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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.8, 2014년, pp.486 - 490
유수산나 (광운대학교 전자재료공학과) , 강민석 (광운대학교 전자재료공학과) , 김홍기 (광운대학교 전자재료공학과) , 이영희 (광운대학교 전자재료공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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실리콘 카바이드의 특징은? | 실리콘 카바이드 (silicon carbide, SiC)는 전력 반도체 재료로서의 우수한 물질 특성을 갖고 있으며 특히 절연파괴 전계가 3×106 V/㎝로 실리콘의 약 10배, 에너지 밴드갭은 3.26 eV로 실리콘의 약 3배, 열전도도는 3.7 W/cm·K으로 실리콘의 약 3배로서, 이는SiC가 Si에 비하여 높은 항복전압을 가지면서도 손실은 적고 열방출 특성은 우수하여 고온 및 고방사 환경에서도 사용 가능한 반도체 재료이다 [1,2]. 또한, Si과 마찬가지로 SiC에서도 1,100℃ 이상의 높은 온도가 요구되는 wet/dry oxidation 공정 방법으로SiO2를 형성 가능하다. | |
SiO2/SiC를 기반으로 하는 소자 이온주입공정 시 생기는 문제점을 개선하기 위해 SiO2를 대신하여 어떤 물질을 증착하려 하는가? | 이를 개선하기 위해 SiO2를 대신하여 HfO2, ZrO2, Al2O3등의 high-k 물질을 ALD (atomic layerdeposition), CVD (chemical vapor deposition), AD(aerosol deposition)와 같은 방법을 사용하여 박막의 특성을 개선하는 연구가 진행되고 있다. 특히, ADM(aerosol deposition method)은 고밀도의 세라믹 막을 고속으로 제조할 수 있는 박막 형성 기술로 미세한 세라믹 분말을 운송 가스에 실어서 기판에 분사함으로써 기판 표면에 세라믹 박막을 형성하며, 1 ㎛ 이하의 박막뿐만 아니라 수백 ㎛ 이상의 치밀한 후막을 단시간에 얻을 수 있다. | |
ADM 기술로 어떻게 박막을 형성하는가? | 이를 개선하기 위해 SiO2를 대신하여 HfO2, ZrO2, Al2O3등의 high-k 물질을 ALD (atomic layerdeposition), CVD (chemical vapor deposition), AD(aerosol deposition)와 같은 방법을 사용하여 박막의 특성을 개선하는 연구가 진행되고 있다. 특히, ADM(aerosol deposition method)은 고밀도의 세라믹 막을 고속으로 제조할 수 있는 박막 형성 기술로 미세한 세라믹 분말을 운송 가스에 실어서 기판에 분사함으로써 기판 표면에 세라믹 박막을 형성하며, 1 ㎛ 이하의 박막뿐만 아니라 수백 ㎛ 이상의 치밀한 후막을 단시간에 얻을 수 있다. 상온에서 공정이 이루어지기 때문에 기판과 박막 사이에 어떠한 계면반응도 일어나지 않으며, 고분자나 금속과 같은 다양한 물질이 기판으로 사용될 수 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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