최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.6, 2014년, pp.350 - 355
Bottom-gate tin oxide (
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
산화주석 박막의 특징은? | 일반적으로 SnO2막은 산소 결함에 의해 n-type 반도체 특성을 나타내지만, 공정 조건에 따라서 p-type 으로 변하는 등 그 전기적 및 광학적 특성이 크게 달라지는 것으로 알려져 있다 [6,7]. 순수한 SnO2는 저항 률이 낮아 박막트랜지스터 (thin film transistor, TFT)의 활성층으로 사용하기에는 어려움이 따른다. | |
순수한 SnO2를 TFT의 활성층으로 사용하기 어려운 이유는? | 일반적으로 SnO2막은 산소 결함에 의해 n-type 반도체 특성을 나타내지만, 공정 조건에 따라서 p-type 으로 변하는 등 그 전기적 및 광학적 특성이 크게 달라지는 것으로 알려져 있다 [6,7]. 순수한 SnO2는 저항 률이 낮아 박막트랜지스터 (thin film transistor, TFT)의 활성층으로 사용하기에는 어려움이 따른다. 그러나 SnO2를 활성층으로 하는 TFT를 제조할 수 있다면, 게이트전압을 조절하여 SnO2막의 반송자 농도, 계면전계 등을 변화시킬 수 있게 되어 센서 등으로서의 활용성이 확대될 것으로 기대된다. | |
산화주석은 어디에 활용될 수 있는가? | 산화주석 (SnO2)은 투명도전막, 가스센서 등의 재료로서 오랫동안 연구되어 왔으며 [1-3], 최근에는 투명박막트랜지스터의 이동도를 높이는 인듐을 대치할 수 있는 물질로 각광을 받고 있다 [4,5]. 이것은 LCD display, 태양전지 등의 대형화와 생산량 증가에 따라 투명전극으로 사용되는 ITO (indium tin oxide)의 주원료인 인듐의 가격이 비등할 가능성이 높기 때문이다. |
A. Kumar, P. Zhang, A. Vincent, R. McCormack, R. Kalyanaraman, H. J. Cho, and S. Seal, Sensors and Actuators B: Chemical, 155, 884 (2011).
N. Yamazoe, K. Suematsu, and K. Shimanoe, Sensors and Actuators B: Chemical, 176, 443 (2013).
S. K. Lee, D. I. Chang, and S. W. Kim, J. of Hazard. Mater., 268, 110 (2014).
C. N. Cha, M. H. Choi, and T. Y. Ma, Mater. Sci. in Semicon. Proc., 15, 240 (2012).
T. Y. Ma, J. KIEEME, 25, 304 (2011).
Y. Huang, Z. Ji, and C. Chen, Appl. Surf. Sci., 253, 4819 (2007).
T. Toyama, Y. Seo, T. Konishi, H. Okamoto, R. Morimoto, Y. Nishikawa, and Y. Tsutsumi, Thin Solid Films, 555, 148 (2014).
D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley-Interscience Publication, 1990) p. 285.
A. L. Patterson, Phys. Rev., 56, 978 (1939).
E. Ziegler, A. Heinrich, H. Oppermann, and G. Stover, Phys. Status Solidi A, 66, 635 (1981).
E. Marquez, J. M. Gonzalez-Leal, R. Jimenez-Garay, S. R. Lukic, and D. M. Petrovic, J. Phys. D: Appl. Phys., 30, 690 (1997).
L. Y. Liang, Z. M. Liu, H. T. Caoz, Z. Yu, Y. Y. Shi, A. H. Chen, H. Z. Zhang, Y. Q. Fang, and X. L. Sun, J. Electrochem. Soc., 157, H598 (2010).
R. Swanepoel, J. Phys. E: Sci. Instrum. 16, 1214 (1983).
L. Jie and X. Chao, J. of Non-Cryst. Solids, 119, 37 (1990).
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.