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한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.16 no.8, 2012년, pp.1747 - 1752
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The SiOC film of carbon centered system was prepared using bistrimethylsilylmethane (BTMSM) and oxygen mixed precursor by the chemical vapor deposition. The dielectric constant is measured by MIS(metal/insulator/Si) structure, but it could decrease the reliability because the uniformity is not assur...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| SiOC 박막은 어떻게 증착하는가? | 탄소를 포함한 SiOC 박막은 BTMSM과 산소의 혼합 프리커서를 이용하여 CVD방법으로 증착하였다. 전통적으로 유전상수를 측정하기 위해서 MIS(금속/절연막/반도체)방법을 이용하는데 박막의 균일성을 보장할 수 없기 때문에 나타나는 오차의 한계를 보상하기 위해서 광학적인 분석방법과 경도측정 등을 통하여 SiOC 박막이 분극이 낮아지는 영역을 추적하였다. | |
| SiOC 산화막의 특징은 무엇인가? | 이러한 유기물 산화막으로는 저 유전물질로서 SiOC 박막, 전도성 산화막으로는 투명전극으로 불려지는 ITO, ZnO, AZO, IGZO 박막 등이 있으며, 이러한 물질들이 OTFT (Organic Thin Film Transistor) 혹은 솔라셀에 적용하였을 경우 전기적인 특성이 좋아진다는 연구결과들이 있다[1-3]. SiOC 산화막인 경우 유전적인특성이 SiO2 박막에 비하여 우수하며, 비정질구조로써 트랜지스터의 게이트 산화막으로 사용할 경우 활성층의 결정성을 증가시켜서 이동도가 증가하게 된다. 투명전극의 산화막은 비정질구조를 이용한 유연성의 증가와 표면의 평탄성을 개선하여 전기적인 특성을 개선하고자 하는 연구가 이루어지고 있다. | |
| 화학기상증착법에 의한 SiOC 박막이 SOD 방법보다 차세대 절연물질이 될 것으로 주목받는 이유는 무엇인가? | 층간 절연막으로 잘알려진 SiOC 박막은제조 방법에 따라 SOD(spin on deposition)벙법과 화학기상증착법 (chemical vapor deposition)방법 2가지 종류가있다. SOD 및 CVD를 이용하여 현재 상업화 되고 있는데, 평탄도나 균일성면에 있어서 CVD 방법에 의한SiOC 박막이 차세대 절연물질이 될 것으로 주목받고 있다[7-9]. 따라서 절연막으로써의 SiOC 박막의 유전상수에 대하여 항상 이슈가 되어왔다. |
T. Oh, "Organic thin film transistors using pentacene and SiOC film", IEEE transactions on Nanotechnology, Vol. 5, p. 23, 2006.
M. J. Kellicutt, I. S. Suzuki, C. R. Burr, M. Suzuki, M. Ohashi, and M. S. Whittingham, "Variable-rangehopping conduction and the Pool-Frankel effect in a copper polyaniline vermiculite intercalation compound", Physical Review B., Vol. 47, No. 20, p. 13664, 1993.
P. W. May, S. Hohn, W. N, Wang, and N. A. Fox, "Field emission conduction mechanisms in chemical vapor deposited diamond and diamondlike carbon films", Appl. Phys. Lett., Vol. 27, p. 2182, 1998.
I. Kymissis, C. D. Dimitrakopoulos, and S. Purushothaman, "High-performance bottom electrode organic thin-film transistors", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 48, p. 1060, 2001.
D. J. Gundlach, Y. Y. Lin, T. N. Jackson, S. F. Nelson, and D. G. Schlom, "Pentacene organic thin-film transistors-molecular ordering and mobility", IEEE Electron Device Letters, Vol. 18, p. 87, 1997.
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T. Oh and H. B. Kim, "Pentacene thin film trasnsistors on PMMA treated $SiO_{2}$ ", Transactions on Electrical and Electronic Materials, Vol. 7, No. 7, p. 639, 2006.
Teresa Oh, "Comparision between organic thin films deposited by using CCP-CVD and ICP-CVD," J. Korean Phys. Soc. Vol. 55, pp. 1950-1954, 2009.
P. Masri, "Silicon carbide and silicon carbide- based structures: The physics of epitaxy", Surface science reports, Vol. 48, p. 1, 2002.
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