최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.2, 2013년, pp.87 - 91
박종면 (한국항공대학교 항공전자공학과) , 홍신남 (한국항공대학교 항공전자공학과)
Carbon-nanotube field-effect transistors (CNFETs) have drawn wide attention as one of the potential substitutes for metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) in the sub-10-nm era. Output characteristics of coaxially gated CNFETs were simulated using FETToy simulator to reveal the ...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
실리콘 MOSFET의 단채널 효과를 해소하기 위해 어떤 연구가 진행되고 있는가? | 실리콘 MOSFET의 채널 길이가 감소됨에 따라 터널링 등의 단채널 효과가 발생하였으며, 이러한 문제점을 해소하여 나노급 영역에서도 우수한 특성을 갖는 트랜지스터를 제작하기 위해 CNT를 전계효과 트랜지스터의 채널 지역에 사용하는 것에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다 [3]. CNFET는 누설전류의 감소, 탄도성 전송 (ballistic transport), 높은 온 (on) 전류 등의 장점이 있어 나노 실리콘 MOSFET의 훌륭한 대안 중에 하나가 될 수 있을 것으로 기대되고 있다. | |
CNFET의 장점은? | 실리콘 MOSFET의 채널 길이가 감소됨에 따라 터널링 등의 단채널 효과가 발생하였으며, 이러한 문제점을 해소하여 나노급 영역에서도 우수한 특성을 갖는 트랜지스터를 제작하기 위해 CNT를 전계효과 트랜지스터의 채널 지역에 사용하는 것에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다 [3]. CNFET는 누설전류의 감소, 탄도성 전송 (ballistic transport), 높은 온 (on) 전류 등의 장점이 있어 나노 실리콘 MOSFET의 훌륭한 대안 중에 하나가 될 수 있을 것으로 기대되고 있다. | |
탄소 나노튜브의 장점은? | 1991년 최초로 발견된 이후 탄소 나노튜브(CNT)의 기계적, 열적, 전기적으로 우수한 특성이 지속적으로 밝혀지고 있다. CNT는 강도가 매우 높으며 열전도도는 다이아몬드보다 두 배 정도 크다. 또한 CNT의 전기 저항은 매우 낮으며, 전류 수송 능력은 구리의 약 1,000배에 이르는 것으로 밝혀지고 있다 [1,2]. 이러한 장점들로 인하여 CNT를 이용한 연구가 다양한 분야에서 이루어지고 있다. |
M. P. Anantram and F. Leonard, Rep. Prog. Phys., 69, 507 (2006).
H. Li, C. Xu, N. Sricastava, and K. Banerjee, IEEE Trans. Elec. Dev., 56, 1799 (2009).
J. Appenzeller, Proc. IEEE, 96, 201 (2008).
M. C. Shin, J. Korean Phys. Soc., 52, 1287 (2008).
A. Raychowdhury, S. Mukhopadhyay, and K. Roy, IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst., 23, 1411 (2004).
B. C. Paul, and T. Lee, ACM Journal on Emerging Technologies in Computing System, 3, 12:1 (2007).
A. Aouaj, A. Bouziane, and A. Nouacry, Proc. Int. Conf. Multimedia Computing and Syst. ICMCS '09 (Ouarzazate, Morocco, 2009) p. 236.
F. Pregaldiny, C. Lallement, and J. B. Kammerer, Proc. IEEE Int. Conf. Design Test Integr. Syst. (DTIS) Nano. Technol. (Tunis, Tunisia, 2006) p. 34.
J. M. Park, J. H. An, and S. N. Hong, J. Korean Phys. Soc., 61, 410 (2012).
A. Rahman, J. Guo, S. Datta, and M. S. Lundstrom, IEEE Trans. Elec. Dev., 50, 1853 (2003).
NANOHUB Online Simulation and More. Available http://www.nanohub.org (2006).
D. Akinwande, J. Liang, S. Chong, Y. Nishi, and H. S. P. Wong, J. Appl. Phys., 104, 124514 (2008).
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.