$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[국내논문] 500 V급 Unified Trench Gate Power MOSFET 공정 및 제작에 관한 연구
The Process and Fabrication of 500 V Unified Trench Gate Power MOSFET 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.10, 2013년, pp.720 - 725  

강이구 (극동대학교 태양광공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Power MOSFET operate voltage-driven devices, design to control the large power switching device for power supply, converter, motor control, etc. We have analyzed trench process, field limit ring process for fabrication of unified trench gate power MOSFET. And we have analyzed electrical characterist...

주제어

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 표 1에서는 개별적인 gas chemistry에 따른 대표적인 trench profile의 실험 결과를 보였다. 본 결과는 각 gas chemistry 별로 별도의 실험을 거쳐 기본적인 규격을 만족하는 실험 결과를 정리한 것이다.
  • 본 논문에서는 500 V급 unified trench gate power MOSFET을 제작하기 위한 trench 공정, unified field limit ring 공정 및 일괄공정 후 제작된 시제품에 대해서 전기적인 특성 분석을 하였다. 소자를 제작하기 위해 가장 중요한 공정인 trench 공정에 있어서 과제의 목표 구조를 구현하기 위한 최적의 base chemistry는 SF6 base임을 알 수 있었다.
  • 본 논문에서는 웨이퍼 당 칩 수를 1.5배 늘일 수 있으며, 낮은 온 저항을 갖는 unified trench gate power MOSFET의 제작을 위해 trench 기술, junction termination 기술, trench 공정에 관련한 기술 등을 제시하였으며, 소자 제작을 위해 반도체 일괄 공정에 대한 연구 또한 제시하였다. 최종적으로는 최적의 unified trench gate power MOSFET을 제작하였으며, 전기적 특성을 분석하였다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
고전압 Power MOSFET 소자의 단점은? 또한스위칭 특성이 우수하며 입력 임피던스가 크기 때문에 구동 회로를 단순화할 수 있는 장점이 있다. 하지만 고전압 power MOSFET의 경우 고전압 특성 향상을 위해 항복 전압을 증가시키려면 드리프트 영역의 비저항과 두께를 증가시켜야 하며 따라서 온-저항 특성이 항복전압의 증가에 따라 급격히 증가하는 문제가 있다. 이에 600 V급 기준으로 고전압 특성을 가지면서도 기존 planar power MOSFET 대비 낮은 온저항 특성을 가지는 unified trench power MOSFET 기술로의 전환이 이루어지고 있다 [3-5].
Power MOSFET 소자란? Power MOSFET 소자는 전압 구동 방식으로 동작하는 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로서 전원 공급 장치, 변환기, 모터 제어기 등에 널리 사용된다 [1,2]. 산업용 모터 구동에 사용되는 power MOSFET은 동작 상태에서 낮은 온 저항은 전력 공급의 손실은 줄여줌으로 효율을 높이고 결과적으로 저전력 구현을 가능하게 한다.
산업용 모터 구동에 사용되는 power MOSFET이 저전력 구현을 가능하게 하는 이유는? Power MOSFET 소자는 전압 구동 방식으로 동작하는 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로서 전원 공급 장치, 변환기, 모터 제어기 등에 널리 사용된다 [1,2]. 산업용 모터 구동에 사용되는 power MOSFET은 동작 상태에서 낮은 온 저항은 전력 공급의 손실은 줄여줌으로 효율을 높이고 결과적으로 저전력 구현을 가능하게 한다. 또한스위칭 특성이 우수하며 입력 임피던스가 크기 때문에 구동 회로를 단순화할 수 있는 장점이 있다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (7)

  1. E. G. Kang and M. Y. Sung, J. KIEEME, 15, 758 (2002). 

  2. T. J. Nam, H. S. Chung, and E. G. Kang, J . KIEEME, 24, 713 (2011). 

  3. Malvino, A. Paul, Bates, and J. David, Electronic Principles (McGraw-Hill College, 2006) 

  4. Gates and D. I. Earl, Introduction to Electronics 4/E Hardcover (Delmar, 2001) 

  5. S. S. Kyoung, J. H. Seo, Y. H. Kim, J. S. Lee, E. G. Kang, and M. Y. Sung, J . KIEEME, 22, 12 (2009). 

  6. H. S. Lee, E. G. Kang, A. R. Shin, H. H. Shin, and M. Y. Sung, KIEE, 7 (2006). 

  7. W. H. Hayt, Jr. Engineer Ingelect Romagnetics-7/E (Mc Grawhill, 2005) 

저자의 다른 논문 :

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로