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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.1, 2013년, pp.56 - 63
김형민 (경상대학교 반도체공학과) , 마대영 (경상대학교 전기공학과) , 박기철 (경상대학교 반도체공학과)
IGZO thin films have been prepared by RF magnetron sputtering. The structural, electrical and optical properties of the IGZO thin films have been investigated as a function of deposition condition. XRD analysis of IGZO thin films showed a typical crystallographic orientation with c-axis perpendicula...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnO이 가지고 있는 특성은? | 이러한 문제들을 해결하기 위해 대체 물질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 ZnO 는 ITO에 비해 원료 물질이 풍부하여 가격이 월등히 저렴하며, 박막의 경우 고온에서의 열적인 안정성을 가지고 있다. 3.4 eV대의 에너지 밴드갭을 가지고 있으며, 가시광 영역에서의 우수한 광투과도 특성을 갖는다. 또한 비화학양론적인 조성에 기인하여 비교적 낮은 비저항을 갖는 n형 반도체 특성을 가지고 있다. 그럼에도 불구하고 Ⅲ족 원소 (B, Al, Ga, In)를 도핑 함으로써 더 우수한 전기적 특성을 얻을 수 있는 것으로 보고되고 있다 [3-5]. | |
투명전극으로 활용가능한 투명도전성 산화막은 어떤 요건이 요구되는가? | 투명도전성 산화막 (transparent conductive oxide, TCO)은 평판 디스플레이, 박막 태양전지, 광전자 소자 등에 투명전극으로 많이 활용되고 있다 [1,2]. 투명전극으로 활용이 가능한 투명도전성 산화막은 90% 이상의 가시광 영역에서의 광투과도와 10 -4 Ω·cm대의 낮은 비저항이 요구된다. 그 중에서도 ITO (indium tin oxide, In 2 O 3 :Sn)는 투명도전막으로 널리 사용되고 있다. | |
IGZO (ZnO:Ga,In) 박막에 Hall effect 측정시스템을 사용하여 측정할 수 있는 것은? | X-선 회절 분석기를 사용하여 IGZO박막의 구조적 특성을 조사하였으며, EDS를 사용하여 성분 분석을 하였다. 또한 Hall effect 측정시스템을 사용하여 캐리어 밀도, 캐리어 이동도 및 박막의 비저항을 측정하였으며, 분광광도계를 사용하여 광 투과도를 측정하고 광학적 밴드갭을 구하였다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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