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Air-Bag Head 가압식 300mm 웨이퍼 폴리싱 테이블의 가압 분포 해석
Analysis of Contact Pressure for a 300mm Wafer Polishing Table with Air-Bag Head 원문보기

한국생산제조시스템학회지 = Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers, v.22 no.2, 2013년, pp.310 - 317  

노승국 (한국기계연구원 초정밀시스템연구실)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, the contact pressure of the wafer and polishing pad for final polishing process for 300 mm-wafer were investigated through numerical analysis using FEM tool, ANSYS. The distribution of the contact pressure is one of main parameters which affects on the flatness and surface roughness o...

주제어

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문제 정의

  • 본 논문에서는 12인치 웨이퍼의 최종 연마를 위한 파이널 폴리싱 장치의 가압 헤드에 따른 압력 분포 및 변위를 유한요소법을 이용하여 해석하였다. 3차원 솔리드 모델을 이용하여 유한요소 모델을 구축하고, 접촉부 면에 접촉요소를 적용하여 압력분포를 계산하였다.

가설 설정

  • 헤드의 가압에 의한 압력은 헤드 디스크와 헤드유닛 사이의 완충 유체에 의하여 균일가압이 일어난다는 가정 하에, 가압면에 균일한 압력을 30kPa을 작용시켰다. 다음의 Fig.
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핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
최종 웨이퍼 폴리싱 장치는 무엇으로 구성되어 있는가 이 중 최종 웨이퍼 폴리싱 장치는 웨이퍼의 평탄도 및 두께균일도와 표면조도를 극대화하는 최종 전 공정 장비로, 회전하는 테이블과 패드, 그리고 역시 회전하는 헤드 디스크로 구성되며, 이러한 폴리싱 가공에 있어서 웨이퍼의 최종 품위는 연마 패드와 웨이퍼의 상대 속도와 압력 분포, 슬러리의 유량 및 종류 등의 기계 및 화학적인 조건들에 영향을 받게 된다. 기계적인조건에서 보았을 때, 웨이퍼 표면에서의 압력분포의 균일성이 매우 중요한데, 이는 웨이퍼의 압력 분포는 마찰력과 직접적인관계를 갖게 되며, 이러한 압력의 균일분포가 이루어지지 않는 경우, 연마된 웨이퍼 면의 형상 균일도에 악영향을 미칠 수 있기 때문이다.
최종 웨이퍼 폴리싱 장치에 균일압력 작용을 위하여 적용되는 방법은 무엇이 있는가 Fig. 1에 나타난 바와 같이 알루미나 세라믹과 같은 고강성의 재료를 초정밀 가공한 헤드디스크와 틸팅 모션을 자유롭게 할 수 있는 자동 조심형 베어링 등을 이용하는 방법과, 이와는 반대로 유연한 재료를 이용하여 공기의 직접 가압을 이용한 유연 헤드 방법이다. 장비 제조사에 따라 두 가지 방법을 나누어서 적용하고 있는 실정이며, 현재는 웨이퍼의 크기가 대형화가 진행 될수록 전자의 하드 타입의 헤드 보다는 후자의 공기 가압형 에어백(Air-Bag) 헤드를 포함한 유연 헤드 구조가 많이 적용되고 있다(5-6).
최종 웨이퍼 폴리싱 장치란 무엇인가 이 중 최종 웨이퍼 폴리싱 장치는 웨이퍼의 평탄도 및 두께균일도와 표면조도를 극대화하는 최종 전 공정 장비로, 회전하는 테이블과 패드, 그리고 역시 회전하는 헤드 디스크로 구성되며, 이러한 폴리싱 가공에 있어서 웨이퍼의 최종 품위는 연마 패드와 웨이퍼의 상대 속도와 압력 분포, 슬러리의 유량 및 종류 등의 기계 및 화학적인 조건들에 영향을 받게 된다. 기계적인조건에서 보았을 때, 웨이퍼 표면에서의 압력분포의 균일성이 매우 중요한데, 이는 웨이퍼의 압력 분포는 마찰력과 직접적인관계를 갖게 되며, 이러한 압력의 균일분포가 이루어지지 않는 경우, 연마된 웨이퍼 면의 형상 균일도에 악영향을 미칠 수 있기 때문이다.
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참고문헌 (9)

  1. Doi, T., Kasai, T., and Nakagawa, T., 2001, CMP Technology for Semiconductor Planarization, Books-Hill, Japan 

  2. Kim, S. Y., 1999, "Understanding parameters for Chemical Mechanical Polishing Process," J. of KIEEME, Vol. 12, No. 10, pp. 9-18. 

  3. Fu, G., and Chandra, A., 2005, "The relationship between wafer surface pressure and wafer back side loading in Chemical Mechanical Polishing," Thin Solid Films, Vol. 474, issue 1-2, pp. 217-221. 

  4. Peo, Z. J., 2002, "A study on surface grinding of 300mm silicon wafers," J. of Mach. Tools & Manu., Vol. 42, pp. 385-393. 

  5. Won, J.-K., Lee, J.-T., and Lee, E.-S., 2008, "The Study on the Machining Characteristics of 300mm Wafer Polishing for Optimal Machining Condition," Trans. of Korean Soc. of Mach. Tool Eng., Vol. 17, No. 2, pp. 1-6. 

  6. Won, J.-K., Lee, E.-S., and Lee, S.-G., 2012, "The Study on the Wafer Surface and Pad Characteristic for Optimal Condition in Wafer Final Polishing," J. of Kor. Soc. of Manu. Proc. Eng,, Vol. 11, No. 1, pp. 26-32. 

  7. Lee, C. S., Jeong, H. D., and Kim, J. Y., 2011, "Effect of Distribution of Real Contact Pressure on CMP Characteristics," Proc. of KSPE Autumn Conf., pp. 11-12. 

  8. Bae, J. H., Lee, H. S., Jeong, M. K., Lee, Y. K., Shin, W. K., and Jeong, H. D., 2010, "Analysis of Retainer Pressure Effect on Material Removal Profile and Stress Distribution in CMP," Proc. of KSME Spring Conf., pp. 155-156. 

  9. An, J. H., Yuh, M. J., Kim, H. J., Seo, H. D., and Jeong, H. D., 2008, "The Effect of Pressure Condition on Edge Profile in Oxide CMP," Prof. of KSPE Spring Conf., pp. 447-448. 

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