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Planarization of Wafer Edge Profile in Chemical Mechanical Polishing

International journal of precision engineering and manufacturing, v.14 no.1, 2013년, pp.11 - 15  

Park, Yeongbong (Graduate School of Mechanical Engineering, Pusan National University) ,  Jeong, Hobin (Graduate School of Mechanical Engineering, Pusan National University) ,  Choi, Sungha (Graduate School of Mechanical Engineering, Pusan National University) ,  Jeong, Haedo (Graduate School of Mechanical Engineering, Pusan National University)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Within wafer non-uniformity (WIWNU), which significantly affects the yield of chip products, is mainly caused by non-uniform chemical mechanical polishing (CMP) at the wafer's edge. This study investigates the origins of the non-uniformity and presents a process that uses an edge profile control rin...

주제어

참고문헌 (11)

  1. International Technology Roadmap for Semiconductors Edition - Interconnect, http://public.itrs.net , 2010. 

  2. M. R. Oliver 2004 10.1007/978-3-662-06234-0 Chemical mechanical planarization of semiconductor materials Oliver, M. R., “Chemical mechanical planarization of semiconductor materials,” Springer, Berlin, 2004. 

  3. Electrochemical Society Proceeding A. R. Baker 96 228 1997 Baker, A. R., “The origin of the edge effects in CMP,” Electrochemical Society Proceeding, Vol. 96, pp. 228-238, 1997. 

  4. Thin Solid Films G. Fu 474 217 2005 10.1016/j.tsf.2004.09.010 Fu, G. and Chandra, A., “The relationship between wafer surface pressure and wafer backside loading in chemical mechanical polishing,” Thin Solid Films, Vol. 474, pp. 217-221, 2005. 

  5. CIRP Ann. Manuf. Technol. G. Byrne 48 1 143 1999 10.1016/S0007-8506(07)63151-5 Byrne, G., Mullany, B., and Young, P., “The effect of pad wear on the chemical-mechanical polishing of silicon wafers,” CIRP Ann. Manuf. Technol., Vol. 48, No. 1, pp. 143-146, 1999. 

  6. Int. J. Precis. Eng. Manuf. C. S. Lee 12 5 917 2011 10.1007/s12541-011-0123-7 Lee, C. S., Lee, H. J., Jeong, M. K., and Jeong, H. D., “A Study on the Correlation between Pad Property and Material Removal Rate in CMP,” Int. J. Precis. Eng. Manuf., Vol. 12, No. 5, pp. 917-920, 2011. 

  7. Park, J. H., Kinoshita, M., Isobe, A., Jeong, H. D., and Hatsuda, M., “The development of the intelligent pad and the application to the analysis of pressure distribution on polishing pad in CMP process,” Proc. of International Conference on Planarization/CMP Technology, pp. 319-324, 2011. 

  8. Jeong, H. B., Choi, S. H., Lee, H. J., and Jeong, H. D., “Wafer edge nonuniformity caused by retaining ring,” Proceedings of International Conference on Planarization/CMP Technology, pp. 406-411, 2011. 

  9. J. KSPE Y. S. Jeong 21 11 46 2004 Jeong, Y. S., Kim, H. Y., Choi, J. Y., and Jeong, H. D., “The effect of slurry flow rate and temperature on CMP Characteristic,” J. KSPE, Vol. 21, No. 11, pp. 46-52, 2004. 

  10. Kwon, D. H., Kim, H. J., and Jeong, H. D., “A study on the decay of friction force during CMP,” Proc. of KSPE Spring Conference, pp. 972-975, 2002. 

  11. Park, B. Y., Kim, H. J., Kim, S. R., and Ryu, H. Y., “Investigation of Scratch Mechanism on Thin-Film Surface in CMP using Slurry with Nano-Size Abrasive,” Proc. of KSPE Spring Conference, pp. 301-302, 2010. 

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