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나노구조를 기반으로 하는 Bi2Te3 소결과 그 시간에 따른 열전 특성
The Effect of Sintering on the Thermoelectric Properties of Bulk Nanostructured Bismuth Telluride (Bi2Te3) 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.9, 2014년, pp.561 - 565  

유수산나 (광운대학교 전자재료공학과) ,  강민석 (광운대학교 전자재료공학과) ,  김도경 (건양대학교 산학협력단) ,  문경숙 (가천대학교 IT대학 수학금융정보학과) ,  구상모 (광운대학교 전자재료공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Thermoelectric materials have been the topic of intensive research due to their unique dual capability of directly converting heat into electricity or electrical power into cooling or heating. Bismuth telluride ($Bi_2Te_3$) is the best-known commercially used thermoelectric material in th...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 나노구조의 도핑 되지 않은 벌크 형태의 고순도 Bi2Te3를 얻기 위하여 개선된 화학적 합성 방법인 방전 플라스마 소결 기술을 연구하였다. 방전 플라스마 소결기법은 최적화된 벌크형 NS Bi2Te3의 결정체가 결정립의 크기에 큰 변동 없이 97%를 달성하였다.
  • 본 논문에서는 새로운 bottom-up 솔루션 기반의 화학적 접근을 도입하여 나노구조의 도핑 되지 않은 벌크형태의 Bi2Te3(NS Bi2Te3)의 대규모 합성을 연구하였다. 열화학적 처리과정인 하소 (calcination)와 수소가스를 활용한 환원 (reduction)을 통해 최종 물질을 제작하였다.
  • 본 연구에서는 SPS 기법을 사용해 고밀화를 달성하는 동시에 나노 크기의 입자를 유지시키는데 좋은 성과를 나타내었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
열전기 물질은 무엇을 줄이는데 중요한 역할을 할 수 있는가? 열전기 물질 (thermoelectronic material, TE material)은 열을 전기로 또는 전력을 냉온 형태로 직접 변환시킬 수 있는 고유한 능력이 있어 강도 높은 연구 대상이었다 [1]. 이러한 물질은 버려진 열을 전기로 바꿔주기 때문에 탄소 배출량을 줄이는데 중요한 역할을 할 수 있다. Bi2Te3와 그 합금들은 주위 온도에서 적용이 가능한 열전도 물질로 가장 잘 알려져 있다 [2].
열전기 물질은 어떤 고유한 능력을 가지고 있는가? 열전기 물질 (thermoelectronic material, TE material)은 열을 전기로 또는 전력을 냉온 형태로 직접 변환시킬 수 있는 고유한 능력이 있어 강도 높은 연구 대상이었다 [1]. 이러한 물질은 버려진 열을 전기로 바꿔주기 때문에 탄소 배출량을 줄이는데 중요한 역할을 할 수 있다.
SPS의 의미는? SPS는 펄스용 직류가 일축성 정수압 (hydrostatic uniaxial pressure)하에 물질을 압밀시키는 graphite die를 통해 전도되는 것이다. 일반적으로 고압에서의 빠른 가열 속도 때문에 상대적으로 짧은 유지시간이 필요한 SPS 기술은 전통적인 고온 압축 기술보다 더욱 발전된 기술로 알려져 있다.
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참고문헌 (7)

  1. L. E. Bell, Science, 321, 5359 (2008). 

  2. M. S. Dresselhaus, G. Chen, M. Y. Tang, R. Yang, H. Lee, D. Wand,Z. Ren, J. P. Fleurial, and P. Gonga, Adv. Mater., 19, 8 (2007). 

  3. M. G. Kanatzidis, Chem. Mater., 22, 3 (2010). 

  4. R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, and B. O’quinn, Nature, 413, 6856 (2001). 

  5. W. Jun, T. Xinfeng, L. Haiqiang, Y. Xiuli, and Z. Qingjie, J. Wuhan Univ. Technol., Mater. Sci. Ed., 21, 4 (2006). 

  6. L. D. Zhao, B. P. Zhang, J. F. Li, H. L. Zhang, and W. S. Liu, Solid State Sci., 10, 5 (2008). 

  7. H. Lee, D. Vashaee, D. Z. Wang, M. S. Dresselhaus, Z. F. Ren, and G. Chen, J. Appl. Phys., 107, 094308 (2010). 

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