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The Optimal Design of Junctionless Transistors with Double-Gate Structure for reducing the Effect of Band-to-Band Tunneling 원문보기

Journal of semiconductor technology and science, v.13 no.3, 2013년, pp.245 - 251  

Wu, Meile (School of Information Science and Engineering, Shenyang University of Technology) ,  Jin, Xiaoshi (School of Information Science and Engineering, Shenyang University of Technology) ,  Kwon, Hyuck-In (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) ,  Chuai, Rongyan (School of Information Science and Engineering, Shenyang University of Technology) ,  Liu, Xi (School of Information Science and Engineering, Shenyang University of Technology) ,  Lee, Jong-Ho (School of EECS Eng. and ISRC (Inter-University Semiconductor Research Center), Seoul National University)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The effect of band-to-band tunneling (BTBT) leads to an obvious increase of the leakage current of junctionless (JL) transistors in the OFF state. In this paper, we propose an effective method to decline the influence of BTBT with the example of n-type double gate (DG) JL metal-oxide-semiconductor f...

주제어

#Band-to-band tunneling (BTBT)   #double-gate (DG)   #junctionless field-effect transistor (JL FET)   #device simulation   #optimal design  

AI 본문요약
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제안 방법

  • In consideration of the significant influence of BTBT, it is necessary to propose an effective way to decrease it. In this paper, we present a method which includes the change of the geometrical shape and the physical dimension of the gate of the device with the example of n-type DG MOSFETs. The method is explored and demonstrated through TCAD simulations with Band-Band (standard) model picking from band-to-band models by SILVACO [9].

이론/모형

  • In this paper, we present a method which includes the change of the geometrical shape and the physical dimension of the gate of the device with the example of n-type DG MOSFETs. The method is explored and demonstrated through TCAD simulations with Band-Band (standard) model picking from band-to-band models by SILVACO [9].
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참고문헌 (9)

  1. Jean-Pierre Colinge, Chi-Woo Lee, Aryan Afzalian, et al. Nanowire transistors without junctions. Nat. Nanotechnology, 2010, 5 (3): 225-229. 

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  2. Suresh Gundapaneni, Mohit Bajaj,Rajan K. Pajan, et al.Effect of band- to-band tunneling on junctionless transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (4) : 1023-1029. 

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  3. Elena Gnani, Antonio Gnudi, Susanna Reggiani, et al. Theory of the junctionless nanowire FET. IEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 58 (9): 2903-2910. 

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  4. E. Gnani, A. Gnudi, S. Reggiani, et al. Numerical investigation on the junctionless nanowire FET. Solid-State Electronic, 2012, 71: 13-18. 

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  5. Manuel Aldegunde, Antonio Martinez, John R. Barker, et al. Study of discrete doping-induced variability in junctionless nanowire MOSFETs using dissipative quantum transport simulations. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33 (2): 194- 196. 

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  6. Greg Leung, Chi On Chui. Variability impact of random dopant fluctuation on nanoscale junctionless FinFETs. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33 (6): 767-769. 

    상세보기 crossref

  7. Elena Gnani, Antonio Gnudi, Susanna Reggiani, et al. Physical model of the junctionless utb soi-fet. Science of Advanced Materials, 2011, 3 (3): 477- 482. 

    상세보기 crossref

  8. Jean-Michel Sallese, Nicolas Chevillon, Christophe Lallement, et al. Charge-Based Modeling of Junctionless Double-Gate Field-Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 58 (8): 2628-2636. 

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  9. SILVACO International. ATLAS User's Manual, 2005. 

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