최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.13 no.2, 2014년, pp.53 - 56
In this work, we investigate the operational properties of this proposed device in detail via classical MD simulations. The bi-stability of the GNF(Graphene Nano-flake) shuttle encapsulated in bi-layer GNR could be achieved from the increase of the attractive energy between the GNRs when the GNF app...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
비휘발성 RAM란? | 비휘발성 RAM(NVRAM : Non-volatile Random Access Memory)은 전원이 종료된 후에도 저장된 정보가 유지되는 소자이다. 대표적으로는 플래쉬 메모리로서, 이 소자는 일명 USB메모리라는 명칭으로 현재 개인용 정보저장 장치 및 스마트 폰 및 디지털 카메라등의 저장장치로 사용되고 있으며, 노트북등의 SSD (Solid-Sate Disk)등의 소자로 사용되고 있다. | |
비휘발성 RAM은 어떠한 문제점을 가지는가? | 대표적으로는 플래쉬 메모리로서, 이 소자는 일명 USB메모리라는 명칭으로 현재 개인용 정보저장 장치 및 스마트 폰 및 디지털 카메라등의 저장장치로 사용되고 있으며, 노트북등의 SSD (Solid-Sate Disk)등의 소자로 사용되고 있다. 이러한 정보저장 장치는 스케일링에 의한 고집적화가 요구되고 있으나 셀 크기 감소에 따른 전하저장의 물리적인 한계를 극복해야 하는 문제를 가지고 있다. 대체적인 소자로서 MRAM (Magnetoresistive RAM), PCRAM (Phase Change RAM) 및 RRAM(Resistive RAM)등의 다양한 물리적 메커니즘을 갖는 비휘발성 소자들이 제시되고 있다[1-3]. | |
그래핀을 기초로 한셔틀 메모리의 새로운 구조 중 가장 주목할만한 구조는 무엇인가? | 탄소나노튜브를 이용한 셔틀 메모리는 1999년‘bucky shuttle’ 메모리로 발표된 이후로 다양한 형태의 탄소나노튜브 기반의 셔틀 메모리가 이론적으로 연구 되어 졌다[4-6]. 초기의 이론적 연구들은 제작의 어려움으로 소자로서 동작이 가능하다는 것의 제시로 그 중요성을 입증 받았으나, 최근에는 그래핀을 기초로 한셔틀 메모리의 몇몇 새로운 구조가 제시되고 있으며, 제시되고 있는 구조 중 주목할 수 있는 것은 그래핀 나 노리본(GNR:Graphene Nano-Ribbon)을 기초로 한 그래핀 나노플레이크(GNF:Graphene Nano-Flake) 셔틀 메모리이다[7,8]. |
T. Bedeschi, et al, "A bipolar-selected phase change memory featuring multi-level cell storage," IEEE J. of Solid-State, vol. 44, no. 1, pp. 217-227, Feb. 2008.
W. Zhao, E. Belhaire, Q. Mistral, C. Chappert, V. Javerliac, B. Dieny, and E. Nicolle, "Macro-model of Spin-Transfer Torque Based Magnetic Tunnel Junction Device for Hybrid Magnetic-CMOS Design," in IEEE Int'l Behavior Modeling and Simulation Workshop, Sep. 2006, pp. 40-43.
R. Beech, J. Anderson, A. Pohm, and J. Daughton, "Curie point written magnetoresistive memory," J. Appl. Phys., vol. 87, pp. 6403, 2000.
V. Pott, G. K. Chua, R. Vaddi, J. M.-L. Tsai, and T. T. Kim, "The shuttle Nanoelectromechanical Nonvolatile Memory," IEEE Trans. Electron. Dev. Vol. 59, pp.1137-1143, 2012.
Y. K. Kwon, D. Tomanek, and S. Iijima, Phys. Rev. Lett. 82, 1470, 1999.
I. V. Lebedeva, A. A. Knizhnik, A. M. Popov, Yu. E. Lozovik, and B. V. Potapkin, Phys. Chem. Chem. Phys. 13, 5687, 2011.
I. V. Lebedeva, A. A. Knizhnik, A. M. Popov, Yu. E. Lozovik, and B. V. Potapkin, Physica E 44, 949 , 2012.
A. Chuvilin, U. Kaiser, E. Bichoutskaia, N. A. Besley, and A. N. Khlobystov, Nature Chemistry 2, 450, 2010.
D. W. Brenner, Phys. Rev. B 42, 9458, 1990.
Z. Mao, A. Garg, and S. B. Sinnott, Nanotechnology 10, 273, 1999.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.