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[국내논문] 반도체센서 압저항 측정을 위한 4점 굽힘 프로브 스테이션
A Four-point Bending Probe Station for Semiconductor Sensor Piezoresistance Measurement 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.20 no.4, 2013년, pp.35 - 39  

전지원 (서울과학기술대학교 기계.자동차공학과) ,  권성찬 (서울과학기술대학교 기계.자동차공학과) ,  박우태 (서울과학기술대학교 기계.자동차공학과)

초록
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반도체센서의 응력에 따른 전기적 특성을 프로브 스테이션 위에서 측정하기 위해 소형 4점 굽힘 장치를 개발하였다. 4점 굽힘 장치는 $60{\times}83mm^2$의 면적을 갖는 소형 장치로 마이크로미터를 통해 정확한 변위를 인가함으로서 가해진 응력을 구할 수 있다. 유한요소해석법을 사용하여 기기의 오차를 예측하고 정밀도를 향상하였다. 실험적으로는 4점 굽힘 장치로 인가된 응력을 검증하기 위해 스트레인 게이지로 검증하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

A four point bending apparatus has been developed to measure semiconductor sensor piezoresistance inside a four inch probe station. The apparatus has a footprint of $60{\times}83mm^2$ and can apply $10{\mu}m$ displacements using a vertical micrometer stage. We used finite eleme...

Keyword

AI 본문요약
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문제 정의

  • 9는 실제 4인치 프로브스테이션 위에서 본 연구 실험장치를 이용하여 시편을 측정하는 사진이다. 변위에 따른 응력 값을 알아내서 궁극적으로는 응력에 따른 저항의 변화 값을 측정하는 것이 목적이다. 그러기 위하여 4점 굽힘 장치를 제작하였고 strain gage를 이용하여 4점 굽힘 장치의 정밀도를 검증하였다.
  • 다음은 시뮬레이션 Tool을 사용하여 시험기기의 제작과 시험방법에 따른 각종 오차들을 예측하고 각각 다른 오차 원인에 따른 상대적인 오차량를 비교하기 위하여 시뮬레이션을 하였다. 그리하여 실험시에 가장 큰 오차의 원인부터 제거하여 오차를 최대한 줄이는 데에 목적이 있었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
4 point bending 기기란? Fig. 1에서 보이듯이 4 point bending 기기는 안쪽의 지지대 2개 바깥쪽 지지대 2개로 구성되어 있으며, 안쪽이나 바깥쪽의 2개의 지지대를 z축 방향으로 움직여 시편에 응력을 가하는 기구이다. 우리는 4 inch-size의 probe station chuck에 올리기 위하여 가로 80 mm, 세로 84 mm이고 높이 109 mm인 4 point bending 기기를 만들었다.
소자의 응력에 따른 저항값의 변화를 측정하는 방법은? 소자의 응력에 따른 저항값의 변화를 측정하기 위하여 시편에 응력을 가하면서 전기적 특성을 측정하여야 한다. 하지만 작은 크기의 시편을 전기적인 패키징없이 저항을 간편하게 측정하기 위해서는 probe station을 이용하여 측정하여야 한다.
소자의 응력에 따른 저항값의 변화를 측정 시, 작은 크기의 시편을 전기적인 패키징없이 간편하게 측정하기 위해서 이용하는 것은? 소자의 응력에 따른 저항값의 변화를 측정하기 위하여 시편에 응력을 가하면서 전기적 특성을 측정하여야 한다. 하지만 작은 크기의 시편을 전기적인 패키징없이 저항을 간편하게 측정하기 위해서는 probe station을 이용하여 측정하여야 한다. 시편에 응력을 가할 기구로서 4점 굽힘(4 point bending) 기기를 사용하였다.
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참고문헌 (8)

  1. A.A. Barlian, W.-T. Park, J.R. Mallon, A.J. Rastegar Jr and B.L. Pruitt, "Review: semiconductor piezoresistance for microsystems", Proc. IEEE, 97 513 (2009). 

  2. S.H. Bae, et al., "Graphene-based transparent strain sensor", Carbon, 51, 236 (2013). 

  3. J.-K. Kim, E.-K. Lee, M.-S. Kim, J.-H. Lim, K.-H. Lee, and Y.-B. Park, "Interfacial Adhesion Energy of Ni-P Electroless-plating Contact for Buried Contact Silicon Solar Cell using 4-point Bending Test System", J. Microelectron. Packag. Soc., 19(1), 55 (2012). 

  4. J.-W. Kim, K.-S. Kim, H.-J. Lee, H.-Y. Kim, Y.-B. Park, and S. Hyun, "Characterization and observation of Cu-Cu Thermo-Compression Bonding using 4-point bending test system", J. Microelectron. Packag. Soc., 18(4), 11 (2011). 

  5. E. Lund, T.G. Finstad, "Design and construction of a four-point bending based set-up for measurement of piezoresistance in semiconductors" Rev. Sci. Instrum. 75, 4960 (2004). 

  6. H Chung, C.-P. Tang, Y.-C. Chao, K.-F. Tseng, B.-J. Lwo, "Caibrate MOSFET Micro-Stress Sensors for Electronic Packaging", Proc. Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Singapore, 650 (2008). 

  7. R.E. Beaty, R.C. Jacger, J.C. Suhling, R.W. Johnson, R.D. Butler, "Evaluation of piezoresistive coefficient variation in silicon stress sensors using a four-point bending test fixture", IEEE Trans. Compd. Hybrids Manuf. Technol. 15, 904 (1992). 

  8. M.A. Hopcroft, W.D. Nix, and T.W. Kenny, "What is the Young's Modulus of Silicon?", J. Microelectromech S. 19(2), 229 (2010). 

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