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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1997-0050824 (1997-10-01) |
공개번호 | 10-1999-0030569 (1999-05-06) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019970050824 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 다음 화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.식중 m은 50∼100이고, n은 0∼50이다.이와 같은 본 발명의 레지스트 조성물을 적용하면, 광원의 조사(照射)시 노광부 및 비노광부의 선택비가 크고, 보호기에 의하여 실리레이션을 콘트롤할 수 있으며, 화학증폭형의 특성을 가지는 한편, DUV인 ArF를 광원으로 사용하는 경우에 7mJ/cm2 정도의 작은 에너지로도 네가티브형 TSI(Top-Surface-Image)를 구현할 수 있게 된다.
화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물.화학식 1식중 m은 50∼100이고, n은 0∼50이다.
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