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탄화규소 화학기상증착 공정에서 CFD를 이용한 균일도 향상 연구
Improvement of uniformity in chemical vapor deposition of silicon carbide using CFD 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.24 no.6, 2014년, pp.242 - 245  

서진원 (한국세라믹기술원 이천분원) ,  김준우 (한국세라믹기술원 이천분원) ,  한윤수 (한국세라믹기술원 이천분원) ,  최균 (한국세라믹기술원 이천분원) ,  이종흔 (고려대학교 재료공학과)

초록
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탄화규소화학기상증착 중에 두께 균일성을 향상시키기 위하여 평행하게 회전하는 3단 서셉터를 포함하는 CVD 장치에 대하여 전산유체역학(CFD) 시뮬레이션을 수행하였다. 실제 증착 실험에서는 단 간의 두께 균일성은 상당히 만족스러웠으나 같은 단 위에서는 위치에 따라 두께가 균일하지 못한 3C-SiC 상이 얻어지는 것을 확인하였다. 불균일의 원인으로는 서셉터의 회전 속도에 따른 영향으로 판단되었다. CFD 결과로부터 단 간의 균일성을 향상시키기 위해서는 120도 분기 노즐을 주입구에 설치하는 것이 바람직할 것으로 판단되었으며 단 내의 균일도 향상은 회전 속도를 줄임으로써 가능할 것으로 생각된다. 이렇게 제작된 탄화규소가 증착된 흑연 부품은 고경도, 내산화성 및 분진 억제 특성을 갖고 있어서 반도체용 부품으로 사용될 수 있다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In order to increase the thickness uniformity in chemical vapor depositon of silicon carbide, we have carried out CFD studies for a CVD apparatus having a horizontally-rotated 3-stage susceptor. We deposited silicon carbide films of 3C-SiC phase showing quite uniform thickness between stages but not...

주제어

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문제 정의

  • 대부분의 연구가 단결정이나 에티탁셜 성장과 관련된 시뮬레이션[4-7]이고 대면적의 다결정 후막에 응용하고자 하는 연구[8]는 충분하지 못하였다. 본 연구에서는 양산용 시스템에 대하여 CFD 해석을 통하여 탄화규소 막의 증착 균일도를 향상시키기 위한 서셉터의 구조와 공정 조건에 대한 연구를 수행하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
탄화규소가 반도체 공정용 세라믹스로서 그 가치가 높은 이유는? 탄화규소는 전형적인 구조 재료로서 강도와 경도가 뛰어나고 화학적으로 안정하며 내열 특성이 뛰어나서 극한 환경인 항공/우주용 세라믹스나 내플라즈마/내화학 특성을 요하는 반도체 공정용 세라믹스로서 그 가치가 높다. 특히, 탄화물로서는 특이하게 대기 중에서도 상당 시간 동안 견딜 수 있는 내산화 특성까지 갖추고 있어서 점점 그 활용 범위가 넓어지고 있다[1].
반도체 공정용 세라믹스는 어떤 특성을 요하는가? 탄화규소는 전형적인 구조 재료로서 강도와 경도가 뛰어나고 화학적으로 안정하며 내열 특성이 뛰어나서 극한 환경인 항공/우주용 세라믹스나 내플라즈마/내화학 특성을 요하는 반도체 공정용 세라믹스로서 그 가치가 높다. 특히, 탄화물로서는 특이하게 대기 중에서도 상당 시간 동안 견딜 수 있는 내산화 특성까지 갖추고 있어서 점점 그 활용 범위가 넓어지고 있다[1].
불균일한 3C-SiC 상이 얻어지는 원인은 무엇의 영향인가? 실제 증착 실험에서는 단 간의 두께 균일성은 상당히 만족스러웠으나 같은 단 위에서는 위치에 따라 두께가 균일하지 못한 3C-SiC 상이 얻어지는 것을 확인하였다. 불균일의 원인으로는 서셉터의 회전 속도에 따른 영향으로 판단되었다. CFD 결과로부터 단 간의 균일성을 향상시키기 위해서는 120도 분기 노즐을 주입구에 설치하는 것이 바람직할 것으로 판단되었으며 단 내의 균일도 향상은 회전 속도를 줄임으로써 가능할 것으로 생각된다.
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참고문헌 (10)

  1. K.-S. Cho, S.-H. Yoon, H. Chung, S.-H. Chae, K.-Y. Lim, Y.-W. Kim and S.-H. Park, "SiC materials techniques for semiconductor production line", Ceramist 10 (2007) 33. 

  2. Y.-H. Yun and S.C.Choi, "Fabrication of SiC convered graphite by chemical vapor reaction method (II)", J. Kor. Ceram. Soc. 36 (1999) 21. 

  3. G. Chichignoud, M. Ucar-Morais, M. Pons and E. Blanquet, "Chlorinated silicon carbide CVD revisited for polycrystalline bulk growth", Surf. Coat. Technol. 201 (2007) 8888. 

  4. J.-H. Lee, J.-B. Yoo and S.-I. Bae, "Susceptor design by numerical analysis in horizontal CVD reactor", J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol. 15 (2005) 135. 

  5. H.-Y. Shin, S.-M. Hogn, J.-W. Yoon, D.-Y. Jeong and J.-I. Im, "Numerical analysis of CZ growth process for sapphire crystal of 300 mm length", J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol. 23 (2013) 272. 

  6. J.-H. Kim, Y.-H. Park and Y.-C. Lee, "Analysis of melt flows and remelting phenomena through numerical simulations during the kyropoulos sapphire single crystal growth", J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol. 23 (2013) 129. 

  7. Y. Yan and Z. Weigang, "Kinetic and microstructure of SiC deposited from $SiCl_4-CH_4-H_2$ ", Chin. J. Chem. Eng. 17 (2009) 419. 

  8. J.-W. Kim, Y.-S. Han, K. Choi and J.-H. Lee, "Application of CFD simulation in SiC-CVD process", J. Comput. Fluids Eng. 18 (2013) 67. 

  9. R.B. Bird, W.E. Stewart and E.N. Lightfoot, "Transport Phenomena", 2nd ed. (John Wiley & Sons, 2007). 

  10. J.-W. Seo and K. Choi, "Application of computational fluid dynamic simulation to SiC CVD reactor for mass production", J. Kor. Ceram. Soc. 50 (2013) 533. 

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