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Modeling and Simulation of Line Edge Roughness for EUV Resists 원문보기

Journal of semiconductor technology and science, v.14 no.1, 2014년, pp.61 - 69  

Kim, Sang-Kon (Department of Applied Physics, Hanyang University)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

With the extreme ultraviolet (EUV) lithography, the performance limit of chemically amplified resists has recently been extended to 16- and 11-nm nodes. However, the line edge roughness (LER) and the line width roughness (LWR) are not reduced automatically with this performance extension. In this pa...

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이론/모형

  • For the transfer of the line-edge-roughness (LER) of the extreme ultraviolet lithography (EUVL) mask, the near-field image on the EUVL mask and the aerial image on the wafer are calculated by using multilayer-thin-film theory. Simulation results show that the low frequency mask roughness is fully transmitted onto the wafer, but high frequency mask roughness is not present on the wafer.
  • In this paper, a new attempt to simulate EUVL mask is introduced to describe the transfer of mask LER onto a wafer, using multilayer-thin-film theory. To reduce LER, the near-field image of EUVL mask and the internal concentrations of resist processes are analyzed.
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참고문헌 (19)

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