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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.23 no.9, 2013년, pp.495 - 500
신윤학 (충북대학교 신소재공학과) , 김명한 (충북대학교 신소재공학과)
Mo-based thin films are frequently used as back electrode materials because of their low resistivity and high crystallinity in CIGS chalcopyrite solar cells. Mo:Na/Mo bilayer thin films with
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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CIGS 박막의 특성은? | Cu(In,Ga)Se2(CIGS)박막은 직접천이형 반도체로서 광흡수계수가 1 × 105 cm−1로 가장 높으며, 여기에 Al, S등을 첨가하면 광학적 밴드갭을 1 eV~2.7 eV로 폭넓은 범위로 조절이 가능하다.1) CuInSe2(CIS) 박막은 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 1 × 105 cm−1로 가장 높으며, 여기에 In 자리 일부에 Ga이나 Al을, Se 대신 일부자리에 S을 첨가하면 광학적 밴드갭을 1. | |
CIGS 박막제조방법은? | 이러한 CIGS 박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다. 물리적인 박막제조방법으로는 동시진공증발(co-evaporation)법 및 스퍼터링, 화학적인 방법으로는 프린팅 및 전착(electrodeposition)이 적용되고 있다. | |
Cu(In,Ga)Se2 박막의 경우 제조공정이 까다로운 이유는? | 이러한 CIGS 박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다. 물리적인 박막제조방법으로는 동시진공증발(co-evaporation)법 및 스퍼터링, 화학적인 방법으로는 프린팅 및 전착(electrodeposition)이 적용되고 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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