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기-액 상변화 열전달식 고온 히터 플레이트의 작동 특성과 성능에 관한 연구
A Study on the Heat Transfer Characteristics and Performance of the High Temperature Range Heater Plate Using Liquid-Vapor Phase Change Heat Transfer 원문보기

한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.46 no.6, 2013년, pp.283 - 289  

강환국 (동은에이티에스) ,  임광빈 (신안산대학교 기계과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The experimental study for the temperature uniformity on the wafer using liquid-vapor phase heat transfer mechanism is performed. For the experiment, the heater plate which is consist of stainless steel container, working fluid and electrical heater is designed, manufactured and tested at the range ...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 저온에서는 얼음의 융해과정에서의 등온벽을 얻을 수 있으며 섭씨 수백도의 고온에서 등온가열 조건을 얻는 방법으로써 작동유체의 기-액 상변화 과정이 적용된 튜브로가 개발되었으며 높은 등온성을 확인할 수 있었다10). 본 연구에서는 그 동안의 연구 결과를 기초로 기-액 상변화 열전달 과정에서의 등온 성을 갖는 200 mm용 고온 히터 플레이트를 설계, 제작하여 히터 플레이트의 등온성 및 웨이퍼 상에서의 온도 특성에 대하여 실험을 수행하였다. 그리고 기존의 균일 열유속 가열구조의 히터 플레이트를 이용한 웨이퍼상에서 계측된 실험결과와 비교하였다.
  • 본 연구에서는 반도체용 웨이퍼의 등온성 향상을 위한 방법으로 기-액 상변화 열전달을 이용하는 히터 플레이트의 등온성 및 웨이퍼 표면에서의 온도 특성에 대하여 실험을 수행하였다. 실험결과는 동일한 지름을 갖는 기존의 균일 열유속 가열 구조의 히터 플레이트의 성능과 비교하였다.
  • 본 절에서는 먼저 나트륨을 작동유체로 하는 상변화 열전단식 히터 플레이트의 작동특성과 온도 분포의 특성을 파악하고자 히터 플레이트의 상부 표면에 설치된 열전대로부터 계측된 결과를 고찰하였다. 그림 9는 본 연구에서 제작한 기-액 상변화형 히터 플레이트가 가열될 때 히터 플레이트의 시간에 따른 온도를 측정한 결과를 보여준다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
웨이퍼의 온도 구배에 미치는 인자에는 무엇이 있는가? 또한 웨이퍼를 요구되는 온도로 균일하게 가열하여 빠른 시간 내에 유지하는 것은 웨이퍼의 특성뿐 아니라 반도체 소자의 생산수율에 직접적인 영향을 미치며 점차 대면적화 하는 추세이다. 온도 구배에 미치는 인자들로는 각 구성물질의 열적물성, 내부 진공도, 가열면의 열적 상태, 열전달 요소 간 온도 등이며, 상호 매우 복잡하게 관련되어 있다. 그 동안 관련 반응기의 온도와 대류 열전달 계수 및 열 복사의 영향에 관한 연구2-4), 반도체용 히터 플레이트의 열전달 해석5), 챔버 내부 자연대류의 온도균일도에 미치는 영향 및 서셉터(susceptor) 설계와 관련한 연구6-9) 등 많은 연구가 수행되었다.
반도체 공정 장비에서 코팅층의 우수한 특성과 웨이퍼의 변형 방지 등을 고려한 고품질 반도체를 얻기 위하여 히터 플레이트의 매우 균일한 온도 분포가 요구되는 이유는 무엇인가? 이러한 공정 장비에서는 코팅층의 우수한 특성과 웨이퍼의 변형 방지 등을 고려한 고품질을 얻기 위하여 가열장치인 히터 플레이트의 매우 균일한 온도 분포가 요구되고 있다1). 이는 증발되는 소재와 웨이퍼 또는 이미 증착된 소재와의 완전 결합을 위한 최적의 증착조건을 달성하는 데 필요하기 때문이다. 예를 들어 CuInGaSe2 및 CdTe 등 다원소 화합물 흡수체를 이용한 솔라셀(solar cell)의 경우, 웨이퍼의 공정온도를 일정한 상태로 유지시켜야 할 뿐만 아니라, 웨이퍼 상의 온도구배를 최소화시킴으로써 화합물 반도체 상변이를 웨이퍼(기판)의 전면에 균일하게 하여 변환효율의 증대를 얻고자 하고 있다.
반도체 공정에서 각종 소재를 웨이퍼 상에 증착하기 위해 사용되는 공정은 무엇인가? 반도체 공정을 통해 각종 소재를 웨이퍼(wafer)상에 증착(deposition)하기 위해 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 공정및 스퍼터(sputter) 공정이 많이 이용되고 있다. 이러한 공정 장비에서는 코팅층의 우수한 특성과 웨이퍼의 변형 방지 등을 고려한 고품질을 얻기 위하여 가열장치인 히터 플레이트의 매우 균일한 온도 분포가 요구되고 있다1).
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참고문헌 (11)

  1. D. H. Choi, J. KSME B, 40 (2000) 39. 

  2. T. J. Mountziaris, K. F. Jenson, J. Eletrochemical Soc. 138 (1991) 2426. 

  3. R. Mucciato, N. J. Lovergine, Crystal Growth, 221 (2000) 758. 

  4. T. Bergunde, M. Dauelsberg, L. Kadinski, L. Makarov, N. Yu, V. S. Yuferev, D. Schmiz, G. Strauch, J. Crystal Growth, 180 (1997) 660. 

  5. Y. Y. Lee, H. K. Kang, S. H. Moon, J. Kor Inst. Surf. Eng., 43 (2010) 309. 

  6. J. S. Park, H. G. Kwon, H. H. Cho, Proc. KSME, (2007) 3165. 

  7. J. H. Lee, J. B. Yoo, S. I. Bae, J. Kor. Crystal Growth and Crystal Tech., 15 (2005) 135. 

  8. S. Y. Lee, H. H. Cho, Y. W. Lee, Proc. KSME, (2000) 261. 

  9. Y. H. Park, Trans. KSME B, 27 (2003) 1525. 

  10. H. S. Hong, M. S. Kong, H. K. Kang, J. of KSHT, 22( 2009) 162. 

  11. P. D. Dunn, D. A. Reay, Heat pipes, Pergamon Press, 4Ed., (1994) 107. 

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