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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.10, 2013년, pp.720 - 725
Power MOSFET operate voltage-driven devices, design to control the large power switching device for power supply, converter, motor control, etc. We have analyzed trench process, field limit ring process for fabrication of unified trench gate power MOSFET. And we have analyzed electrical characterist...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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고전압 Power MOSFET 소자의 단점은? | 또한스위칭 특성이 우수하며 입력 임피던스가 크기 때문에 구동 회로를 단순화할 수 있는 장점이 있다. 하지만 고전압 power MOSFET의 경우 고전압 특성 향상을 위해 항복 전압을 증가시키려면 드리프트 영역의 비저항과 두께를 증가시켜야 하며 따라서 온-저항 특성이 항복전압의 증가에 따라 급격히 증가하는 문제가 있다. 이에 600 V급 기준으로 고전압 특성을 가지면서도 기존 planar power MOSFET 대비 낮은 온저항 특성을 가지는 unified trench power MOSFET 기술로의 전환이 이루어지고 있다 [3-5]. | |
Power MOSFET 소자란? | Power MOSFET 소자는 전압 구동 방식으로 동작하는 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로서 전원 공급 장치, 변환기, 모터 제어기 등에 널리 사용된다 [1,2]. 산업용 모터 구동에 사용되는 power MOSFET은 동작 상태에서 낮은 온 저항은 전력 공급의 손실은 줄여줌으로 효율을 높이고 결과적으로 저전력 구현을 가능하게 한다. | |
산업용 모터 구동에 사용되는 power MOSFET이 저전력 구현을 가능하게 하는 이유는? | Power MOSFET 소자는 전압 구동 방식으로 동작하는 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로서 전원 공급 장치, 변환기, 모터 제어기 등에 널리 사용된다 [1,2]. 산업용 모터 구동에 사용되는 power MOSFET은 동작 상태에서 낮은 온 저항은 전력 공급의 손실은 줄여줌으로 효율을 높이고 결과적으로 저전력 구현을 가능하게 한다. 또한스위칭 특성이 우수하며 입력 임피던스가 크기 때문에 구동 회로를 단순화할 수 있는 장점이 있다. |
Malvino, A. Paul, Bates, and J. David, Electronic Principles (McGraw-Hill College, 2006)
Gates and D. I. Earl, Introduction to Electronics 4/E Hardcover (Delmar, 2001)
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W. H. Hayt, Jr. Engineer Ingelect Romagnetics-7/E (Mc Grawhill, 2005)
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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