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촉매가 첨가된 SnO2 가스센서의 탄화수소 가스에 대한 감응 특성
Gas Sensing Characteristics of SnO2 Coated with Catalyst for Hydrocarbon Gas 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.22 no.7, 2012년, pp.358 - 361  

이지영 (동의대학교 물리학과) ,  유일 (동의대학교 물리학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Co and Ni as catalysts in $SnO_2$ sensors to improve the sensitivity for $CH_4$ gas and $CH_3CH_2CH_3$ gas were coated by a solution reduction method. $SnO_2$ thick films were prepared by a screen-printing method onto $Al_2O_3$ substrates with a...

주제어

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문제 정의

  • 본 논문에서는 모물질인 SnO2에 촉매로 Co와 Ni를 부착시켜 SnO2:Co와 SnO2:Ni센서를 제조를 통해 Co와 Ni 농도변화에 따른 메탄, 프로판 가스에 대한 감응 특성을 조사하였다. SnO2:Ni 센서는 촉매로 사용된 Ni의 농도가 6 wt%에서 5 ppm의 메탄 가스에 대한 감도가 가장 좋게 나타났다.
  • 본 연구에서는 모물질인 SnO2에 촉매로 Co와 Ni를 부착시켜 SnO2:Co와 SnO2:Ni를 제조하여, Co와 Ni 농도 변화에 따른 메탄, 프로판 가스에 대한 감응 특성을 연구하였다. 그리고 촉매의 농도 변화에 따른 반응 시간 및 회복 시간에 대해 조사하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
반도체식 가스센서의 장점은? 정전위 전해 방식은 선택성이 우수하지만 수명이 짧고 장치 구조가 복잡한 단점이 있으며, 비분산 적외선 방식은 가격이 비싸고, 필터 등의 부가 장치가 요구되는 단점이 있다. 이에 반해 반도체식 가스센서는 다른 방식의 가스센서에 비해 감도, 신뢰성, 반응속도, 회복속도가 우수하며 제작이 용이할 뿐만 아니라 적당한 촉매제의 첨가로 특정 가스에 대한 선택성의 부여가 가능하다는 장점을 지니고 있다.1~3)
SnO2:Ni 센서는 촉매로 사용된 Ni의 농도가 6 wt%에서 5 ppm의 메탄 가스에 대한 감도가 가장 좋게 나타났는데, 그 이유는? SnO2:Ni 센서는 촉매로 사용된 Ni의 농도가 6 wt%에서 5 ppm의 메탄 가스에 대한 감도가 가장 좋게 나타났다. 이 같은 결과는 Ni의 첨가에 따라 SnO2의 입자 크기가 감소로 인한 가스 반응의 비표면적이 넓어졌기 때문으로 여겨진다. 그리고 촉매의 농도 변화에 따른 반응 시간 및 회복 시간은 20초와 9초로 매우 빠른 반응 특성을 나타낸다.
SnO2의 물리화학적 특성은 어떤 인자에 의존하는가? SnO2는 가스센서의 감지물질, 투명 전도성 전극 등에 폭넓게 사용되고 있다. SnO2의 물리·화학적 특성은 합성된 입자의 형상 및 크기에 크게 의존하기 때문에, 구형입자, 판상, 피라미드형 등과 같이 다양한 형태의 입자를 합성 하는 연구가 수행되고 있다.4~7) 또한, SnO2의 합성은 용액 합성법, 수열합성법, 초음파를 이용한 방법, 열 또는 전자 빔을 이용한 증발 법, 기계-화학적 방법 등 다양하게 시도되고 있다.
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참고문헌 (10)

  1. C. Lu, Z. Chen and V. Singh, Sensor. Actuator. B Chem., 146, 145 (2010). 

  2. K. Chatterjee, S. Chatterjee, A. Banerjee, M. Raut, N. C. Pal, A.Sen and H. S. Maiti, Mater. Chem. Phys., 81, 33 (2003). 

  3. S. J. Chen, Y. C. Liu, C. L. Shao, R. Mu, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, D. Z. Shen and X. W. Fan, Adv. Mater., 17, 586(2005). 

  4. B. R. Kim, C. M. Park, W. J. Lee and I. S. Kim, Kor. J. Met. Mater., 48(12). 1084 (2010). 

  5. C. S. Moon, H. -R. Kim, G. Auchterlonie, J. Drennan and J. -H. Lee, Sensor. Actuator. B Chem., 131, 556 (2008). 

  6. J. H. Yoon, H. J. Lee and J. S. Kim, Kor. J. Met. Mater., 48, 169 (2010). 

  7. J. -W. Lee, S. -J. Park and H. -C. Shin, Kor. J. Mater. Res., 21(1), 21 (2011) (in Korean). 

  8. K. C. Park and T. Y. Ma, J. KIEEME, 24, 641(2011) 

  9. D. C. Paine, B. Yaglioglu, Z. Beiley and S. Lee, Thin Solid Films, 516, 5894 (2008) 

  10. O. K. Kim, H. Kim and D. Kim, Kor. J. Mater. Res., 22(5), 237 (2012) (in Korean). 

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