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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.24 no.6, 2014년, pp.242 - 245
서진원 (한국세라믹기술원 이천분원) , 김준우 (한국세라믹기술원 이천분원) , 한윤수 (한국세라믹기술원 이천분원) , 최균 (한국세라믹기술원 이천분원) , 이종흔 (고려대학교 재료공학과)
In order to increase the thickness uniformity in chemical vapor depositon of silicon carbide, we have carried out CFD studies for a CVD apparatus having a horizontally-rotated 3-stage susceptor. We deposited silicon carbide films of 3C-SiC phase showing quite uniform thickness between stages but not...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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탄화규소가 반도체 공정용 세라믹스로서 그 가치가 높은 이유는? | 탄화규소는 전형적인 구조 재료로서 강도와 경도가 뛰어나고 화학적으로 안정하며 내열 특성이 뛰어나서 극한 환경인 항공/우주용 세라믹스나 내플라즈마/내화학 특성을 요하는 반도체 공정용 세라믹스로서 그 가치가 높다. 특히, 탄화물로서는 특이하게 대기 중에서도 상당 시간 동안 견딜 수 있는 내산화 특성까지 갖추고 있어서 점점 그 활용 범위가 넓어지고 있다[1]. | |
반도체 공정용 세라믹스는 어떤 특성을 요하는가? | 탄화규소는 전형적인 구조 재료로서 강도와 경도가 뛰어나고 화학적으로 안정하며 내열 특성이 뛰어나서 극한 환경인 항공/우주용 세라믹스나 내플라즈마/내화학 특성을 요하는 반도체 공정용 세라믹스로서 그 가치가 높다. 특히, 탄화물로서는 특이하게 대기 중에서도 상당 시간 동안 견딜 수 있는 내산화 특성까지 갖추고 있어서 점점 그 활용 범위가 넓어지고 있다[1]. | |
불균일한 3C-SiC 상이 얻어지는 원인은 무엇의 영향인가? | 실제 증착 실험에서는 단 간의 두께 균일성은 상당히 만족스러웠으나 같은 단 위에서는 위치에 따라 두께가 균일하지 못한 3C-SiC 상이 얻어지는 것을 확인하였다. 불균일의 원인으로는 서셉터의 회전 속도에 따른 영향으로 판단되었다. CFD 결과로부터 단 간의 균일성을 향상시키기 위해서는 120도 분기 노즐을 주입구에 설치하는 것이 바람직할 것으로 판단되었으며 단 내의 균일도 향상은 회전 속도를 줄임으로써 가능할 것으로 생각된다. |
K.-S. Cho, S.-H. Yoon, H. Chung, S.-H. Chae, K.-Y. Lim, Y.-W. Kim and S.-H. Park, "SiC materials techniques for semiconductor production line", Ceramist 10 (2007) 33.
Y.-H. Yun and S.C.Choi, "Fabrication of SiC convered graphite by chemical vapor reaction method (II)", J. Kor. Ceram. Soc. 36 (1999) 21.
G. Chichignoud, M. Ucar-Morais, M. Pons and E. Blanquet, "Chlorinated silicon carbide CVD revisited for polycrystalline bulk growth", Surf. Coat. Technol. 201 (2007) 8888.
Y. Yan and Z. Weigang, "Kinetic and microstructure of SiC deposited from $SiCl_4-CH_4-H_2$ ", Chin. J. Chem. Eng. 17 (2009) 419.
R.B. Bird, W.E. Stewart and E.N. Lightfoot, "Transport Phenomena", 2nd ed. (John Wiley & Sons, 2007).
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