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NTIS 바로가기Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea = 전자공학회논문지, v.50 no.8, 2013년, pp.285 - 291
In this paper, MOS-Capacitor and MOSFET devices with a Low Level Leakage Current of oxide thickness, channel width and length respectively were to investigate the reliability characterizations mechanism of ultra thin gate oxide films. These stress induced leakage current means leakage current caused...
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Borkar, Ajay, Gaikwad, Snehal, "Leaky Deep Submicrometer Transistor Mechanism and It's Analytical Estimation", Advances in Computational Sciences & Technology, Vol. 4, pp. 239-242, 2011
Sune, Jordi, Jimenez, David Miranda, Enrique, "Breakdown Modes and Breakdown Statistics of Ultrathin SiO Gate Oxides", International Journal of High Speed Electronics & Systems, Vol. 11, Issue 3, pp. 789-848, 2011
Samantaray, Malay M., Gurav, Abhijit, Dickey, Elizabeth C., Randall, Clive A., Ching W.Y., "Electrode Defects in Multilayer Capacitors Part II : Finite Element Analysis of Local Field Enhancement and Leakage Current in Three Dimensional Microstructures", Journal of the American Ceramic Society, Vol. 95, pp. 264-268, 2012
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