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NTIS 바로가기ETRI journal, v.34 no.1, 2012년, pp.134 - 137
Lho, Young-Hwan (Department of Railroad Electricity and Information Communications, Woosong University) , Yang, Yil-Suk (Convergence Components & Materials Research Laboratory, ETRI)
Power metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices are widely used in power electronics applications, such as brushless direct current motors and power modules. For a conventional power MOSFET device such as trench double-diffused MOSFET (TDMOS), there is a tradeoff relationshi...
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Y. Chen, Y.C. Liang, and G.S. Samudra, "Design of Gradient Oxide-Bypassed Super-Junction Power MOSFET Devices," IEEE Trans., vol. 22, no. 4, July 2007, pp. 1303-1309.
Y. Wang et al., "Gate Enhanced Power UMOSFET with Ultralow On-Resistance," IEEE Electron. Device Lett., vol. 31, no. 4, Apr. 2010, pp. 338-340.
B.J. Baliga, Advanced Power MOSFET Concepts, New York Springer-Science, 2010, pp. 323-354.
J.A. Yedinack et al., "Super-Junction Structures and Fabricating Methodologies for Power Devices," Korean Patent: 10-2010- 0083153.
J. Kim et al., "A Novel Technique for Fabricating High Reliable Trench DMOSFETs Using Self-Align Technique and Hydrogen Annealing," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 50, no. 2, 2003, pp. 378-383.
S.-G. Kim et al., "High-Density Nano-Scale N-Channel Trench- Gated MOSFETs Using the Self-aligned Technique," J. Korean Physical Society, vol. 57, no. 4, Oct. 2010, pp. 802-805.
SILVACO TCAD Manual, Atlas, 2011.
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