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[국내논문] 콜로이달 실리카 입자 형상에 따른 CMP 특성에 관한 연구
A Study on CMP Characteristics According to Shape of Colloidal Silica Particles 원문보기

大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. A. A, v.38 no.9, 2014년, pp.1037 - 1041  

김문성 (부산대학교 기계공학부) ,  정해도 (부산대학교 기계공학부)

초록
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반도체 연마용 슬러리이온교환법, 가압방법 및 다단계 주입방법으로 제조하여 입자 크기와 형상에 따른 화학적 기계적 연마에 미치는 영향을 연구하였다. 이온교환법을 이용하여 구형의 콜로이달실리카를 크기별로 입자로 제조하였다. 이렇게 제조한 구형의 실리카를 다시 가압방법을 이용해 입자간의 결합을 유도해 비구형의 형상을 가진 콜로이달 실리카를 제조하였고, 이온교환법과 가압방법의 특징을 살려 실리식산을 다단계로 주입하여 입자 표면과 실리식산의 반응으로, 2~3 개의 입자가 결합한 형상의 콜로이달 실리카를 제조하였다. 이렇게 제조한 입자를 CMP 에 적용하여 콜로이달 실리카의 입자 형상에 따른 연마율을 기존의 상용 슬러리와 비교하였다. pH 가 높을수록 연마율은 높아졌고, 입자가 결합한 비구형의 콜로이달 실리카는 가장 높은 연마율과 양호한 비균일도를 나타내었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Slurry used for polishing semiconductors processed by exchange, pressurization, and multi-step feeding has been studied to investigate the effect of the size and shape of slurry particles on the oxide CMP removal rate. First, spherical silica sol was prepared by the ion exchange method. The spherica...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 일반적인 이온교환법(Ion Exchange Method)으로 입자 크기별 실리카졸을 제조하고 그 연마특성을 비교하였다. 일반적인 이온교환법으로 제조된 콜로이달 실리카에 또 다시 가압방법(Pressurization Method)을 이용해 여러 가지 조건으로 변화를 주어 입자 크기 및 분포를 분석하였고, 마지막으로 입자생성의 주요인자인 실리식산의 주입속도(Feeding rate)와 알카리 촉매의 양을 조절하여 콜로이달 실리카를 제조하고, 이를 CMP 슬러리로 사용하여, 연마율 및 비균일도(Non-Uniformity)를 비교하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
콜로이달 실리카 또는 실리카졸의 형상은 어떠한가 콜로이달 실리카 또는 실리카졸이란 음(-)전하를 띠는 무정질 실리카 입자가 수중에서 콜로이드 상태를 유지하는 것을 말한다. 외관상 투명하거나 유백색이고 일반적으로 구형의 형상을 가지고 있는데, 1915 년 전기투석법(Electrodialysis)에 의해 상업적인 콜로이달 실리카가 처음 나왔다. 그리고 1941 년 Nalco 사에서 이온교환법으로 실리식산(Silicic acid)을 제조할 수 있다는 것을 발견하였으며, 1959 년경부터 본격적으로 상업적인 콜로이달 실리카의 생산이 진행되었다.
콜로이달 실리카 또는 실리카졸이란 무엇인가 나노기술의 발달은 이러한 입자상의 크기를 수백 nm 까지 세분화하여 생활 및 산업전반에 걸쳐 다양한 편의를 제공해주고 있고, 특히 지구 표면의 60 wt% 정도를 구성하는 실리카는 콜로이드 화학의 대표적인 부산물이다. 콜로이달 실리카 또는 실리카졸이란 음(-)전하를 띠는 무정질 실리카 입자가 수중에서 콜로이드 상태를 유지하는 것을 말한다. 외관상 투명하거나 유백색이고 일반적으로 구형의 형상을 가지고 있는데, 1915 년 전기투석법(Electrodialysis)에 의해 상업적인 콜로이달 실리카가 처음 나왔다.
CMP 공정의 단점은 무엇인가 반도체 직접회로 기술의 눈부신 발전으로 미세선폭과 다층 배선의 필요성이라는 시대의 기술적 요구에 대응하기 위해서 평탄화 CMP 공정이 요구되어지고 있다.(2) 그러나 CMP 공정은 슬러리, 패드, 탄성지지대, 패드컨디셔너 등과 같은 소모재의 비용이 매우 커 제조 단가가 높다는 단점이 있고 특히 슬러리는 연마공정의 성능에 중요한 요인이기도 하지만, 비용에서 슬러리가 차지하는 비중이 높아 슬러리의 소모량을 줄이거나 슬러리의 성능을 높이기 위한 연구들이 현재 활발히 진행되고 있다.(3~5) 반도체 평탄화 공정에 사용되는 슬러리의 원재료인 퓸드실리카(Fumed silica)는 실리카 분말을 물에 분산시켜 제조하는데, 99% 이상의 고순도인 반면 콜로이달 실리카는 순도가 다소 떨어지고 Na 함량 조절이 어렵다는 이유로 사용이 기피되었다.
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참고문헌 (6)

  1. M. F. Bechtold and O. E. Snyder, 1951, U. S. Patent. 

  2. Robert R. Schaller., 2004, "Technological Innovation in the Semiconductor Industry," A Case Study of the International Technology Road map for Semiconductors, 2004 edition, pp.183. 

  3. Park, S. W., Kim, S. Y and Seo, Y. J., 2002, "Optimization of Double polishing pad for STI-CMP Applications," Trans. of the KIEE, Vol. 51C, No. 7, pp. 311-315. 

  4. Lee, W. S., Seo, Y. J., Kim, S.Y and Chang, E. K., 2001, "A Study on the Nitride Residue and pad Oxide Damage of Shallow Trench Isolation(STI)-Chemical Mechanical Polishing(CMP) Process," Trans. of the KIEE, Vol. 50C, No. 9, pp. 438-443. 

  5. Kim, S. Y., Seo, Y. J., Kim, T. H., Lee, W. S., Kim, C. I and Chang, E. G., 1998, "An Optimized Nitride Residue Phenomena of Shallow Trench Isolation(STI) Process by Chemical Mechanical Polishing(CMP)," IUMRS-ICEM-98, p. 468. 

  6. Kim. D. W., 2005. 04. 27, "CMP, Dominance of the Transition to Colloidal Silica," CHEMICAL JOURNAL-DAILY. 

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