전압을 계산하고 출력전압을 특정 위치의 변위에 관한 2차 다항식으로 근사화하여 그 회귀계수를 최소자승법을 통하여 결정한다.
가설 설정
본 논문에서는 식 (3)의 운동방정식과 초기조건(initial condition)으로 구성되는 초기치 문제(initial value problem)을 풀기 위하여 아래와 같은 뉴마크 기법(Newmark method)를 사용하였다.(17) 뉴마크 기법은 시간 t와 t + ∆t사이에서 속도와 변위의 관계를 아래와 같이 가정한다.
4는 ANSYS(16)를 이용하여 압저항-구조 연성 해석을 위한 유한요소모델을 나타낸다. 모델링된 미소가속도계는 XY 평면에 정면이 위치하고 있으며 Y 축 방향으로 가속도가 입력된다고 가정한다. 구체적인 사양은 Table 1에 표시하였다.
제안 방법
이후에 모드중첩법을 통하여 여러 방향의 고충격하에서 미소가속도계의 과도 변위응답을 계산하고, 이 변위응답을 변위로 표현되는 출력전압 근사식에 대입하여 과도 출력전압을 구한다. 100,000 G급 고충격파, 사인파, 계단파 그리고 사각파와 같은 여러 가지 입력충격 하에서 고충격 미소가속도계 수치예제를 통하여 제안한 방법의 정확성 및 효율성을 검증한 결과 다음과 같은 결론을 도출하였다.
이 고유진동수해석 결과를 바탕으로 모드중첩법에 사용할 고유진동모드의 개수를 결정하였다. Fig. 6에는 100,000 G 고충격시험에서 얻어진 고충격 가속도가 X, Y 및 Z의 각 방향으로 입력될 때, 완전적분법(direct integration method) 및 모드중첩법으로 계산한 각 방향 변위 과도응답을 비교하였다. 이때, 식 (4)의 시간 간격(time step)은 0.
고충격 압저항형 미소가속도계에서 입력 가속도에 대한 과도 출력전압을 계산하는데 일반적으로 사용되는 완전적분법의 방대한 수치 계산의 문제를 해결하기 위하여 모드중첩법 및 최소자승법을 이용하여 압저항 미소가속도계의 실시간 출력전압 계산이 가능하도록 효율적인 출력전압 과도해석 방법을 제안하였다. 먼저 정적 압저항-구조 연성 해석을 통하여 X, Y, Z의 각 방향에 대한 몇 가지 다른 크기의 가속도 입력 하에서 압저항 미소가속도계의 변위와 출력전압을 계산하고, 최소자승법으로 출력전압을 출력점 변위에 관한 2차 다항식으로 근사화한다.
4와 같이 압저항체는 n-type 압저항체가 사용되었으며 사용된 압저항계수(piezoresistive coefficients)는 Table 2와 같다. 또한 각 압저항체가 전체적으로 휘스톤 브릿지를 구성할 수 있도록 ANSYS의 CP 명령어를 사용하여 회로를 구성하였다.
고충격 압저항형 미소가속도계에서 입력 가속도에 대한 과도 출력전압을 계산하는데 일반적으로 사용되는 완전적분법의 방대한 수치 계산의 문제를 해결하기 위하여 모드중첩법 및 최소자승법을 이용하여 압저항 미소가속도계의 실시간 출력전압 계산이 가능하도록 효율적인 출력전압 과도해석 방법을 제안하였다. 먼저 정적 압저항-구조 연성 해석을 통하여 X, Y, Z의 각 방향에 대한 몇 가지 다른 크기의 가속도 입력 하에서 압저항 미소가속도계의 변위와 출력전압을 계산하고, 최소자승법으로 출력전압을 출력점 변위에 관한 2차 다항식으로 근사화한다. 이후에 모드중첩법을 통하여 여러 방향의 고충격하에서 미소가속도계의 과도 변위응답을 계산하고, 이 변위응답을 변위로 표현되는 출력전압 근사식에 대입하여 과도 출력전압을 구한다.
본 절에서는 앞에서 제안한 효율적인 출력전압과도해석 방법을 이용하여 여러 가지 고충격하에 대한 출력전압 과도해석을 수행하였다. 먼저 정적압저항-구조 연성해석을 통하여 X, Y, Z의 각 방향에 대한 몇 가지 가속도 입력 하에서 압저항 미소가속도계의 출력점(Fig. 1의 output)의 변위에 대한 출력전압(V1 및 V2)을 계산하여 아래와 같이 출력전압을 출력점 변위에 관한 2차 다항식으로 근사화한다.
(10) 고충격 입력에 대한 과도 출력전압해석은 식 (2)를 시간적분하여 구해지기 때문에 순차적 연성해석법 특성상 방대한 계산시간이 요구된다. 본 논문에서는 아래 절에서 설명하는 것처럼 모드중첩법을 이용한 변위의 과도해석을 수행하고 그 변위 결과를 변위로 표현되는 출력전압 근사식에 대입하여 과도 출력전압을 근사적으로 계산하였다.
따라서, 한 개의 설계변수에 대한 2차 회귀모델인 경우에 최소 3번의 실험이 요구된다. 본 논문에서는 정적 압저항-구조 해석을 통하여 미소가속도계의 변위와 출력전압을 계산한 후에 출력전압(Vapp)을 특정 위치의 변위(U)에 관한 2차 다항식으로 근사화하고 그 회귀계수를 최소자승법을 통하여 결정한다.
본 절에서는 앞에서 제안한 효율적인 출력전압과도해석 방법을 이용하여 여러 가지 고충격하에 대한 출력전압 과도해석을 수행하였다. 먼저 정적압저항-구조 연성해석을 통하여 X, Y, Z의 각 방향에 대한 몇 가지 가속도 입력 하에서 압저항 미소가속도계의 출력점(Fig.
사인파 형태의 고충격 가속도가 X, Y 및 Z의 각 방향으로 입력될 때, 각 방향의 과도 변위 및 출력전압을 고려하였다. 제안한 방법과 완전적분법의 결과와 함께 도시하면 변위의 경우에는 그래프 상에서 거의 일치하는 결과를 보이며, 출력전압의 경우에도 전반적으로 잘 일치하는 결과를 보였다.
본 논문에서는 여러 가지 충격하에서 압저항 고충격 미소가속도계의 과도 출력전압의 계산시 발생하는 방대한 계산 시간 문제를 모드중첩법 및 최소자승법을 이용하여 압저항 미소가속도계의 실시간 출력전압 계산이 가능하도록 효율적인 출력전압 과도해석 방법을 제안한다. 우선 정적 압저항-구조 해석을 통하여 미소가속도계의 변위와 출력전압을 계산하고 출력전압을 특정 위치의 변위에 관한 2차 다항식으로 근사화하여 그 회귀계수를 최소자승법을 통하여 결정한다. 이후에 모드중첩법을 통하여 여러 방향의 고충격하에서 미소가속도계의 과도 변위응답을 계산하고, 이 변위응답을 변위로 표현되는 출력전압 근사식에 대입하여 과도 출력전압을 구한다.
두번째 고유 진동모드는 미소가속도계의 질량체가 위아래(Y 방향)로 진동하는 굽힘모드 형상이며 그 고유진동수는 480 kHz이다. 이 고유진동수해석 결과를 바탕으로 모드중첩법에 사용할 고유진동모드의 개수를 결정하였다. Fig.
Y 축 방향으로 입력되는 가속도 하에서 R1과 R4는 인장(tension)을 받게 되며, R2와 R3은 압축(compression)을 받게 된다. 이 방법은 휘스톤 브릿지 구성방법 중 출력전압을 극대화하는 방법 중의 하나로 이 경우 저항의 변화에 따른 회로에서의 출력전압은 다음 식으로 계산되며, 본 논문에서는 ANSYS의 연성해석을 통해 출력전압을 계산하였다.
우선 정적 압저항-구조 해석을 통하여 미소가속도계의 변위와 출력전압을 계산하고 출력전압을 특정 위치의 변위에 관한 2차 다항식으로 근사화하여 그 회귀계수를 최소자승법을 통하여 결정한다. 이후에 모드중첩법을 통하여 여러 방향의 고충격하에서 미소가속도계의 과도 변위응답을 계산하고, 이 변위응답을 변위로 표현되는 출력전압 근사식에 대입하여 과도 출력전압을 구한다. 여러 가지 고충격 입력에 대한 고충격 미소가속도계의 수치예제를 통하여 제안한 방법의 정확성 및 효율성을 검증하였다.
구체적인 사양은 Table 1에 표시하였다. 특히 센싱 빔과 힌지 부분과 같이 응력집중이 발생하는 부분은 해석 결과의 정확도를 위하여 충분히 높은 요소밀도를 가지도록 모델링하였다. 압저항-구조 연성해석으로 충격에 대한 출력전압을 계산하는 모델은 UX, UY, UZ, VOLT 4개의 DOF를 가지는 SOLID 226요소로 모델링 되며 총 요소수는 259,253개이다.
대상 데이터
특히 센싱 빔과 힌지 부분과 같이 응력집중이 발생하는 부분은 해석 결과의 정확도를 위하여 충분히 높은 요소밀도를 가지도록 모델링하였다. 압저항-구조 연성해석으로 충격에 대한 출력전압을 계산하는 모델은 UX, UY, UZ, VOLT 4개의 DOF를 가지는 SOLID 226요소로 모델링 되며 총 요소수는 259,253개이다. Fig.
이론/모형
는 이후 각각 M, C, K로 기술한다. 본 논문에서는 식 (3)의 운동방정식과 초기조건(initial condition)으로 구성되는 초기치 문제(initial value problem)을 풀기 위하여 아래와 같은 뉴마크 기법(Newmark method)를 사용하였다.(17) 뉴마크 기법은 시간 t와 t + ∆t사이에서 속도와 변위의 관계를 아래와 같이 가정한다.
따라서, 고충격 입력에 대한 출력전압 해석에는 이러한 문제를 해결할 수 있는 해석 방법이 이용되어야 한다. 본 논문에서는 이를 위하여 모드중첩법(mode superposition method)과 최소자승법(least square method)을 이용하였다.
압저항 효과에 따른 출력전압(Vo=|V1−V2|)을 얻기 위하여 Fig. 3과 같이 4-gauge 휘스톤 브릿지 회로 방식을 사용하였다.
이러한 타입으로 두 개의 웨이퍼가 접착된 힌지 구조 및 양단지지의 브릿지 형태를 가진 고충격 미소가속도계,(7) 외팔보의 판 형태의 고충격 미소가속도계,(8) 두 개의 동일한 질량을 가진 양단지지의 판 형태를 가진 고충격 미소가속도계(9) 등이 대표적인 예이다. 이러한 압저항 미소가속도계의 입력 충격에 대한 출력전압을 해석하기 위한 압저항-구조 연성해석에는 순차적 연성해법(sequential coupling method)이 이용된다.(10) 압저항-구조의 연성해석 결과는 먼저 변위장을 계산하고 그 이후 압저항 효과를 계산하므로 최소한 두 번의 축차(iteration)가 필요하다.
성능/효과
(1) 고충격 압저항형 미소가속도계에서 여러 가지 입력 가속도에 대하여 n=15인 모드중첩법을 사용하여 각 방향의 과도 변위응답을 근사적으로 계산하는 경우, 입력 가속도의 종류와 상관없이 근사화된 변위는 완전적분법의 결과와 잘 일치하였다.
(2) 100,000 G 고충격시험에서 측정된 고충격파 및 사인파와 같이 가속도의 변화가 연속적인 입력에 대해서는 모든 입력 방향에 대하여 제안한 방법으로 완전적분법의 과도 출력전압의 응답과 거의 일치하였다. 이를 통하여 완전적분법의 1% 미만의 계산 비용으로 거의 동일한 출력전압의 계산이 가능하였다.
(3) 계단파와 사각파와 같이 입력 가속도가 순간적으로 크게 변화하는 비연속적인 경우, 제안한 방법을 사용하면 입력 가속도의 변화가 연속적인 경우보다 근사된 과도 출력전압에 다소 큰 오차가 발생하였다. 특히 가속도 급격히 변화하여 응답의 피크값이 발생하는 부분에서 완전적분법으로 계산된 출력전압을 충분히 따라가지 못함을 알 수 있다.
이후에 모드중첩법을 통하여 여러 방향의 고충격 하에서 미소가속도계의 과도 변위응답을 계산하고 이 변위응답을 식 (20) 및 (21)에 대입하여 최종과도 출력전압을 구한다. 입력 가속도로는 (a) 100,000 G 고충격시험에서 측정된 고충격파, (b) 사인파(sine)와 같은 연속적인 입력과 (c) 계단파(step) 그리고 (d) 사각파(square)와 같은 비연속적인 입력을 각각 고려하였으며 미소가속도계의 횡감도 예측을 위하여 원래 가속도 방향인 Y뿐만 아니라 X 및 Z에 대한 가속도 입력에도 과도 출력전압을 예측하여 제안한 방법의 정확성 및 효율성을 검증하였다.
(Fig. 7~9 (a) 참조) 완전적분법과 제안한 방법의 계산 시간 측면에서는 ANSYS의 완전적분법을 이용하는 경우, 총 해석 시간이 129,056 s가 소요되었으며, 제안한 방법의 경우에는 모든 과정을 수행하는데, 완전적분법의 약 1%정도인 1,180 s 정도가 소요되었다.(Table 5 참조) 특히, 횡감도를 위한 출력전압을 예측하는 경우, 근사식 (20)에서 X방향의 횡감도를 위해서는 UX를 사용하고 Z방향의 횡감도를 위해서는 UZ를 사용하는 것이 더 정확한 근사가 가능하였다.
입력 가속도가 순간적으로 크게 변화하는 비연속적인 계단파를 고려하였다. 875 km/s2 크기의 계단파 형태의 고충격 가속도가 X, Y 및 Z의 각 방향으로 입력될 때, 각 방향의 과도 변위응답에 대하여 n=15인 모드중첩법으로 완전적분법의 결과와 거의 일치하는 결과를 얻을 수 있었다. 출력전압의 경우는 연속적인 입력 가속도의 경우보다 오차가 크게 발생하였다.
따라서, 이후에 출력전압 과도해석에는 n=15의 변위 응답을 사용하였다. X, Y, Z의 각 방향가속도에 대하여 n=15을 사용한 경우의 과도 변위 및 출력전압을 완전적분법의 결과와 함께 도시하면 그래프 상에서 차이를 확인할 수 없을 정도로 잘 일치하였다.(Fig.
특히 가속도 급격히 변화하여 응답의 피크값이 발생하는 부분에서 완전적분법으로 계산된 출력전압을 충분히 따라가지 못함을 알 수 있다. 또한, 전반적으로 횡방향(X 및 Z방향)의 출력 전압 응답이 조금 더 큰 오차를 보였다. 그러나, 실제의 입력 가속도는 이와 같은 비연속성을 가지는 경우는 거의 없으므로 제안된 방법은 센서의 감도 및 횡감도의 예측에 충분히 사용될 수 있을 것으로 판단된다.
1 µs로 하였다. 모드중첩법에 초기 5, 10 및 15개의 고유진동모드를 사용함에 따른 각 방향 변위를 비교하였을 때, 사용하는 고유진동모드의 수가 증가할수록 완전적분법과의 차이가 감소하며 n=10 및 15개의 고유진동모드로 계산된 변위 응답은 완전적분법으로 계산된 결과와 거의 일치함을 알 수 있었다. 따라서, 이후에 출력전압 과도해석에는 n=15의 변위 응답을 사용하였다.
본 논문에서 고려하는 고충격 압저항형 미소가속도계(7)는 두 개의 웨이퍼가 접착된 힌지 구조 및 양단지지의 브릿지 형태를 가진 구조로 아래위(Y 방향)로 큰 가속도가 입력되었을 경우에 구조적 안정성을 유지하며 외팔보 형태보다 더 높은 고유진동수를 가질 수 있다는 점에서 유리하다. 이 미소가속도계는 Fig.
이후에 모드중첩법을 통하여 여러 방향의 고충격하에서 미소가속도계의 과도 변위응답을 계산하고, 이 변위응답을 변위로 표현되는 출력전압 근사식에 대입하여 과도 출력전압을 구한다. 여러 가지 고충격 입력에 대한 고충격 미소가속도계의 수치예제를 통하여 제안한 방법의 정확성 및 효율성을 검증하였다.
7~9 (d)와 같이 비연속적 입력 가속도인 사각파를 고려하였다. 이 경우에도 고충격 가속도가 X, Y 및 Z의 각 방향으로 입력될 때, 각 방향의 과도 변위응답에 대하여 n=15인 모드중첩법으로 완전적분법의 결과와 거의 일치하는 결과를 얻을 수 있었다. 출력전압의 경우도 계단파 가속도 입력의 경우처럼 가속도가 급격히 변화하는 비연속적인 부근의 피크값에서 완전적분법으로 계산된 출력전압을 충분히 따라가지 못함을 알 수 있다.
(2) 100,000 G 고충격시험에서 측정된 고충격파 및 사인파와 같이 가속도의 변화가 연속적인 입력에 대해서는 모든 입력 방향에 대하여 제안한 방법으로 완전적분법의 과도 출력전압의 응답과 거의 일치하였다. 이를 통하여 완전적분법의 1% 미만의 계산 비용으로 거의 동일한 출력전압의 계산이 가능하였다. 특히, 횡감도를 위한 출력전압을 예측하는 경우, 근사식 (20)에서 X방향의 횡감도를 위해서는 UX를 사용하고 Z방향의 횡감도를 위해서는 UZ를 사용하는 것이 더 정확한 근사가 가능하였다.
사인파 형태의 고충격 가속도가 X, Y 및 Z의 각 방향으로 입력될 때, 각 방향의 과도 변위 및 출력전압을 고려하였다. 제안한 방법과 완전적분법의 결과와 함께 도시하면 변위의 경우에는 그래프 상에서 거의 일치하는 결과를 보이며, 출력전압의 경우에도 전반적으로 잘 일치하는 결과를 보였다. 전반적으로 횡방향(X 및 Z방향)의 응답이 조금 더 큰 오차를 보였다.
후속연구
또한, 전반적으로 횡방향(X 및 Z방향)의 출력 전압 응답이 조금 더 큰 오차를 보였다. 그러나, 실제의 입력 가속도는 이와 같은 비연속성을 가지는 경우는 거의 없으므로 제안된 방법은 센서의 감도 및 횡감도의 예측에 충분히 사용될 수 있을 것으로 판단된다.
질의응답
핵심어
질문
논문에서 추출한 답변
미소가속도계란 무엇인가?
미소가속도계는 시스템에 가해지는 가속도, 진동 및 충격 등을 감지하여 이를 전기적 신호로 변환하는 센서이다. 특히 미소가속도계는 MEMS 압력 센서 다음으로 MEMS의 큰 시장을 형성하고 있다.
고충격 미소가속도계에 압저항형 미소가속도계가 사용된 예로 무엇이 있는가?
일반적으로 고충격 미소가속도계에는 구조적 안전성 측면에서 압저항형 미소가속도계가 사용된다. 이러한 타입으로 두 개의 웨이퍼가 접착된 힌지 구조 및 양단지지의 브릿지 형태를 가진 고충격 미소가속도계,(7) 외팔보의 판 형태의 고충격 미소가속도계,(8) 두 개의 동일한 질량을 가진 양단지지의 판 형태를 가진 고충격 미소가속도계(9) 등이 대표적인 예이다. 이러한 압저항 미소가속도계의 입력 충격에 대한 출력전압을 해석하기 위한 압저항-구조 연성해석에는 순차적 연성해법(sequential coupling method)이 이용된다.
실리콘 미소가속도계 발전 역사에 대해 설명하시오.
특히 미소가속도계는 MEMS 압력 센서 다음으로 MEMS의 큰 시장을 형성하고 있다. 실리콘 미소가속도계는 1979년에 Roylance(1)에 의해 발표된 이후, 우수한 실리콘의 기계적 성질과 기존에 확립된 반도체 집적회로 공정기술 덕분에 소자의 소형화, 경량화 및 저가격화가 가능하여 많은 발전이 이루어졌다.(2~4) 지금까지 발표된 실리콘 미소가속도계는 주로 박막형성이 용이한 폴리실리콘을 표면 마이크로머시닝하여 제작한 정전용량형(capacitive type)(2)과 단결정 실리콘 위에 압저항소자를 제작하고 이를 기판 마이크로머시닝으로 박막 가공하여 만든 압저항형(piezoresistive type)(3)의 두 가지로 크게 나눌 수 있다.
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