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사파이어 단결정의 Kyropoulos 성장시 도가니 형상에 따른 유동장 및 결정성장 거동의 CFD 해석
CFD analysis for effects of the crucible geometry on melt convection and growth behavior during sapphire single crystal growth by Kyropoulos process 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.22 no.3, 2012년, pp.115 - 121  

류진호 (부산대학교 재료공학부) ,  이욱진 (부산대학교 재료공학부) ,  이영철 (한국생산기술연구원) ,  조형호 (한국생산기술연구원) ,  박용호 (부산대학교 재료공학부)

초록
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사파이어 단결정은 GaN계 화합물 증착이 용이하여 고휘도의 청색을 구현하기 위한 LED(Light Emitting Diode)용 기판으로 크게 각광받고 있다. 공업용 사파이어의 제조 방법으로는 Kyropoulos법, Czochralski법 HEM(Heat Exchager Method)등 다양한 방법이 시도되고 있으며, 그 중 Kyropoulos법은 고품질의 대구경 사파이어 단결정 성장이 가능한 대표적인 방법으로 알려져 있다. 그러나 Kyropoulos 공정의 특성상 결정성장로 내에서 용융 사파이어의 유동장이 단결정의 최종 품질을 결정하는데, 유동장의 변화와 이에 따르는 결정성장 거동을 관찰하기가 어렵다는 단점이 있다. 대구경화와 동시에 고품질의 사파이어 단결정을 생산하기 위해서는 성장로내의 유동장 해석을 통해 결정 성장조건을 최적화 하는 것이 필요하다. 본 연구에서는 유한요소법을 기반으로 한 전산유동해석을 통해 Kyropoulos 성장로 내의 도가니 형상의 종횡비(h/d)에 따른 용융 사파이어의 대류거동을 관찰하여 도가니의 형상이 단결정 성장에 미치는 영향을 분석하였으며, 성장로의 설계시 도가니의 종횡비를 작게 고려하면 용융 사파이어의 대류속도를 늦추고 계면의 convexity를 줄여 사파이어 단결정의 품질향상에 도움이 된다는 결과를 얻었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Sapphire single crystals have been highlighted for epitaxial gallium nitride films in high-power laser and light emitting diode (LED) industries. Among the many crystal growth methods, the Kyropoulos process is an excellent commercial method for growing larger, high-optical-quality sapphire crystals...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 특히 KY법을 통해 사파이어를 성장시키는 경우 결정의 A축으로 단결정을 성장시켜 C축 방향으로 절단, 기판소재로 활용하기 때문에 최종 잉곳의 크기 및 전체 성장로의 제조효율이 도가니의 종횡비에 의해 크게 좌우되며, 또한 용탕의 유동 및 결정성장 거동 또한 도가니의 종횡비에 따라 달라지므로 도가니의 종횡비를 적절히 선택하는 것이 KY 성장로의 설계에 있어 필수적인 인자 중 하나이다. 따라서 본 연구에서는 전산유동해석을 통해 KY 성장로 내의 도가니의 종횡비가 용융 사파이어의 대류거동과 고액계면의 성장거동에 미치는 영향을 분석하며, 이를 통해 KY 성장로 설계에 있어서 최적의 도가니 종횡비를 도출해내고자 하였다.

가설 설정

  • 결정성장이 진행되는 동안 Seed의 온도는 일정하게 유지 된다고 가정하였다.
  • 본 연구에서 용융 Al2O3의 유동은 Navier-Stokes 식에 의해 결정된다고 가정하였으며, 해석에 쓰인 연속 방정식, 운동량 방정식, 에너지 방정식은 각각 다음과 같다.
  • 본 연구에서는 텅스텐 히터에 의해 가열된 도가니의 바닥을 포함한 내벽의 온도구배는 없다고 가정하였으며, KY 성장시 도가니의 온도를 매우 서서히 떨어뜨리면서 결정성장이 진행되기 때문에 각 성장단계에서 용탕과 접하는 도가니 내벽의 온도가 일정하다고 가정하였다.
  • 용탕의 자유표면은 평면으로 가정하였으며, 온도에 따른 점성변화에 의한 표면장력 효과를 고려하였다. 자유표면에서의 열전달은 대류나 전도에 의한 열전달이 복사열에 의한 열전달에 비해 무시할 만큼 작다고 가정하였다.
  • 용탕의 자유표면은 평면으로 가정하였으며, 온도에 따른 점성변화에 의한 표면장력 효과를 고려하였다. 자유표면에서의 열전달은 대류나 전도에 의한 열전달이 복사열에 의한 열전달에 비해 무시할 만큼 작다고 가정하였다.
  • 해석에 사용된 사파이어 및 용융 Al2O3의 물리, 광학적 재료물성들을 Table 1에 나타내었다. 해석 시 용융 Al2O3는 비압축성 점성유체 거동을 한다고 가정하였으며, 단결정 및 용융 Al2O3 모두 등방성을 가정하여 시뮬레이션을 단순화하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
공업에서 사파이어 단결정은 무엇으로 각광받고 있는가? 사파이어 단결정은 GaN계 화합물 증착이 용이하여 고휘도의 청색을 구현하기 위한 LED(Light Emitting Diode)용 기판으로 크게 각광받고 있다. 공업용 사파이어의 제조 방법으로는 Kyropoulos법, Czochralski법 HEM(Heat Exchager Method)등 다양한 방법이 시도되고 있으며, 그 중 Kyropoulos법은 고품질의 대구경 사파이어 단결정 성장이 가능한 대표적인 방법으로 알려져 있다.
Kyropoulos법의 단점은 무엇인가? 공업용 사파이어의 제조 방법으로는 Kyropoulos법, Czochralski법 HEM(Heat Exchager Method)등 다양한 방법이 시도되고 있으며, 그 중 Kyropoulos법은 고품질의 대구경 사파이어 단결정 성장이 가능한 대표적인 방법으로 알려져 있다. 그러나 Kyropoulos 공정의 특성상 결정성장로 내에서 용융 사파이어의 유동장이 단결정의 최종 품질을 결정하는데, 유동장의 변화와 이에 따르는 결정성장 거동을 관찰하기가 어렵다는 단점이 있다. 대구경화와 동시에 고품질의 사파이어 단결정을 생산하기 위해서는 성장로내의 유동장 해석을 통해 결정 성장조건을 최적화 하는 것이 필요하다.
공업용 사파이어의 제조 방법으로는 무엇이 있는가? 사파이어 단결정은 GaN계 화합물 증착이 용이하여 고휘도의 청색을 구현하기 위한 LED(Light Emitting Diode)용 기판으로 크게 각광받고 있다. 공업용 사파이어의 제조 방법으로는 Kyropoulos법, Czochralski법 HEM(Heat Exchager Method)등 다양한 방법이 시도되고 있으며, 그 중 Kyropoulos법은 고품질의 대구경 사파이어 단결정 성장이 가능한 대표적인 방법으로 알려져 있다. 그러나 Kyropoulos 공정의 특성상 결정성장로 내에서 용융 사파이어의 유동장이 단결정의 최종 품질을 결정하는데, 유동장의 변화와 이에 따르는 결정성장 거동을 관찰하기가 어렵다는 단점이 있다.
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참고문헌 (13)

  1. A. Wang, G. Pickrell and R. May, Single-Crystal Sapphire Optical Fiber Sensor Instrumentation, Virginia Polytechnic Institute (US) Technical Report Chap. 3 (2002). 

  2. J.K. Kang and Y.J. Kim, "Fabrication and characterization of tilted R-plane sapphire wafer for nonpolara-plane GaN", Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology 21(5) (2011) 187. 

  3. Chandra P. Khattak and Frederick Schmid, "Growth of the world's largest sapphire crystals", Journal of Crystal Growth 225 (2001) 572. 

  4. S.E. Demina, E.N. Bystrova, M.A. Lukanina, V.M. Mamedov, V.S. Yuferev, E.V. Eskov, M.V. Nikolenko, V.S. Postolov and V.V. Kalaev, "Numerical analysis of sapphire crystal growth by the Kyropoulos technique", Optical Materials 30 (2007) 62. 

  5. S.J. Lim, H.Y. Shin, J.H. Kim and J.I. Im, "Finite element analysis for czochralski growth process of sapphire single crystal", Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology 21(5) (2011) 193. 

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  7. W.J. Lee, Y.C. Lee, H.H. Jo and Y.H. Park, "Effect of crucible geometry on melt convection and interface shape during Kyropoulos growth of sapphire single crystal", Journal of Crystal Growth 324 (2011) 248. 

  8. A.T. Kuliev, N.V. Durnev and V.V. Kalae, "Analysis of 3D unsteady melt flow and crystallization front geometry during a casting process for silicon solar cells", Journal of Crystal Growth 303 (2007) 236. 

  9. C.-W. Lu, J.-C. Chen, C.-H. Chen, C.-H. Chen, W.-C. Hsu and C.-M. Liu, "Effects of RF coil position on the transport processes during the stages of sapphire Czochralski crystal growth", Journal of Crystal Growth 312 (2010) 1074. 

  10. FluentInc., Fluent 12.0 Theory Guide, Pennsylvania: Canonsburg (2009). 

  11. FluentInc., Fluent 12.0 User's Guide, Pennsylvania: Canonsburg (2009). 

  12. White, Frank M., Viscous fluid flow, New York, McGraw-Hill (1991). 

  13. J.C. Chen and C.W. Lu, "Influence of the crucible geometry on the shape of the melt-crystal interface during growth of sapphire crystal using a heat exchanger method", J. Crystal Growth 266 (2004) 239. 

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