초록 ▼

□ 최종목표
PL mapping 법을 이용한 SiC 소재 검사 장치 개발을 위한 결함 데이터 분석 기법 연구

□ 개발내용 및 결과
○ SiC의 소재 결함은 종류에 따라 서로 다른 파장의 PL 현상이 발생함. 개발하고자 하는 장비는 최대 8종류의 파장에 대한 PL 측정이 동시에 가능함. 또한 파장 정보가 함께 측정되기 때문에 SiC의 다양한 결함의 검출이 정확함.
○ 에타맥스에서는 동시에 4채널 분석이 가능한 광학계를 개발하여 웨이퍼 레벨의 고속 PL mapping 분석 기술과 접목하여 생산성을 향상시킴.

□ 최종목표
PL mapping 법을 이용한 SiC 소재 검사 장치 개발을 위한 결함 데이터 분석 기법 연구

□ 개발내용 및 결과
○ SiC의 소재 결함은 종류에 따라 서로 다른 파장의 PL 현상이 발생함. 개발하고자 하는 장비는 최대 8종류의 파장에 대한 PL 측정이 동시에 가능함. 또한 파장 정보가 함께 측정되기 때문에 SiC의 다양한 결함의 검출이 정확함.
○ 에타맥스에서는 동시에 4채널 분석이 가능한 광학계를 개발하여 웨이퍼 레벨의 고속 PL mapping 분석 기술과 접목하여 생산성을 향상시킴. PL 측정 데이터 정밀화 및 결함의 상호 분석을 통해 결함의 분류 데이터 정밀화 및 정량화 기술 확보. 소자에 영향을 미치는 결함 정보를 반영한 소재 수율 평가 기술 확보.

□ 기술개발 배경
○ SiC를 이용한 소자 제작을 위해서 소자 특성에 영향을 미치는 소재 품질 평가가 필수적이므로, 고속 PL mapping 분석 기술을 통해 SiC 소재 검사 장치 기술 개발 필요.

□ 핵심개발 기술의 의의
○ SiC 소재 특성 평가 및 분석 기술을 가지고 있는 한국전기연구원과 광측정 장비 기술을 가지고 있는 ㈜에타맥스의 기술을 이용하여 본 과제에서 개발된 SiC 결함 분석 기법 기술을 활용하여 일본이 세계 시장 80% 이상을 차지하고 있는 SiC 소재 검사 장치의 개발 및 국산화를 통한 수입대체 효과.

□ 적용 분야
SiC 성장 및 소재, SiC 전력반도체 소자, 전력반도체 모듈, 전기 자동차

(출처 : 초록 - 3. 개발결과 요약 3p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 초록 ... 3
• 목차 ... 10
• 그림목차 ... 11
• 제 1 장 서론 ... 12
• 제 1 절 과제의 개요 ... 12
• 제 2 절 국내·외 관련 기술의 현황 ... 12
• 제 3 절 기술개발 시 예상되는 파급 효과 ... 13
• 제 2 장 과제 수행 내용 ... 14
• 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 14
• 제 2 절 개발 내용 및 개발 범위 ... 14
• 제 3 장 과제 수행 결과 및 사업화 계획 ... 25
• 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 25
• 1. 연구개발 추진 일정 ... 25
• 2. 연구개발 추진 실적 ... 25
• 3. 연구개발 성과 ... 26
• 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 27
• 제 3 절 시장 현황 및 사업화 전망 ... 27
• 1. 시장 현황 ... 27
• 2. 사업화 계획 ... 28
• 3. 향후 추가 기술 개발 계획 ... 29
• 제 4 장 결 론 ... 30
• 제 1 절 향후 활용방안 ... 30
• 제 2 절 지원효과 ... 30
• 제 3 절 결 론 ... 30
• 참고문헌 ... 31
• 끝페이지 ... 32